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公开(公告)号：CN102569060A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201110430768.9
申请日：2011-12-20
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: H01L21/31
CPC classification number: H01L21/02282 , B05D5/00 , B05D5/12 , B32B9/00 , C08G77/54 , C08G77/62 , C08L83/14 , C08L83/16 , C09D183/00 , C09D183/02 , C09D183/08 , C09D183/14 , C09D183/16 , H01L21/02164 , H01L21/02222 , Y10T428/24355
Abstract: 本发明涉及形成硅氧层的组合物及其生产方法、利用其的硅氧层及生产硅氧层的方法。更具体地，本文公开了一种用于形成硅氧层的组合物，其包含选自氢化聚硅氮烷、氢化聚硅氧硅氮烷以及它们的组合中的一种，其中折算为聚苯乙烯时，重均分子量大于或等于约50000的氢化聚硅氮烷和氢化聚硅氧硅氮烷的总和的浓度范围为小于或等于约0.1wt％。当利用根据本发明的包括氢化聚硅氧硅氮烷的用于形成硅氧层的组合物来形成硅氧层时，缺陷显著减少，从而提高硅氧层所需的绝缘特性和间隙填充性能。
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公开(公告)号：CN102585516B
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201110425397.5
申请日：2011-12-16
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: C08L83/14 , C08G77/54 , H01L21/31 , H01L27/108
CPC classification number: C08G77/54 , H01L21/02164 , H01L21/02216 , H01L21/02222 , H01L21/02282 , H01L28/40
Abstract: 本发明提供用于形成硅基绝缘层的组合物及其制造方法、硅基绝缘层及其制造方法。该组合物包括氢化聚硅氧硅氮烷，该氢化聚硅氧硅氮烷包括化学式1的部分和化学式2的部分，且氯浓度为1ppm或更低。在化学式1和2中，R1至R7各自独立为氢、取代或未取代C1至C30烷基、取代或未取代C3至C30环烷基、取代或未取代C6至C30芳基、取代或未取代C7至C30芳烷基、取代或未取代C1至C30杂烷基、取代或未取代C2至C30杂环烷基、取代或未取代C2至C30烯基、取代或未取代烷氧基、取代或未取代羰基、羟基或它们的组合，条件是R1至R7中至少一个为氢。利用本发明组合物可形成有少量缺陷的硅基绝缘层。
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公开(公告)号：CN102569060B
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201110430768.9
申请日：2011-12-20
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: H01L21/31
CPC classification number: H01L21/02282 , B05D5/00 , B05D5/12 , B32B9/00 , C08G77/54 , C08G77/62 , C08L83/14 , C08L83/16 , C09D183/00 , C09D183/02 , C09D183/08 , C09D183/14 , C09D183/16 , H01L21/02164 , H01L21/02222 , Y10T428/24355
Abstract: 本发明涉及形成硅氧层的组合物及其生产方法、利用其的硅氧层及生产硅氧层的方法。更具体地，本文公开了一种用于形成硅氧层的组合物，其包含选自氢化聚硅氮烷、氢化聚硅氧硅氮烷以及它们的组合中的一种，其中折算为聚苯乙烯时，重均分子量大于或等于约50000的氢化聚硅氮烷和氢化聚硅氧硅氮烷的总和的浓度范围为小于或等于约0.1wt％。当利用根据本发明的包括氢化聚硅氧硅氮烷的用于形成硅氧层的组合物来形成硅氧层时，缺陷显著减少，从而提高硅氧层所需的绝缘特性和间隙填充性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103946361A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201280055366.8
申请日：2012-10-31
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: C11D7/50 , C11D7/00 , H01L21/306
CPC classification number: C09K13/00 , C08G77/62 , C09D183/16 , H01L21/0206 , H01L21/02087 , H01L21/02164 , H01L21/02222 , H01L21/02282 , H01L21/31111
Abstract: 提供一种聚硅氧氮烷氢氧化物薄膜清洗溶液，相对于清洗溶液整体包括0.01wt％至7wt％之间的选自由醇类溶剂、酯类溶剂、硅烷醇类溶剂、烷氧基硅烷类溶剂、和烷基硅氮烷类溶剂以及它们的组合组成的组中的添加剂。
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公开(公告)号：CN103946361B
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：CN201280055366.8
申请日：2012-10-31
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: C11D7/50 , C11D7/00 , H01L21/306
CPC classification number: C09K13/00 , C08G77/62 , C09D183/16 , H01L21/0206 , H01L21/02087 , H01L21/02164 , H01L21/02222 , H01L21/02282 , H01L21/31111
Abstract: 提供一种聚硅氧氮烷氢氧化物薄膜清洗溶液，相对于清洗溶液整体包括0.01wt％至7wt％之间的选自由醇类溶剂、酯类溶剂、硅烷醇类溶剂、烷氧基硅烷类溶剂、和烷基硅氮烷类溶剂以及它们的组合组成的组中的添加剂。
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公开(公告)号：CN102874813B
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201210241251.X
申请日：2012-07-11
Applicant: 第一毛织株式会社
CPC classification number: C08G77/62 , C01B21/087 , H01L28/90
Abstract: 本发明公开了一种填充间隙的填料、其制备方法及制造半导体电容器的方法。所述填充间隙的填料包含由下列化学式1表示的化合物：[化学式1]SiaNbOcHd在化学式1中，1.96＜a＜2.68，1.78＜b＜3.21，0≤c＜0.19，且4＜d＜10。
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公开(公告)号：CN102874813A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201210241251.X
申请日：2012-07-11
Applicant: 第一毛织株式会社
CPC classification number: C08G77/62 , C01B21/087 , H01L28/90
Abstract: 本发明公开了一种填充间隙的填料、其制备方法及制造半导体电容器的方法。所述填充间隙的填料包含由下列化学式1表示的化合物：[化学式1]SiaNbOcHd在化学式1中，1.96＜a＜2.68，1.78＜b＜3.21，0≤c＜0.19，且4＜d＜10。
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公开(公告)号：CN102585516A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201110425397.5
申请日：2011-12-16
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: C08L83/14 , C08G77/54 , H01L21/31 , H01L27/108
CPC classification number: C08G77/54 , H01L21/02164 , H01L21/02216 , H01L21/02222 , H01L21/02282 , H01L28/40
Abstract: 本发明提供用于形成硅基绝缘层的组合物及其制造方法、硅基绝缘层及其制造方法。该组合物包括氢化聚硅氧硅氮烷，该氢化聚硅氧硅氮烷包括化学式1的部分和化学式2的部分，且氯浓度为1ppm或更低。在化学式1和2中，R1至R7各自独立为氢、取代或未取代C 1至C30烷基、取代或未取代C3至C30环烷基、取代或未取代C6至C30芳基、取代或未取代C7至C30芳烷基、取代或未取代C 1至C30杂烷基、取代或未取代C2至C30杂环烷基、取代或未取代C2至C30烯基、取代或未取代烷氧基、取代或未取代羰基、羟基或它们的组合，条件是R1至R7中至少一个为氢。利用本发明组合物可形成有少量缺陷的硅基绝缘层。 、 如下所示。
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