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公开(公告)号：CN102915788A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201210263004.X
申请日：2012-07-26
Applicant: 索尼公司
IPC: H01B5/14 , H01B1/04 , H01B13/00 , H01L31/0224
CPC classification number: H01B1/04 , H01L31/022466 , Y10T156/10 , Y10T428/30
Abstract: 本发明涉及石墨烯结构体及其制造方法、光电转换元件和太阳能电池。该石墨烯结构体包括导电层和保护层。导电层由用掺杂剂掺杂的石墨烯构成，保护层层叠在导电层上并且由具有比水高的氧化还原电位的物质构成。
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公开(公告)号：CN111656539A
公开(公告)日：2020-09-11
申请号：CN201980009375.5
申请日：2019-02-05
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L31/10 , H01L27/146 , H01L31/0352 , H01L31/072 , H01L31/0749
Abstract: 本技术的目的是提供一种能够进一步提高光电转换效率的半导体膜。提供了一种包含半导体纳米粒子和硫的半导体膜，所述半导体纳米粒子具有核壳结构，核部包含由以下通式(1)表示的化合物，壳部包含ZnS，并且所述硫与所述半导体纳米粒子配位。[化学式1]Cuy1Inz1A1(y1+3z1)/2(1)(在所述通式(1)中，y1满足0
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公开(公告)号：CN107817548B
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：CN201711262389.7
申请日：2014-07-02
Applicant: 索尼公司
IPC: G02B5/20 , H01L27/146
Abstract: 一种成像装置、成像设备和相机系统，该成像装置包括透镜；基板；成像传感器，在基板上并且包括被配置为通过透镜接收入射光的像素区域；布线层，在成像传感器上并且电连接至成像传感器；焊盘部分，在布线层上并且电连接至布线层；导线，电连接至焊盘部分；以及光学元件，在布线层上并且经由粘合件附接至布线层；其中，像素区域的外边缘和光学元件的上表面的外边缘之间的水平距离大于距离Hopt，其中，Hopt由下式表示：Hopt＝T*(f‑2*H*Fno)/(2*f*Fno+H)，其中T、f、Fno和H分别表示光学元件的厚度、透镜的焦距、透镜的F数和成像传感器的图像高度，并且，其中，Hopt大于零。
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公开(公告)号：CN102282095A
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN200980154409.6
申请日：2009-12-04
Applicant: 索尼公司
Inventor： 保原大介
CPC classification number: B82B3/0047 , B82Y15/00 , B82Y30/00
Abstract: 本发明涉及具有微结构例如三维隆起结构的微细颗粒结构/基材复合部件，所述微结构由基材上的微细颗粒例如纳米颗粒的集合体形成；以及用于在不需要加热至高温的步骤的情况下生产该复合部件的方法。制备了具有平滑表面的基材(1)，形成了包括沿着该表面布置的微细颗粒(2)的微细颗粒层(4)，并且取代分子(4)结合到微细颗粒(2)上以将微细颗粒层(4)改变成包括被取代分子(4)结合的微细颗粒(2)的微细颗粒集合体层(6)，从而提高相邻的微细颗粒之间的中心到中心距离以形成其中微细颗粒集合体层(6)的一部分从表面隆起的三维微结构(7)，或者降低相邻的微细颗粒之间的中心到中心距离以形成其中微细颗粒集合体层(6)在该表面的一部分中缺失、基材(1)在该缺失部分(8)中暴露的微结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107817548A
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：CN201711262389.7
申请日：2014-07-02
Applicant: 索尼公司
IPC: G02B5/20 , H01L27/146
Abstract: 一种成像装置、成像设备和相机系统，该成像装置包括透镜；基板；成像传感器，在基板上并且包括被配置为通过透镜接收入射光的像素区域；布线层，在成像传感器上并且电连接至成像传感器；焊盘部分，在布线层上并且电连接至布线层；导线，电连接至焊盘部分；以及光学元件，在布线层上并且经由粘合件附接至布线层；其中，像素区域的外边缘和光学元件的上表面的外边缘之间的水平距离大于距离Hopt，其中，Hopt由下式表示：Hopt＝T*(f-2*H*Fno)/(2*f*Fno+H)，其中T、f、Fno和H分别表示光学元件的厚度、透镜的焦距、透镜的F数和成像传感器的图像高度，并且，其中，Hopt大于零。
