公开(公告)号：CN102713758B

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：CN201080060221.8

申请日：2010-12-10

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 金美英 ,  金相均 ,  赵显模 ,  高尚兰 ,  尹熙灿 ,  丁龙辰 ,  金钟涉

IPC: G03F7/11 ,  G03F7/075 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/0752 ,  C08G77/16 ,  C08G77/18 ,  C08L83/04 ,  C08L83/06 ,  G03F7/11 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/0332

Abstract: 提供了一种抗蚀剂底层组合物，包括有机硅烷系缩聚化合物和溶剂，其中该有机硅烷系缩聚化合物包含40mol%至80mol%由以下化学式1表示的结构单元。因此，本发明涉及一种能够提供优异的图案转印特性的抗蚀剂底层组合物、利用具有优异的储存稳定性和耐蚀刻性的抗蚀剂底层、以及利用其制造半导体集成电路器件的方法。

公开(公告)号：CN102819192A

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：CN201210272558.6

申请日：2009-12-30

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 赵显模 ,  金相均 ,  金美英 ,  高尚兰 ,  尹熙灿 ,  丁龙辰 ,  金钟涉 ,  郑仁善

IPC: G03F7/11 ,  G03F7/075 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/11 ,  C08K5/54 ,  G03F7/0752

Abstract: 本发明提供了一种抗蚀剂下层组合物及利用其制造集成电路器件的方法。所述抗蚀剂下层组合物包括由以下化学式1至3表示的化合物中的至少一种以及由以下化学式4和5表示的化合物中的至少一种的有机硅烷基聚合产物，以及溶剂。在以下化学式1至5中，R1至R10、X、n以及m与在说明书中所限定的相同。[化学式1][R1]3Si-(CH2)nR2[化学式2][化学式3][R6]3Si-R7-Si[R6]3[化学式4][R8]3Si-R9[化学式5][R10]3Si-X-Si[R10]3。

公开(公告)号：CN101238414B

公开(公告)日：2011-03-09

申请号：CN200580051275.7

申请日：2005-12-09

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 吴昌一 ,  鱼东善 ,  金到贤 ,  李镇国 ,  南伊纳 ,  尹熙灿 ,  金钟涉

IPC: G03F7/004

CPC classification number: G03F7/091

Abstract: 提供了用于平版印刷工艺的具有增透特性的硬掩膜组合物及其使用方法和用该方法制成的半导体装置。本发明提供的增透硬掩膜组合物含有：(a)含有至少一种具有如说明书中所述的式(I)单体单元的聚合物的聚合物组分；(b)交联组分；和(c)酸催化剂。

公开(公告)号：CN101490621A

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：CN200780025924.5

申请日：2007-11-21

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 金美英 ,  金相均 ,  林相学 ,  高尚兰 ,  尹熙灿 ,  金到贤 ,  鱼东善 ,  金钟涉

IPC: G03F7/004

CPC classification number: C08G77/50 ,  C08L83/14 ,  G03F7/11 ,  G03F7/2022 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/3122

Abstract: 本发明提供了一种用于加工抗蚀剂下层膜的硬掩模组合物。该硬掩模组合物包含有机硅聚合物和溶剂或溶剂混合物，其中有机硅聚合物是在酸催化剂存在下，通过缩聚由以下式1、2和3表示的化合物的水解产物而制备的：[R1O]3S－X (1)，其中X是含有至少一个取代或未取代芳环的C6－C30官能团，而R1是C1－C6烷基；[R2O]3S－R3(2)，其中R2是C1－C6烷基，而R3是C1－C12烷基；以及[R4O]3S－Y－S [OR5]3(3)，其中R4和R5每一个独立地是C1－C6烷基，而Y是选自由取代或未取代的芳环、直链或支链C1－C20亚烷基、含有芳环的C1－C20亚烷基、杂环、主链中的脲基或异氰尿酸酯基和含有至少一个多重键的C2－C20烃基组成的组中的连接基团。该硬掩模组合物表现出优异的膜特性和良好的储存稳定性，并且由于其令人满意的硬掩模特性而可以将良好图案转移到材料层。另外，该硬掩模组合物具有对O2等离子体气体在用于图案化的后续蚀刻的改善的蚀刻抗性。该硬掩模组合物可用来形成高度亲水性薄膜，因而可以有效改善薄膜与覆盖抗反射涂层的界面相容性。本发明还提供了一种使用该硬掩模组合物来生产半导体集成电路器件的方法。

公开(公告)号：CN1991581A

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN200610150443.4

申请日：2006-10-27

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 鱼东善 ,  吴昌一 ,  金到贤 ,  尹熙灿 ,  李镇国 ,  伊丽娜·南 ,  金钟涉

IPC: G03F7/004 ,  H01L21/00 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26

Abstract: 本发明提供了一种抗蚀底膜硬掩模层组合物，其中在某些实施方式中，硬掩模层组合物含有(a)由式1的化合物与式2的化合物反应制得的第一聚合物，其中n为3－20的数，R为一价有机基团，m为0、1或2；(b)包括式3－6所示结构中的至少一种结构的第二聚合物；(c)酸性或碱性催化剂；以及(d)有机溶剂。本发明还提供了利用本发明实施方式的硬掩模层组合物制造半导体集成电路装置的方法。另外，本发明还提供了按照本发明方法实施方式制造的半导体集成电路装置。

公开(公告)号：CN104620326B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201380044747.0

申请日：2013-08-16

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 尹熙灿 ,  郭泽秀 ,  金美英 ,  林相学 ,  韩权愚 ,  金古恩 ,  金奉焕 ,  金相均 ,  罗隆熙 ,  朴银秀 ,  裵镇希 ,  宋炫知 ,  李汉松 ,  洪承希

