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公开(公告)号：CN104051349A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201410086816.0
申请日：2014-03-11
申请人： 索尼公司
IPC分类号： H01L21/8247 , H01L21/8242 , G11C11/4063
摘要： 本发明内容涉及具有非易失性存储器压力抑制的集成电路系统及制造方法。一种集成电路系统及其制造方法，包括：集成电路管芯；集成电路管芯中的非易失性存储器单元，所述非易失性存储器单元具有用于读取该非易失性存储器单元的数据条件状态的位线；以及集成电路管芯中的电压箝，所述电压箝具有连接到所述位线的、用于减小所述位线上的电压偏移的半导体开关。
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公开(公告)号：CN102063937A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN201010543544.4
申请日：2010-11-08
申请人： 索尼公司
CPC分类号： G11C16/28 , G11C11/5678 , G11C11/5685 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C13/004 , G11C13/0061 , G11C13/0064 , G11C16/32 , G11C2013/0054 , G11C2013/0073
摘要： 非易失性半导体存储器器件包括：存储器单元件，其中两个电极之间的电荷放电速度根据存储的信息的逻辑而不同；感测放大器，其通过将与所述存储器元件的电极之一连接的布线的放电电势与参考电势相比较来检测信息的逻辑；以及负载电容改变单元，其根据由所述存储器元件读出的信息的逻辑来改变放电电势所输入的所述感测放大器的感测节点的负载电容、或者所述感测节点的负载电容和参考电势所输入的所述感测放大器的参考节点的负载电容两者。
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公开(公告)号：CN101800076A
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN201010108132.8
申请日：2010-01-29
申请人： 索尼公司
CPC分类号： G11C13/0011 , G11C13/0061 , G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C2013/0078 , G11C2013/0088 , G11C2213/11 , G11C2213/34 , G11C2213/56 , G11C2213/79
摘要： 本文公开了一种非易失性半导体存储装置及在其上执行校验写入操作的方法，该非易失性半导体存储装置包括多个存储单元和驱动器电路，该驱动器电路被配置成以周期执行校验写入操作，包括从多个存储单元的阵列中选择用于构成写入单元单位的预定数量的存储单元、将数据集体地写入预定数量的存储单元以及校验写入的数据，该驱动器电路还重复地执行校验写入操作，直到写入单元单位内的所有存储单元都通过了校验为止。
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公开(公告)号：CN102637454B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201210026986.0
申请日：2012-02-08
申请人： 索尼公司
CPC分类号： G11C13/0002 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C13/0097 , G11C2213/79
摘要： 提供了存储设备和用于操作该存储设备的操作方法。该存储设备包含：多个存储元件，配置为其阻抗状态根据施加的电压变化；和驱动部分，配置为执行阻抗变化操作和读操作，阻抗变化操作涉及通过改变其阻抗状态将信息写到存储元件或者从存储元件擦除信息，读操作涉及从存储元件读信息；其中驱动部分包括：放大器，配置为在执行读操作时输出读信号；恒流负载；以及控制部分，配置为对存储单元执行阻抗变化操作和直接确认操作，直接确认操作涉及在阻抗变化操作之后执行读操作，以确认将信息写入存储元件或者从存储元件擦除信息是否正常完成。
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公开(公告)号：CN104425023A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201410444511.2
申请日：2014-09-03
申请人： 索尼公司
IPC分类号： G11C16/06
CPC分类号： G11C13/0069 , G11C8/12 , G11C13/0023 , G11C13/0026 , G11C13/0064 , G11C2213/79
摘要： 本公开涉及具有公共源极线屏蔽电路的存储器设备。所述存储器设备包括多个存储器瓦块，每个瓦块包括局部公共源极线(CSL)板、多个位线和多个字线，每个耦接到多个存储器单元；和屏蔽电路，耦接到每个存储器瓦块，以用于基于全局公共源极线控制是否升高局部CSL板和多个位线。
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公开(公告)号：CN102063937B
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201010543544.4
申请日：2010-11-08
申请人： 索尼公司
CPC分类号： G11C16/28 , G11C11/5678 , G11C11/5685 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C13/004 , G11C13/0061 , G11C13/0064 , G11C16/32 , G11C2013/0054 , G11C2013/0073
摘要： 非易失性半导体存储器器件包括：存储器单元件，其中两个电极之间的电荷放电速度根据存储的信息的逻辑而不同；感测放大器，其通过将与所述存储器元件的电极之一连接的布线的放电电势与参考电势相比较来检测信息的逻辑；以及负载电容改变单元，其根据由所述存储器元件读出的信息的逻辑来改变放电电势所输入的所述感测放大器的感测节点的负载电容、或者所述感测节点的负载电容和参考电势所输入的所述感测放大器的参考节点的负载电容两者。
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公开(公告)号：CN101800076B
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201010108132.8
申请日：2010-01-29
申请人： 索尼公司
CPC分类号： G11C13/0011 , G11C13/0061 , G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C2013/0078 , G11C2013/0088 , G11C2213/11 , G11C2213/34 , G11C2213/56 , G11C2213/79
摘要： 本文公开了一种非易失性半导体存储装置及在其上执行校验写入操作的方法，该非易失性半导体存储装置包括多个存储单元和驱动器电路，该驱动器电路被配置成以周期执行校验写入操作，包括从多个存储单元的阵列中选择用于构成写入单元单位的预定数量的存储单元、将数据集体地写入预定数量的存储单元以及校验写入的数据，该驱动器电路还重复地执行校验写入操作，直到写入单元单位内的所有存储单元都通过了校验为止。
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公开(公告)号：CN102332294A
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN201110148036.0
申请日：2011-06-01
申请人： 索尼公司
CPC分类号： H01L45/085 , G11C13/0026 , G11C13/0069 , G11C2213/79 , G11C2213/82 , H01L27/2436 , H01L45/1233 , H01L45/1266
摘要： 本发明涉及电阻变化型随机存取存储器装置。该电阻变化型随机存取存储器装置包括：存储器单元阵列，多个存储器单元以二维形式布置在存储器单元阵列中，存储器单元的电流路径具有串联连接的存取晶体管和可变电阻元件；多个位线；多个电源线；及多个字线，其控制存取晶体管的导通和非导通，其中，字线相邻设置的两个存储器单元共享位线接触部，从而形成存储器单元对，连接到两个相邻位线的所有存储器单元对通过各电源线接触部连接到对应的电源线，且电源线由位线的布线层上方的布线层构成，电源线的间隔大于位线的间隔。本发明能够提供降低每存储器单元的单位面积并防止布线加工的产率降低的电阻变化型随机存取存储器装置。
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公开(公告)号：CN101872643B
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：CN201010151723.3
申请日：2010-04-15
申请人： 索尼公司
发明人： 北川真
CPC分类号： G11C13/0009 , G11C13/004 , G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C2013/0054 , G11C2013/0092 , G11C2213/11 , G11C2213/34 , G11C2213/56 , G11C2213/79
摘要： 本发明公开了可变电阻存储器器件及其操作方法。该可变电阻存储器器件包括：存储单元；第一配线；第二配线；驱动/控制部件；以及灵敏放大器。
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公开(公告)号：CN102789810A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201210146985.X
申请日：2012-05-11
申请人： 索尼公司
CPC分类号： G11C13/0007 , G11C13/0011 , G11C13/0061 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C2213/56 , G11C2213/79
摘要： 在这里所公开的是一种可变电阻存储器装置，包括：第一公用线；第二公用线；储存元件，连接在所述第一公用线与所述第二公用线之间，以充当其电阻根据向其施加的电压而改变的储存元件；以及驱动控制电路。
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