-
公开(公告)号：CN113471233B
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202110694615.9
申请日：2016-02-12
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146 , H04N5/359 , H04N5/374
Abstract: 本技术涉及能够减少噪声的固态图像感测装置及电子装置。所述固态图像感测装置包括：光电转换单元；电荷保持单元，用于保持从光电转换单元转移的电荷；第一转移晶体管，用于将来自光电转换单元的电荷转移到电荷保持单元；和遮光部，包括第一遮光部和第二遮光部，其中第一遮光部布置在与作为光电转换单元的光接收表面的第一表面相对的第二表面和电荷保持单元之间并覆盖第二表面，且形成有第一开口，以及第二遮光部包围光电转换单元的侧表面。本技术适用于例如背面照射型固态图像感测装置。
-
公开(公告)号：CN113437105A
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202110694618.2
申请日：2016-02-12
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146 , H04N5/359 , H04N5/374
Abstract: 本技术涉及能够减少噪声的固态图像感测装置及电子装置。所述固态图像感测装置包括：光电转换单元；电荷保持单元，用于保持从光电转换单元转移的电荷；第一转移晶体管，用于将来自光电转换单元的电荷转移到电荷保持单元；和遮光部，包括第一遮光部和第二遮光部，其中第一遮光部布置在与作为光电转换单元的光接收表面的第一表面相对的第二表面和电荷保持单元之间并覆盖第二表面，且形成有第一开口，以及第二遮光部包围光电转换单元的侧表面。本技术适用于例如背面照射型固态图像感测装置。
-
公开(公告)号：CN111799288A
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN202010552753.9
申请日：2014-06-20
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146 , H01L31/0203 , H01L31/0232 , H01L31/10 , H04N5/225 , H04N5/359 , H04N5/369 , H04N5/374 , H04N9/04 , G02B1/118
Abstract: 本发明涉及光检测器件以及电子装置。该光检测器件包括：半导体基板，其光接收表面包含第一蛾眼结构和第二蛾眼结构；位于半导体基板中的第一光电转换区域；位于半导体基板中的第二光电转换区域，其邻近所述第一光电转换区域；沟槽，其布置在第一和第二光电转换区域之间；第一滤色器，其布置在第一蛾眼结构上方；和第二滤色器，其布置在第二蛾眼结构上方，其中，第一光电转换区域构造为接收穿过第一滤色器和第一蛾眼结构的第一光，且第二光电转换区域构造为接收穿过第二滤色器和第二蛾眼结构的第二光，其中，第一滤色器的峰值光谱灵敏度不同于第二滤色器，且其中，第一和第二蛾眼结构具有相同形状。本发明能够抑制混色恶化并提高灵敏度。
-
公开(公告)号：CN103247642B
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201310028975.0
申请日：2013-01-25
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146 , H04N5/359
CPC classification number: H01L31/0216 , H01L27/14603 , H01L27/14609 , H01L27/14623 , H01L27/14641 , H01L27/14689 , H01L31/0224 , H04N5/3591 , H04N5/37452
Abstract: 本公开提供一种固态成像装置及其制造方法和电子设备。该固态成像装置包括像素阵列部，在该像素阵列部中多个单元像素布置在半导体基板上，该多个单元像素的每个包括基于接收的光量产生且累积光电荷的光电转换部和累积该光电荷的电荷累积部，其中靠近光进入该电荷累积部的单元像素的入射侧的电极的至少一部分由用作遮光膜的金属膜形成。
-
公开(公告)号：CN105938841A
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201610464117.4
申请日：2013-01-11
Applicant: 索尼公司
Inventor： 宫波勇树
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14623 , H01L27/1462 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/1463 , H01L27/14636 , H01L27/14638 , H01L27/1464 , H01L27/14641 , H01L27/14643 , H01L27/14645 , H01L27/14685 , H01L27/14689 , H04N5/2253 , H04N5/3575 , H04N5/376 , H04N5/378 , H04N9/04
Abstract: 本发明涉及能够更可靠地抑制混色的发生的成像装置以及包括该成像装置的电子设备。该成像装置包括：半导体基板，其包括第一光电转换单元、第二光电转换单元以及布置在所述第一光电转换单元与所述第二光电转换单元之间的沟槽；绝缘膜，其布置在所述半导体基板的光接收侧；以及遮光部，其中，所述第一光电转换单元相邻于所述第二光电转换单元，所述绝缘膜在对应于所述沟槽的位置处包括大致V形的部分，并且所述遮光部布置在所述绝缘膜的所述大致V形的部分上方。本发明可应用于例如背面照射CMOS型固态成像元件。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102867835A
