一种浇筑预制式挡土墙结构

    公开(公告)号:CN115110569A

    公开(公告)日:2022-09-27

    申请号:CN202210650029.9

    申请日:2022-06-10

    申请人: 程凯

    发明人: 程凯

    IPC分类号: E02D29/02

    摘要: 本发明公开了一种浇筑预制式挡土墙结构,包括第一预制板件,以及安装在第一预制板件上方的第二预制板件;还包括:最上方的所述第二预制板件的上方堆砌安装有第三预制板件;其中,两个所述第三预制板件纵向堆砌设置;最上方的所述第三预制板件的上方堆砌安装有两个第四预制板件,且两个第四预制板件纵向堆砌设置,且水平安装面的右侧面设置有用于填充密封的填料。该浇筑预制式挡土墙结构通过斜安装面b和斜安装面a的设计,当山体发生泥石流、塌方等现象时,由于斜安装面b结构的设计,能够将横向力分解成向左和向右下方的力,从而减少整个挡土墙结构受到横向力的作用,提高了整体强度,同时也提高了整个挡土墙结构的使用寿命。

    一种具备二次加压功能的建筑钢筋气压焊用乙炔供气设备

    公开(公告)号:CN114850616A

    公开(公告)日:2022-08-05

    申请号:CN202210495522.8

    申请日:2022-05-08

    申请人: 程凯

    发明人: 程凯

    IPC分类号: B23K5/22

    摘要: 本发明公开了一种具备二次加压功能的建筑钢筋气压焊用乙炔供气设备,包括底座,所述底座的顶部靠近左侧处固定连接有储气罐,且所述储气罐的顶部设有阀门,所述阀门的前侧固定连接有压力表,且所述阀门的右侧固定连接有出气管,本发明通过导气管、筒体、顶板、隔板、第二方杆、第三弹簧、绝缘板和导电块之间的相互配合下,当连接头与外部连接管连接处发生气体泄漏时,筒体内腔气压增大,从而推动导电块向上移动,并插入两个电极片之间,从而接通第一蜂鸣器的电源,通过第一蜂鸣器发出声觉警报工作人员及时处理,避免发生意外事故。

    一种增强型器件
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102856366A

    公开(公告)日:2013-01-02

    申请号:CN201210322170.2

    申请日:2012-09-04

    申请人: 程凯

    发明人: 程凯

    IPC分类号: H01L29/423 H01L29/778

    摘要: 本发明提出了一种增强型器件。该增强型器件利用了氮化物晶体中的自发极化效应和压电效应在 方向最强,而在其他的非极性方向和半极性方向没有或者极弱的特性。在外延多层结构中设置沟槽,沟槽处存在氮化物的非极性面或半极性面,从而使得沟道里的二维电子气中断。当栅极电压提高时,在沟道中形成导电沟道,从而实现增强型操作。

    增强型半导体器件
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102856355A

    公开(公告)日:2013-01-02

    申请号:CN201210323281.5

    申请日:2012-09-04

    申请人: 程凯

    发明人: 程凯

    IPC分类号: H01L29/06 H01L29/778

    摘要: 本发明提出了一种新型的增强型半导体器件。该增强型半导体器件利用了氮化物晶体中的自发极化效应和压电效应在 方向最强,而在其他的非极性方向和半极性方向没有或者极弱的特性。在外延多层结构中设置脊形凸起,脊形凸起处存在氮化物的非极性面或半极性面,从而使得沟道里的二维电子气中断。当栅极电压提高时,在沟道中形成导电沟道,从而实现增强型操作。

    一种外墙清洁机器人
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110604506B

    公开(公告)日:2021-08-03

    申请号:CN201910947478.8

    申请日:2019-10-08

    申请人: 程凯

    发明人: 程凯 李洁玲

    IPC分类号: A47L1/02 A47L11/38 E04G23/00

    摘要: 本发明公开了一种外墙清洁机器人,它包括前后滑移机构、左右滑移机构、转接板和旋转刷洗机构,所述左右滑移机构通过转接板连接在前后滑移机构的顶端,所述旋转刷洗机构固定在前后滑移机构的底端,所述前后滑移机构用于带动左右滑移机构和旋转刷洗机构前后移动并可吸住墙面,所述左右滑移机构用于带动前后滑移机构和旋转刷洗机构左右移动并可吸住墙面,所述旋转刷洗机构用于清洁墙面;本发明通过设置前后滑移机构、左右滑移机构带动旋转刷洗机构在墙面上实现前后移动、左右移动,从而实现对墙面的清洁工作,机械化操作,代替人工高空作业,提高工作效率,大大减少人工高空作业的风险,且适应性强。

    一种健康复配橄榄油及其制备方法

    公开(公告)号:CN112655777A

    公开(公告)日:2021-04-16

    申请号:CN202110031612.7

    申请日:2021-01-11

    申请人: 程凯

    发明人: 程凯

    IPC分类号: A23D9/007 A23D9/04

    摘要: 本发明公开了一种健康复配橄榄油及其制备方法,包括以下物质原料:抗性淀粉、氢氧化钠/尿素溶液、亚油酸、亚油酸抗性淀粉酯、丙三醇、共轭亚麻酸、丙三醇‑共轭亚麻酸酯、土豆淀粉废水、刺孢小克银汉霉、食用油等。抗性淀粉在亚油酸共轭双键和羧基的催化下分解短链脂肪酸被机体直接吸收,抑制大肠中有毒细菌的生长。丙三醇‑共轭亚麻酸酯可以保护细胞膜的功能性,延缓机体老化,并在高温煎煮时保留共轭亚麻酸的热稳定性,使其充分发挥生物活性。用土豆淀粉废水生物发酵工艺代替传统制备方法,提高了亚麻酸的生物活性和产量,且改善了土豆淀粉废水排放导致的环境污染。本发明通过加入改性物质和对工艺的改进,提高橄榄油的营养含量。

    半导体外延结构及其生长方法

    公开(公告)号:CN102856359A

    公开(公告)日:2013-01-02

    申请号:CN201210371013.0

    申请日:2012-09-28

    申请人: 程凯

    发明人: 程凯

    IPC分类号: H01L29/20 H01L21/20

    摘要: 本发明公开了一种半导体外延结构及其生长方法,该半导体外延结构包括:形成于硅衬底上的成核层;形成于所述成核层上的氮化物层,所述氮化物层包括第一氮化物层和第二氮化物层;位于所述第一氮化物层和第二氮化物层之间的插入层,所述插入层中包括铝铟氮,其中铟的组分小于18%。本发明在氮化物层中引入含有铟元素的插入层,同时整个外延结构都生长在高温条件下,避免了低温插入层引入的大量缺陷,晶体质量要好于低温插入层的结果。

    半导体外延结构及其生长方法

    公开(公告)号:CN102851734A

    公开(公告)日:2013-01-02

    申请号:CN201210327147.2

    申请日:2012-09-06

    申请人: 程凯

    发明人: 程凯

    IPC分类号: C30B25/02 H01L21/20 H01L33/00

    摘要: 本发明公开了一种半导体外延结构及其生长方法,该半导体外延结构包括:形成于衬底上的成核层;形成于所述成核层上的氮化物层,所述氮化物层包括第一氮化物层和第二氮化物层;位于所述第一氮化物层和第二氮化物层之间的插入层,所述插入层包括第一插入层和位于所述第一插入层上方的第二插入层,所述第一插入层为铝镓氮层,所述第二插入层为氮化硅层。本发明的半导体外延结构会大大降低氮化物的位错密度,提高氮化物的晶体质量。