IPC: H01B3/46 ,  C08L83/08

Abstract: 本发明提供一种用于氧化硅类绝缘层的组成物及其制造方法，并揭示一种氧化硅类绝缘层及其制造方法。本发明提供的用于氧化硅类绝缘层的组成物，包括氢化聚硅氮烷或氢化聚硅氧氮烷，且具有浓度为1,200ppm或小于1,200ppm的环状化合物，所述环状化合物的重量平均分子量为400或小于400。所述用于氧化硅类绝缘层的组成物可减小氧化硅类绝缘层形成期间的厚度分布，由此减少在半导体制造制程期间的化学机械抛光(CMP)制程之后在层中的缺陷。

公开(公告)号：CN102585516B

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201110425397.5

申请日：2011-12-16

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 林相学 ,  金奉焕 ,  吴正堈 ,  郭泽秀 ,  裵镇希 ,  尹熙灿 ,  韩东一 ,  金相均 ,  李真旭

IPC: C08L83/14 ,  C08G77/54 ,  H01L21/31 ,  H01L27/108

CPC classification number: C08G77/54 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02282 ,  H01L28/40

Abstract: 本发明提供用于形成硅基绝缘层的组合物及其制造方法、硅基绝缘层及其制造方法。该组合物包括氢化聚硅氧硅氮烷，该氢化聚硅氧硅氮烷包括化学式1的部分和化学式2的部分，且氯浓度为1ppm或更低。在化学式1和2中，R1至R7各自独立为氢、取代或未取代C1至C30烷基、取代或未取代C3至C30环烷基、取代或未取代C6至C30芳基、取代或未取代C7至C30芳烷基、取代或未取代C1至C30杂烷基、取代或未取代C2至C30杂环烷基、取代或未取代C2至C30烯基、取代或未取代烷氧基、取代或未取代羰基、羟基或它们的组合，条件是R1至R7中至少一个为氢。利用本发明组合物可形成有少量缺陷的硅基绝缘层。

公开(公告)号：CN102695987B

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：CN201080060384.6

申请日：2010-12-10

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 金美英 ,  金相均 ,  赵显模 ,  禹昌秀 ,  高尚兰 ,  尹熙灿 ,  李雨晋 ,  金钟涉

IPC: G03F7/11

CPC classification number: G03F7/0752 ,  G03F7/09 ,  G03F7/11

Abstract: 根据本发明的一个实施方式，一种光致抗蚀剂底层组合物，包括（A）下述化学式1表示的聚硅氧烷树脂和（B）溶剂。根据化学式1：{(SiO1.5-Y-SiO1.5)x(SiO2)y(XSiO1.5)z}(OH)e(OR1)f，所述光致抗蚀剂底层能够具有优良的储存性和耐蚀刻性，并且具有可容易控制的表面特性，以及能够使光致抗蚀剂图案稳定地形成。

公开(公告)号：CN102819192B

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：CN201210272558.6

申请日：2009-12-30

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 赵显模 ,  金相均 ,  金美英 ,  高尚兰 ,  尹熙灿 ,  丁龙辰 ,  金钟涉 ,  郑仁善

IPC: G03F7/11 ,  G03F7/075 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/11 ,  C08K5/54 ,  G03F7/0752

Abstract: 本发明提供了一种抗蚀剂下层组合物及利用其制造集成电路器件的方法。所述抗蚀剂下层组合物包括由以下化学式1至3表示的化合物中的至少一种以及由以下化学式4和5表示的化合物中的至少一种的有机硅烷基聚合产物，以及溶剂。在以下化学式1至5中，R1至R10、X、n以及m与在说明书中所限定的相同。[化学式1] [R1]3Si-(CH2)nR2[化学式2][化学式3] [R6]3Si-R7-Si[R6]3[化学式4] [R8]3Si-R9[化学式5] [R10]3Si-X-Si[R10]3。

公开(公告)号：CN101910947B

公开(公告)日：2013-07-03

申请号：CN200880124489.6

申请日：2008-12-31

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 金相均 ,  赵显模 ,  高尚兰 ,  金美英 ,  尹熙灿 ,  丁龙辰 ,  金钟涉

IPC: G03F7/11

CPC classification number: H01L21/31144 ,  C08G77/16 ,  C08G77/50 ,  C08G77/52 ,  C08G77/70 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/32139

Abstract: 本发明提供了一种硅基硬掩模组合物。该硬掩模组合物包含(a)有机硅烷聚合物及(b)溶剂。该有机硅烷聚合物以式1表示：{(SiO1.5-Y-SiO1.5)x(R3SiO1.5)y(XSiO1.5)z}(OH)e(OR6)f(1)。在式1中，x、y及z表示聚合物中的重复单元(SiO1.5-Y-SiO1.5)、(R3SiO1.5)及(XSiO1.5)的相对比例，且满足关系式0.05≤x≤0.9、0.05≤y≤0.9、0≤z≤0.9及x+y+z＝1；e及f分别表示键结至硅(Si)原子的末端-OH基数目及末端-OR基数目对聚合物中的2x+y+z硅(Si)原子数目之比，且满足关系式0.03≤e≤0.2及0.03≤f≤0.25；X为含有至少一个经取代或未经取代的芳香环的C6-C30官能基；R3为C1-C6烷基；Y为选自由芳香环、经取代或未经取代的直链或支链C1-C20亚烷基、主链中含有至少一个芳香环或杂环系环或具有至少一个脲基或异氰尿酸酯基的C1-C20亚烷基及含有至少一个多重键的C2-C20烃基所组成的组中的连接基；及R6为C1-C6烷基。