公开(公告)号：CN107104116A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201611235106.5

申请日：2011-09-07

Applicant: 索尼公司

Inventor： 小林正治 ,  工藤义治 ,  佐野拓也

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/225 ,  H04N5/369 ,  H04N5/374

Abstract: 本发明公开了固体摄像器件和电子装置。所述固体摄像器件包括：像素区域，形成于第一基板的光入射侧，且在像素区域中布置有多个包括光电转换单元的像素；电路单元，形成于第二基板中，并位于第一基板中的多个像素之中的至少一个像素的下方；第一多层布线层，包括具有第一布线的第一布线层和具有第二布线的第二布线层；和第二多层布线层，形成在第二基板的一侧，其中，第二多层布线层包括具有第三布线的第三布线层和具有第四布线的第四布线层，且其中，第一基板与第二基板是堆叠的；其中，第一布线位于第二布线的上方，第一多层布线层被配置在像素区域与电路单元之间，且在第一方向上延伸的第一布线与在第一方向上延伸的第二布线重叠。

公开(公告)号：CN102404514B

公开(公告)日：2018-06-12

申请号：CN201110263394.6

申请日：2011-09-07

Applicant: 索尼公司

Inventor： 小林正治 ,  工藤义治 ,  佐野拓也

IPC: H04N5/335 ,  H04N5/374 ,  H01L27/146 ,  H04N5/247

CPC classification number: H01L27/14623 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14605 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14629 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14645 ,  H04N5/2253 ,  H04N5/2254 ,  H04N5/369 ,  H04N5/374

Abstract: 本发明公开了固体摄像器件和电子装置。所述固体摄像器件包括：像素区域，所述像素区域形成在基板的光入射侧并且在所述像素区域上布置有多个包括光电转换单元的像素；周边电路单元，所述周边电路单元形成在所述像素区域的所述基板深度方向的下部中并且含有有源元件；以及遮光部件，所述遮光部件形成在所述像素区域与所述周边电路单元之间并且遮蔽当所述有源元件工作时从所述有源元件出射的光使其无法入射到所述光电转换单元上。所述电子装置包括光学系统、信号处理电路以及上述固体摄像器件。本发明能够抑制从有源元件出射的光透射到光电转换单元中，从而固体摄像器件的提高图像质量。

公开(公告)号：CN108111786A

公开(公告)日：2018-06-01

申请号：CN201810048431.3

申请日：2011-09-07

Applicant: 索尼公司

Inventor： 小林正治 ,  工藤义治 ,  佐野拓也

IPC: H04N5/369 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14623 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14605 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14629 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14645 ,  H04N5/2253 ,  H04N5/2254 ,  H04N5/369 ,  H04N5/374

Abstract: 本发明公开了摄像器件和电子装置。所述摄像器件包括：多个光电转换单元，形成在第一半导体层中；电路单元，形成在第二半导体层中，其中，电路单元位于第一半导体层中的多个光电转换单元的至少一个光电转换单元的下方；第一多层布线层，形成在第一半导体层的第一侧，第一多层布线层包括具有第一布线的第一布线层和具有第二布线的第二布线层；以及第二多层布线层，形成在第二半导体层的第一侧，第二多层布线层包括具有第三布线的第三布线层和具有第四布线的第四布线层，其中，第一布线位于第二布线的上方，第一多层布线层布置在多个光电转换单元与电路单元之间，并且在第一方向上延伸的第一布线与在第一方向上延伸的第二布线重叠。

公开(公告)号：CN107833898A

公开(公告)日：2018-03-23

申请号：CN201711039489.3

申请日：2013-01-25

Applicant: 索尼公司

Inventor： 小林正治 ,  工藤义治 ,  佐野拓也

IPC: H01L27/146 ,  H01L31/02 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0232

CPC classification number: H01L31/02327 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14638 ,  H01L27/1464 ,  H01L31/02005 ,  H01L31/02164 ,  H01L31/0224

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件和电子设备，其使得能够提供能够最小化由于漏入的光而生成的噪声的半导体器件。配置该半导体器件，以便提供有光接收元件(34)、用于信号处理的有源元件、以及光接收元件(34)和有源元件之间的、由在有源元件之上提供覆盖的布线(45、46)构成的光遮挡结构。半导体器件进一步提供有例如其上形成光接收元件的第一基底、其上形成有源元件第二基底、以及具有在第二基底上由布线构成的光遮挡结构的布线层。第二基底可以经由布线层连接到第一基底。

公开(公告)号：CN104081527B

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201380006945.8

申请日：2013-01-25

Applicant: 索尼公司

Inventor： 小林正治 ,  工藤义治 ,  佐野拓也

IPC: H01L27/146 ,  H01L27/14

CPC classification number: H01L31/02327 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14638 ,  H01L27/1464 ,  H01L31/02005 ,  H01L31/02164 ,  H01L31/0224

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件和电子设备，其使得能够提供能够最小化由于漏入的光而生成的噪声的半导体器件。配置该半导体器件，以便提供有光接收元件(34)、用于信号处理的有源元件、以及光接收元件(34)和有源元件之间的、由在有源元件之上提供覆盖的布线(45、46)构成的光遮挡结构。半导体器件进一步提供有例如其上形成光接收元件的第一基底、其上形成有源元件第二基底、以及具有在第二基底上由布线构成的光遮挡结构的布线层。第二基底可以经由布线层连接到第一基底。

