公开(公告)号：CN111656539A

公开(公告)日：2020-09-11

申请号：CN201980009375.5

申请日：2019-02-05

Applicant: 索尼公司

Inventor： 泷泽修一 ,  塩见治典 ,  保原大介 ,  坂本雅典 ,  寺西利治

IPC: H01L31/10 ,  H01L27/146 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/072 ,  H01L31/0749

Abstract: 本技术的目的是提供一种能够进一步提高光电转换效率的半导体膜。提供了一种包含半导体纳米粒子和硫的半导体膜，所述半导体纳米粒子具有核壳结构，核部包含由以下通式(1)表示的化合物，壳部包含ZnS，并且所述硫与所述半导体纳米粒子配位。[化学式1]Cuy1Inz1A1(y1+3z1)/2(1)(在所述通式(1)中，y1满足0

公开(公告)号：CN116847667A

公开(公告)日：2023-10-03

申请号：CN202310651016.8

申请日：2017-06-06

Applicant: 索尼公司

Inventor： 泷泽修一 ,  塩见治典

IPC: H10K30/35 ,  H10K39/32 ,  H10K30/60 ,  H10K71/15 ,  H10K71/00 ,  B82Y15/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 一种半导体膜，包含：第一半导体纳米粒子、第二半导体纳米粒子、第一化合物和第二化合物，所述第一化合物由以下通式(1)表示：在所述通式(1)中，X表示‑SH、‑COOH、‑NH2、‑PO(OH)2或‑SO2(OH)，A1表示‑S、‑COO、‑PO(OH)O或‑SO2(O)，并且n是1～3的整数，B1表示Li、Na或K，并且所述第二化合物由以下通式(2)表示：在所述通式(2)中，X表示‑SH、‑COOH、‑NH2、‑PO(OH)2或‑SO2(OH)，A1表示‑S、‑COO、‑PO(OH)O或‑SO2(O)，并且n是1～3的整数，B2表示咪唑鎓化合物、吡啶鎓化合物、磷化合物、铵化合物或锍化合物，其中由所述通式(1)表示的所述第一化合物与所述第一半导体纳米粒子配位，并且其中由所述通式(2)表示的所述第二化合物与所述第二半导体纳米粒子配位。#imgabs0#

公开(公告)号：CN116847702A

公开(公告)日：2023-10-03

申请号：CN202310653554.0

申请日：2017-06-06

Applicant: 索尼公司

Inventor： 泷泽修一 ,  塩见治典

IPC: H10K71/15 ,  H10K71/00 ,  H10K30/35 ,  H10K39/32 ,  H10K30/60 ,  B82Y15/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 一种半导体膜的制造方法，所述方法包括：用分散液涂布基板以形成第一层，所述分散液包含半导体纳米粒子和由以下通式(2)表示的化合物：[化学式3]#imgabs0#在所述通式(2)中，X表示‑SH、‑COOH、‑NH2、‑PO(OH)2或‑SO2(OH)，A1表示‑S、‑COO、‑PO(OH)O或‑SO2(O)，并且n是1～3的整数；B2表示咪唑鎓化合物、吡啶鎓化合物、磷化合物、铵化合物或锍化合物，其中由所述通式(2)表示的所述化合物与所述半导体纳米粒子配位，并且将所述第一层中的所述化合物的有机阳离子B2+离子交换为碱金属离子。

公开(公告)号：CN109417079B

公开(公告)日：2023-06-20

申请号：CN201780040600.2

申请日：2017-06-06

Applicant: 索尼公司

Inventor： 泷泽修一 ,  塩见治典

IPC: H01L27/146 ,  B82Y40/00 ,  H01L31/10 ,  H04N25/70 ,  H04N25/79

Abstract: 本发明提供了一种能够实现光电转换效率进一步提高的半导体膜。所述半导体膜包含半导体纳米粒子和由通式(1)表示的化合物，其中由所述通式(1)表示的化合物与所述半导体纳米粒子配位。(在所述通式(1)中，X表示‑SH、‑COOH、‑NH2、‑PO(OH)2或‑SO2(OH)；A1表示‑S、‑COO、‑PO(OH)O或‑SO2(O)；n是1～3的整数；并且B1表示Li、Na或K。)

公开(公告)号：CN109417079A

公开(公告)日：2019-03-01

申请号：CN201780040600.2

申请日：2017-06-06

Applicant: 索尼公司

Inventor： 泷泽修一 ,  塩见治典

IPC: H01L27/146 ,  B82Y40/00 ,  H01L31/10 ,  H04N5/369

CPC classification number: H01L51/0079 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L27/146 ,  H01L27/281 ,  H01L27/286 ,  H01L27/307 ,  H01L31/10 ,  H01L51/0083 ,  H01L51/0084 ,  H01L51/442 ,  H04N5/369

Abstract: 本发明提供了一种能够实现光电转换效率进一步提高的半导体膜。所述半导体膜包含半导体纳米粒子和由通式(1)表示的化合物，其中由所述通式(1)表示的化合物与所述半导体纳米粒子配位。(在所述通式(1)中，X表示-SH、-COOH、-NH2、-PO(OH)2或-SO2(OH)；A1表示-S、-COO、-PO(OH)O或-SO2(O)；n是1～3的整数；并且B1表示Li、Na或K。)

公开(公告)号：CN104882595A

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：CN201510080171.4

申请日：2015-02-13

Applicant: 索尼公司

Inventor： 伊藤大辅 ,  泷泽修一 ,  羽生和隆

IPC: H01M4/38 ,  H01M4/62 ,  H01M4/36 ,  H01M4/134 ,  H01M10/0525

Abstract: 本发明涉及负极活性材料、电池、电池组、电子设备和电动车辆。提供了一种负极活性材料，其包括：包含硅的芯颗粒；以及从由以下项所组成的组中选择的至少一种金属元素：Ge、Sn、Ni、Mo、W、Ag、Pd、Cu、Bi、Fe、Co、Mn、Cr、V、Ga、B、Sb、In、Te、Cd、Rh、Ru、Nb、Ta、Re、Os、Ir、Pt、Pb和P。负极活性材料具有从芯颗粒的中心到芯颗粒的表面连续改变的元素组分。还提供了分别包括负极活性材料的负极、电池、电动车辆、电力存储设备、电子设备以及电力存储系统。