公开(公告)号：CN102585516B

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201110425397.5

申请日：2011-12-16

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 林相学 ,  金奉焕 ,  吴正堈 ,  郭泽秀 ,  裵镇希 ,  尹熙灿 ,  韩东一 ,  金相均 ,  李真旭

IPC: C08L83/14 ,  C08G77/54 ,  H01L21/31 ,  H01L27/108

CPC classification number: C08G77/54 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02282 ,  H01L28/40

Abstract: 本发明提供用于形成硅基绝缘层的组合物及其制造方法、硅基绝缘层及其制造方法。该组合物包括氢化聚硅氧硅氮烷，该氢化聚硅氧硅氮烷包括化学式1的部分和化学式2的部分，且氯浓度为1ppm或更低。在化学式1和2中，R1至R7各自独立为氢、取代或未取代C1至C30烷基、取代或未取代C3至C30环烷基、取代或未取代C6至C30芳基、取代或未取代C7至C30芳烷基、取代或未取代C1至C30杂烷基、取代或未取代C2至C30杂环烷基、取代或未取代C2至C30烯基、取代或未取代烷氧基、取代或未取代羰基、羟基或它们的组合，条件是R1至R7中至少一个为氢。利用本发明组合物可形成有少量缺陷的硅基绝缘层。

公开(公告)号：CN102569060B

公开(公告)日：2015-03-11

申请号：CN201110430768.9

申请日：2011-12-20

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 尹熙灿 ,  郭泽秀 ,  金奉焕 ,  裵镇希 ,  吴正堈 ,  林相学 ,  韩东一 ,  金相均 ,  李真旭

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01L21/02282 ,  B05D5/00 ,  B05D5/12 ,  B32B9/00 ,  C08G77/54 ,  C08G77/62 ,  C08L83/14 ,  C08L83/16 ,  C09D183/00 ,  C09D183/02 ,  C09D183/08 ,  C09D183/14 ,  C09D183/16 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02222 ,  Y10T428/24355

Abstract: 本发明涉及形成硅氧层的组合物及其生产方法、利用其的硅氧层及生产硅氧层的方法。更具体地，本文公开了一种用于形成硅氧层的组合物，其包含选自氢化聚硅氮烷、氢化聚硅氧硅氮烷以及它们的组合中的一种，其中折算为聚苯乙烯时，重均分子量大于或等于约50000的氢化聚硅氮烷和氢化聚硅氧硅氮烷的总和的浓度范围为小于或等于约0.1wt％。当利用根据本发明的包括氢化聚硅氧硅氮烷的用于形成硅氧层的组合物来形成硅氧层时，缺陷显著减少，从而提高硅氧层所需的绝缘特性和间隙填充性能。

公开(公告)号：CN102585516A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201110425397.5

申请日：2011-12-16

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 林相学 ,  金奉焕 ,  吴正堈 ,  郭泽秀 ,  裵镇希 ,  尹熙灿 ,  韩东一 ,  金相均 ,  李真旭

IPC: C08L83/14 ,  C08G77/54 ,  H01L21/31 ,  H01L27/108

CPC classification number: C08G77/54 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02282 ,  H01L28/40

Abstract: 本发明提供用于形成硅基绝缘层的组合物及其制造方法、硅基绝缘层及其制造方法。该组合物包括氢化聚硅氧硅氮烷，该氢化聚硅氧硅氮烷包括化学式1的部分和化学式2的部分，且氯浓度为1ppm或更低。在化学式1和2中，R1至R7各自独立为氢、取代或未取代C 1至C30烷基、取代或未取代C3至C30环烷基、取代或未取代C6至C30芳基、取代或未取代C7至C30芳烷基、取代或未取代C 1至C30杂烷基、取代或未取代C2至C30杂环烷基、取代或未取代C2至C30烯基、取代或未取代烷氧基、取代或未取代羰基、羟基或它们的组合，条件是R1至R7中至少一个为氢。利用本发明组合物可形成有少量缺陷的硅基绝缘层。 、 如下所示。

公开(公告)号：CN101385181A

公开(公告)日：2009-03-11

申请号：CN200780005366.6

申请日：2007-01-09

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 吴正堈 ,  曹泳在 ,  李廷敏 ,  金学洙 ,  梁浩锡

IPC: H01M10/40

CPC classification number: H01M10/0567 ,  H01M10/052 ,  H01M10/0569 ,  H01M10/4235

Abstract: 本发明公开了一种非水电解质和过充电时具有优异稳定性的锂二次电池。用于锂二次电池的非水电解质包含锂盐，包含碳酸酯基溶剂的基础有机溶剂，和使得所述锂二次电池在4.2V或以上的过充电电压下能够稳定的卤代二苯醚化合物。

公开(公告)号：CN102569060A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201110430768.9

申请日：2011-12-20

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 尹熙灿 ,  郭泽秀 ,  金奉焕 ,  裵镇希 ,  吴正堈 ,  林相学 ,  韩东一 ,  金相均 ,  李真旭

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01L21/02282 ,  B05D5/00 ,  B05D5/12 ,  B32B9/00 ,  C08G77/54 ,  C08G77/62 ,  C08L83/14 ,  C08L83/16 ,  C09D183/00 ,  C09D183/02 ,  C09D183/08 ,  C09D183/14 ,  C09D183/16 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02222 ,  Y10T428/24355

Abstract: 本发明涉及形成硅氧层的组合物及其生产方法、利用其的硅氧层及生产硅氧层的方法。更具体地，本文公开了一种用于形成硅氧层的组合物，其包含选自氢化聚硅氮烷、氢化聚硅氧硅氮烷以及它们的组合中的一种，其中折算为聚苯乙烯时，重均分子量大于或等于约50000的氢化聚硅氮烷和氢化聚硅氧硅氮烷的总和的浓度范围为小于或等于约0.1wt％。当利用根据本发明的包括氢化聚硅氧硅氮烷的用于形成硅氧层的组合物来形成硅氧层时，缺陷显著减少，从而提高硅氧层所需的绝缘特性和间隙填充性能。

公开(公告)号：CN101207208A

公开(公告)日：2008-06-25

申请号：CN200710301542.2

申请日：2007-12-21

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 吴正堈 ,  曹泳在 ,  梁浩锡 ,  李甲烈

IPC: H01M6/16 ,  H01M10/40

CPC classification number: H01M10/0525 ,  H01M4/131 ,  H01M4/1315 ,  H01M4/133 ,  H01M4/134 ,  H01M10/0567 ,  H01M10/0569

Abstract: 一种用于锂电池的非水电解质，其包含非水有机溶剂、锂盐和基于100重量份所述非水有机溶剂的约0.02重量份到约10重量份的六氟乙酰丙酮，其中所述非水有机溶剂包含基于碳酸酯的溶剂、基于酯的溶剂、基于醚的溶剂、和/或基于酮的溶剂中的一种或多种。