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201210216721.7
申请日：2012-06-27
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146 , H04N5/335
CPC classification number: H01L27/1463 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/14627 , H01L27/1464 , H01L27/14641 , H01L27/14689 , H01L27/14692
Abstract: 本发明公开了固体摄像器件、其制造方法以及电子装置。该固体摄像器件包括：光电转换部，其包括形成在半导体层中的第一导电型的电荷累积区；像素，其包括所述光电转换部以及像素晶体管；像素区域，其中布置有多个所述像素；第一导电型的外延生长半导体层，其形成在沟槽的内壁部上，所述沟槽设置于所述像素区域内至少相邻像素之间的所述半导体层中；以及像素分离部，其用于使所述相邻像素的电荷累积区彼此分离，所述像素分离部形成在所述第一导电型的外延生长半导体层的内侧上。本发明的固体摄像器件能够减小像素分离部的宽度并增加光电转换部的面积。
-
公开(公告)号：CN111799284A
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN202010493596.9
申请日：2014-06-20
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146 , H01L31/0203 , H01L31/0232 , H01L31/10 , H04N5/225 , H04N5/359 , H04N5/369 , H04N5/374 , H04N9/04 , G02B1/118
Abstract: 本发明涉及能够在抑制混色恶化的同时提高灵敏度的固态成像器件、固态成像器件的制造方法以及电子装置。所述固态成像器件包括：具有蛾眼结构的防反射部，所述防反射部其设置在处于二维地布置的每个像素的光电转换区域的光接收表面侧的界面上；以及用于阻挡入射光的像素间遮光部，其设置在所述防反射部的所述界面下方。另外，所述光电转换区域是半导体区域，且每个所述像素间遮光部具有通过沿深度方向在像素边界处挖掘所述半导体区域获得的沟槽结构。本发明的技术可例如应用于背面照射型固态成像器件。
-
公开(公告)号：CN104284108B
公开(公告)日：2019-01-25
申请号：CN201410287601.5
申请日：2014-06-24
Applicant: 索尼公司
Inventor： 宫波勇树
IPC: H04N5/369 , H01L27/146
Abstract: 一种摄像装置和电子设备。该摄像装置包括位于硅层上的：光电二极管，设置于每个像素以执行光电转换，从而根据光接收量产生电荷；浮置扩散部分，构造为存储光电二极管产生的电荷；以及晶体管，构造为以与浮置扩散部分中存储的电荷水平相对应的电压而输出像素信号，其中摄像装置还包括密封腔部分，密封腔部分位于硅层内并位于浮置扩散部分的下侧和晶体管的沟道体区域的下侧的至少之一。
-
公开(公告)号：CN105428381A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201510933280.6
申请日：2012-02-20
Applicant: 索尼公司
Inventor： 宫波勇树
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明涉及一种固体摄像装置及其制造方法和电子设备。所述固体摄像装置包括半导体基板，其具有作为感光侧的第一侧以及与所述第一侧相对的第二侧；多个光电转换部，其设置在所述半导体基板中；像素分离部，其设置在所述多个光电转换部中的光电转换部之间；布线层，其设置为邻近于所述半导体基板的所述第二侧；氧化硅层，其设置为邻近于所述半导体基板的所述第一侧；遮光部，其设置为对应于所述像素分离部；以及滤色器，其中，在横截面上，所述遮光部设置在所述滤色器和所述氧化硅层之间，所述像素分离部包括第一材料和第二材料。本发明能够提高拍摄图像的质量等。
-
公开(公告)号：CN102856333A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201210206114.2
申请日：2012-06-18
Applicant: 索尼公司
Inventor： 宫波勇树
IPC: H01L27/146 , H04N5/335 , H04N5/374
CPC classification number: H01L27/1464 , H01L27/14603 , H01L27/14643 , H01L27/14647 , H01L27/14687 , H01L27/14689
Abstract: 本发明提供了一种固体摄像装置、其制造方法以及电子设备，所述固体摄像装置包括：半导体基板、连接部以及形成在半导体基板中的一个以上第一光电转换单元。半导体基板具有背面侧和正面侧。背面侧为光入射面，且正面侧为电路形成面。连接部连接至用于将半导体基板的背面侧生成的信号电荷传送至半导体基板中的接触插头。连接部在半导体基板的背面侧的半导体基板的界面附近具有杂质浓度分布的峰值。本发明能够在在半导体基板的背面侧的半导体基板中形成高浓度的杂质区。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
45
records
(took 0.029 seconds)
