半导体装置和制造方法
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110190076A

    公开(公告)日:2019-08-30

    申请号:CN201910445485.8

    申请日:2014-03-14

    Applicant: 索尼公司

    Abstract: 一种半导体装置,包括:第一基板,具有暴露第一电极和第一绝缘膜的接合表面;绝缘薄膜,覆盖该第一基板的该接合表面;以及第二基板,具有暴露第二电极第二绝缘膜的接合表面,在该第二基板的该接合表面和该第一基板的该接合表面接合在一起并在该第二基板的该接合表面和该第一基板的该接合表面之间夹设该绝缘薄膜的状态下该第二基板接合到该第一基板,该第一电极和该第二电极将该绝缘薄膜的一部分变形并且破坏以使该第一电极和该第二电极彼此直接电连接。还公开了半导体装置的制造方法。

    半导体装置和固体摄像器件

    公开(公告)号:CN105580136B

    公开(公告)日:2021-02-19

    申请号:CN201480053552.7

    申请日:2014-09-19

    Applicant: 索尼公司

    Abstract: 本技术涉及能够以更简单的方式来提高抗裂性的半导体装置和固体摄像器件。所述半导体装置具有:上侧基板,其包括Si基板和层叠于该Si基板上的布线层;以及下侧基板,其包括Si基板和层叠于该Si基板上的布线层,所述下侧基板被接合至所述上侧基板。此外,在所述上侧基板中形成有引线接合用或探测用焊盘,而且,在位于所述引线接合用或探测用焊盘与所述下侧基板的所述Si基板之间的各个所述布线层中以呈放射状层叠的方式设置有用于保护所述引线接合用或探测用焊盘的拐角部分或侧边部分的焊盘。本技术能够被应用于固体摄像器件。

    半导体装置和制造方法
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110211979A

    公开(公告)日:2019-09-06

    申请号:CN201910468930.2

    申请日:2014-03-14

    Applicant: 索尼公司

    Abstract: 一种半导体装置,包括:第一基板,具有暴露第一电极和第一绝缘膜的接合表面;绝缘薄膜,覆盖该第一基板的该接合表面;以及第二基板,具有暴露第二电极第二绝缘膜的接合表面,在该第二基板的该接合表面和该第一基板的该接合表面接合在一起并在该第二基板的该接合表面和该第一基板的该接合表面之间夹设该绝缘薄膜的状态下该第二基板接合到该第一基板,该第一电极和该第二电极将该绝缘薄膜的一部分变形并且破坏以使该第一电极和该第二电极彼此直接电连接。还公开了半导体装置的制造方法。

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