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公开(公告)号：CN102682856B
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201110434860.2
申请日：2011-12-22
申请人： 海力士半导体有限公司
发明人： 李康悦
IPC分类号： G11C29/56
CPC分类号： G11C29/40 , G11C29/28 , G11C2029/2602
摘要： 本发明提供一种存储器件，包括：第一存储体、第二存储体、多个接口焊盘和数据输出单元，数据输出单元被配置成经由所述多个接口焊盘之中的至少一个接口焊盘输出第一存储体的压缩数据，且随后经由所述一个接口焊盘输出第二存储体的压缩数据。
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公开(公告)号：CN101996682A
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN201010226532.9
申请日：2010-07-08
申请人： M·N·阿布杜拉
发明人： M·N·阿布杜拉
IPC分类号： G11C16/06
CPC分类号： H04L1/0002 , G11C5/02 , G11C5/04 , G11C7/1075 , G11C29/28 , G11C29/783 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2924/15311 , H01L2924/00014
摘要： 存储器模块容置堆叠的存储器设备和存储控制器，每个都具有耦合到环形天线的近场接口以传递空中数据。线圈形成在存储器设备衬底上或铸入塑料模具中，以产生与堆叠的存储器设备和存储控制器相耦合的近场磁。
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公开(公告)号：CN101681305A
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200880007937.4
申请日：2008-03-27
申请人： 提琴存储器公司
发明人： 乔恩·C.R.·班尼特
CPC分类号： G06F3/065 , G06F3/0608 , G06F3/0616 , G06F3/0619 , G06F3/064 , G06F3/0652 , G06F3/0653 , G06F3/0688 , G06F3/0689 , G06F11/1044 , G06F11/1068 , G06F11/1072 , G06F11/1076 , G06F11/108 , G06F12/0246 , G06F12/0866 , G11B20/1833 , G11B2220/60 , G11C16/10 , G11C16/16 , G11C16/26 , G11C29/28 , G11C29/52
摘要： 本发明描述了一种存储系统和使用所述系统的方法，所述存储系统被用于以RAID式的方法存储数据。存储数据包括奇偶校验数据可被检索，以使当不具有奇偶校验数据的存储数据和奇偶校验数据，或来自所有存储模块(除了某一个存储模块之外)的存储数据和奇偶校验数据当中的首个数据被接收时，所述存储数据可被恢复。对于低的写负荷，数据的写入被管理以使在时间间隔内，RAID条带中的存储模块中只有一个存储模块正被写入或擦除。
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公开(公告)号：CN105095124A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510087358.7
申请日：2015-02-25
申请人： 爱思开海力士有限公司
发明人： 金载镒
IPC分类号： G06F13/16
CPC分类号： G11C19/00 , G11C7/1039 , G11C7/106 , G11C7/1063 , G11C7/1087 , G11C7/109 , G11C29/022 , G11C29/28 , G11C29/32 , G11C2207/107 , G11C2207/2254
摘要： 一种半导体存储装置可以包括：数据转换控制块，配置成响应于训练控制信号而控制使能的管道输入控制信号的数量和使能的管道输出控制信号的数量。半导体存储装置还可以包括数据转换块，配置成响应于所述管道输入控制信号和所述管道输出控制信号而接收并行数据且输出串行数据。
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公开(公告)号：CN101625662A
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200810176781.4
申请日：2008-11-18
申请人： 慧国(上海)软件科技有限公司 , 慧荣科技股份有限公司
发明人： 郭武吉
IPC分类号： G06F12/06