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公开(公告)号：CN102282095B
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN200980154409.6
申请日：2009-12-04
Applicant: 索尼公司
Inventor： 保原大介
CPC classification number: B82B3/0047 , B82Y15/00 , B82Y30/00
Abstract: 本发明涉及具有微结构例如三维隆起结构的微细颗粒结构/基材复合部件，所述微结构由基材上的微细颗粒例如纳米颗粒的集合体形成；以及用于在不需要加热至高温的步骤的情况下生产该复合部件的方法。制备了具有平滑表面的基材(1)，形成了包括沿着该表面布置的微细颗粒(2)的微细颗粒层(4)，并且取代分子(4)结合到微细颗粒(2)上以将微细颗粒层(4)改变成包括被取代分子(4)结合的微细颗粒(2)的微细颗粒集合体层(6)，从而提高相邻的微细颗粒之间的中心到中心距离以形成其中微细颗粒集合体层(6)的一部分从表面隆起的三维微结构(7)，或者降低相邻的微细颗粒之间的中心到中心距离以形成其中微细颗粒集合体层(6)在该表面的一部分中缺失、基材(1)在该缺失部分(8)中暴露的微结构。
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公开(公告)号：CN104280804B
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201410314125.1
申请日：2014-07-02
Applicant: 索尼公司
IPC: G02B5/20 , H01L27/146
Abstract: 一种成像装置和相机系统，该成像装置在成像元件上形成穿过成像透镜的光束的图像，包括，设置在成像元件上的层压材料，光束穿过层压材料，该层压材料被设置在一个位置，在此处，层压材料上表面的端部允许来自光束最外侧的光束从中穿过，光束进入有效像素区域中成像元件的外端部的像素，该位置的具有宽度Hopt。
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公开(公告)号：CN104280804A
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201410314125.1
申请日：2014-07-02
Applicant: 索尼公司
IPC: G02B5/20 , H01L27/146
CPC classification number: H04N5/3572 , H01L27/14618 , H01L27/1462 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/14625 , H01L27/14627 , H01L27/14636 , H01L27/14643 , H01L27/14645 , H01L2224/45144 , H01L2224/48463 , H04N5/2173 , H04N5/2253 , H04N5/2254 , H01L2924/00
Abstract: 一种成像装置和相机系统，该成像装置在成像元件上形成穿过成像透镜的光束的图像，包括，设置在成像元件上的层压材料，光束穿过层压材料，该层压材料被设置在一个位置，在此处，层压材料上表面的端部允许来自光束最外侧的光束从中穿过，光束进入有效像素区域中成像元件的外端部的像素，该位置的具有宽度Hopt。
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公开(公告)号：CN103907178A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201280052849.2
申请日：2012-10-25
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L21/368 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/40
CPC classification number: H01L51/0003 , H01L51/0012 , H01L51/0558 , H01L51/42 , H01L51/50
Abstract: 提供了一种用于使诸如有机半导体单晶体薄膜的有机单晶体薄膜成长的方法，所述方法允许控制有机单晶体薄膜的位置、尺寸、晶体方位等。包括有机化合物的有机半导体单晶体薄膜通过以下方式成长：将通过在溶剂中溶解有机化合物所制备的不饱和的有机溶液供应给基板(11)的成长控制区域(P1)和成核控制区域(P2)，所述基板具有在其一个主平面上的成长控制区域和形成在成长控制区域的一边上的并且连接至成长控制区域的至少一个成核控制区域；以及接着蒸发有机溶液的溶剂。
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