公开(公告)号：CN104051349A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201410086816.0

申请日：2014-03-11

申请人： 索尼公司

发明人： 北川真 ,  对马朋人 ,  大塚渉 ,  囯广恭史

IPC分类号： H01L21/8247 ,  H01L21/8242 ,  G11C11/4063

CPC分类号： G11C7/12 ,  G11C7/18

摘要： 本发明内容涉及具有非易失性存储器压力抑制的集成电路系统及制造方法。一种集成电路系统及其制造方法，包括：集成电路管芯；集成电路管芯中的非易失性存储器单元，所述非易失性存储器单元具有用于读取该非易失性存储器单元的数据条件状态的位线；以及集成电路管芯中的电压箝，所述电压箝具有连接到所述位线的、用于减小所述位线上的电压偏移的半导体开关。

公开(公告)号：CN104851462A

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201510065492.7

申请日：2015-02-09

申请人： 索尼公司

发明人： 北川真 ,  囯广恭史 ,  大塚涉 ,  对马朋人

IPC分类号： G11C17/16

CPC分类号： G06F3/0613 ,  G06F3/0616 ,  G06F3/0619 ,  G06F3/0625 ,  G06F3/0632 ,  G06F3/0634 ,  G06F3/0679 ,  G06F3/0688 ,  G11C11/16 ,  G11C13/00 ,  G11C16/14 ,  G11C16/20 ,  G11C16/26 ,  G11C17/16 ,  G11C17/18 ,  G11C29/12 ,  G11C29/28 ,  G11C2029/4402 ,  Y02D10/154

摘要： 本发明涉及具有可变调整参数的存储器设备。所述存储器设备包括包含多个存储器单元的存储器阵列、耦接到所述存储器阵列的两个或更多个熔丝，其中所述两个或更多个熔丝的每一个包含用于所述存储器阵列的调整数据和用于选择两个或多个熔丝中的要启动的一个熔丝的模式寄存器。