摘要： 本发明提供一种用以存取一次级存储器的方法及一种次级存储器装置。该次级存储器装置包含至少一管理单元及一控制器。该管理单元包含多个区块，各该多个区块具有多个存储页，且各该多个存储页具有多个磁区，该次级存储器具有多个不可存取磁区。该控制器用以分析对应于一特殊区块的一写入指令，根据该特殊区块的一状态信息而选取至少一可存取磁区，以及程序化写入该写入指令至该特殊区块，其中该状态信息指示该特殊区块的至少一不可存取磁区。借此，根据该状态信息，该方法及该次级存储器装置不仅可忽略该些不可存取磁区，且亦可增强可用的存储器容量。
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公开(公告)号：CN1921015A
公开(公告)日：2007-02-28
申请号：CN200610115051.4
申请日：2006-08-17
申请人： 赛芬半导体有限公司
IPC分类号： G11C16/26
CPC分类号： G11C16/28 , G11C16/04 , G11C16/0475 , G11C29/02 , G11C29/021 , G11C29/026 , G11C29/28 , G11C29/50 , G11C29/50004
摘要： 一种方法，包括改变用于读取一组存储单元的读取参考电平，其作为不同组存储单元的阈值电压分布中的改变的函数。所述改变步骤包括确定与非易失性存储单元阵列的一组存储单元相关联的一组历史单元的历史读取参考电平，能够正确读取所述一组历史单元，根据第一读取参考电平选择存储器读取参考电平，以及读取所述非易失性存储阵列单元。
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公开(公告)号：CN1819055A
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：CN200510129390.3
申请日：2005-12-07
申请人： 赛芬半导体有限公司
IPC分类号： G11C11/34 , G11C16/06 , G11C7/00 , H01L27/105
CPC分类号： G11C29/28 , G11C16/04 , G11C16/0475 , G11C29/02 , G11C29/021 , G11C29/026 , G11C29/50 , G11C29/50004
摘要： 本发明公开了一种非易失性存储器存储单元的读取方法，包括：改变读取参考电平，用于读取一组存储器存储单元，作为不同组存储器存储单元的阈值电压分布中的变量函数。其步骤改变包括：确定一个历史读取参考电平用于至少一个历史存储单元的正确读取，根据第一个读取参考电平，选择一个存储器读取参考电平，然后读取至少一个正在使用存储器读取参考电平的历史存储单元相关的非易失性存储器阵列单元。本发明达到了在各种操作条件下对非易失性存储器存储单元精确读取的有益效果。
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公开(公告)号：CN86107558A
公开(公告)日：1987-06-17
申请号：CN86107558
申请日：1986-12-09
申请人： 国际标准电气有限公司
发明人： 史蒂文·格雷戈里·莫顿
IPC分类号： G06F15/16
CPC分类号： G06F11/2051 , G01R31/318505 , G06F15/8007 , G11C29/28
摘要： 一种单元阵列处理机，由至少两个并行处理机 构成地址发生器，可对阵列芯片外的大量存储器编 地址，并对本身产生一个地址，以便与每个处理机联 系的动态随机存取存储器使用该地址发生器的号 码，可减少地址译码逻辑线路的数量和存储器的功 耗。内部宽度为256位宽的存储器为16个16位处理机 提供256位数据，并与其合在一块芯片上，可省去大 量引线。处理单元包括数据处理单元和地址处理单 元，具有互换性，可提高仪器的成品率和可靠性。
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公开(公告)号：CN107945828A
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201710662778.2
申请日：2017-08-04
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
发明人： 亚图尔·卡托克
IPC分类号： G11C11/413 , G11C7/18 , G11C8/14
CPC分类号： G11C29/027 , G11C11/417 , G11C11/419 , G11C17/16 , G11C17/18 , G11C29/12 , G11C29/28 , G11C29/78 , G11C11/413 , G11C7/18 , G11C8/14
摘要： 本揭露涉及可调整辅助电路的存储器电路。本发明实施例涉及一种存储器装置，其包含：存储器阵列，其包括多个位，其中所述多个位中的第一位耦合到第一辅助电路；测试引擎，其耦合到所述存储器阵列，且经配置以检查各位是否为功能性的；和辅助电路调整ACT电路，其耦合到所述存储器阵列和所述测试引擎，且经配置以响应于所述检查而选择性地启动所述第一辅助电路。
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