公开(公告)号：CN102404514A

公开(公告)日：2012-04-04

申请号：CN201110263394.6

申请日：2011-09-07

Applicant: 索尼公司

Inventor： 小林正治 ,  工藤义治 ,  佐野拓也

IPC: H04N5/335 ,  H04N5/374 ,  H01L27/146 ,  H04N5/225

CPC classification number: H01L27/14623 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14605 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14629 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14645 ,  H04N5/2253 ,  H04N5/2254 ,  H04N5/369 ,  H04N5/374

Abstract: 本发明公开了固体摄像器件和电子装置。所述固体摄像器件包括：像素区域，所述像素区域形成在基板的光入射侧并且在所述像素区域上布置有多个包括光电转换单元的像素；周边电路单元，所述周边电路单元形成在所述像素区域的所述基板深度方向的下部中并且含有有源元件；以及遮光部件，所述遮光部件形成在所述像素区域与所述周边电路单元之间并且遮蔽当所述有源元件工作时从所述有源元件出射的光使其无法入射到所述光电转换单元上。所述电子装置包括光学系统、信号处理电路以及上述固体摄像器件。本发明能够抑制从有源元件出射的光透射到光电转换单元中，从而固体摄像器件的提高图像质量。

公开(公告)号：CN113224096A

公开(公告)日：2021-08-06

申请号：CN202110429058.8

申请日：2014-10-24

Applicant: 索尼公司

Inventor： 小林正治 ,  岩渊信 ,  柴山利一 ,  铃木守 ,  丸山俊介

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/357 ,  H04N5/374

Abstract: 本发明涉及半导体装置、固态成像元件和电子设备。其中，半导体装置可包括：在其中形成多个元件的元件形成单元；和叠置在所述元件形成单元上并且形成有连接所述元件的配线的配线单元，其中以下各部件配置在所述元件形成单元中被构造成受光影响的无源元件，形成配置在所述无源元件周围的周边电路的有源元件，和形成在所述无源元件和所述有源元件之间的构造物，使得在所述元件形成单元的厚度方向上所述构造物的前端与所述元件形成单元的背面或前面之间的间隙为短波长400nm以下的规定间隔，并且由抑制光传播的材料形成，并且其中在平面图中，形成一个或多个所述构造物的构造物形成区域包围形成所述有源元件的区域。

公开(公告)号：CN105531822A

公开(公告)日：2016-04-27

申请号：CN201480048183.2

申请日：2014-10-24

Applicant: 索尼公司

Inventor： 小林正治 ,  岩渊信 ,  柴山利一 ,  铃木守 ,  丸山俊介

IPC: H01L27/146 ,  H01L27/14 ,  H04N5/357 ,  H04N5/374

CPC classification number: H01L27/14629 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L31/09 ,  H04N5/357 ,  H04N5/374

Abstract: 本公开涉及一种可以抑制由于热载流子发光造成的不利影响的半导体装置、固态成像元件和电子设备。本发明中，在其中形成多个元件的元件形成单元和形成有连接所述元件的配线的配线单元被叠置。构造物形成在接收光并进行光电转换的光接收元件和形成配置在所述光接收元件周围的周边电路的有源元件之间，使得在所述元件形成单元的厚度方向上的间隙不超过规定间隔，并且由抑制光传播的材料形成。本技术例如可以适用于背面照射型固态成像元件。

公开(公告)号：CN104081527A

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：CN201380006945.8

申请日：2013-01-25

Applicant: 索尼公司

Inventor： 小林正治 ,  工藤义治 ,  佐野拓也

IPC: H01L27/146 ,  H01L27/14

CPC classification number: H01L31/02327 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14638 ,  H01L27/1464 ,  H01L31/02005 ,  H01L31/02164 ,  H01L31/0224

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件和电子设备，其使得能够提供能够最小化由于漏入的光而生成的噪声的半导体器件。配置该半导体器件，以便提供有光接收元件(34)、用于信号处理的有源元件、以及光接收元件(34)和有源元件之间的、由在有源元件之上提供覆盖的布线(45、46)构成的光遮挡结构。半导体器件进一步提供有例如其上形成光接收元件的第一基底、其上形成有源元件第二基底、以及具有在第二基底上由布线构成的光遮挡结构的布线层。第二基底可以经由布线层连接到第一基底。

公开(公告)号：CN104009038A

公开(公告)日：2014-08-27

申请号：CN201410054310.1

申请日：2014-02-18

Applicant: 索尼公司

Inventor： 小林正治 ,  柳泽佑辉

IPC: H01L27/112 ,  H01L21/8246 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76838 ,  H01L21/76895 ,  H01L23/5252 ,  H01L27/101 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及半导体器件以及制造该半导体器件的方法。所述半导体器件包括：半导体层，其具有第一导电型；一对第一电极，它们彼此分隔开地布置在所述半导体层中；第二电极，其设置在所述半导体层上并位于所述一对第一电极之间，在所述第二电极与所述半导体层之间具有介电膜；以及一对连接部，它们分别电连接到所述一对第一电极，其中，所述一对第一电极中的一者或两者被划分成第一区域和第二区域，所述第一区域与第二区域经由桥连部连接。利用本发明的半导体器件能够在防止接触部烧毁的同时减小半导体器件的面积。