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公开(公告)号：CN101800232B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201010107222.5
申请日：2010-02-01
Applicant: 索尼公司
Inventor： 岩渊信
IPC: H01L27/146 , H01L21/322
CPC classification number: H01L27/14698 , H01L21/3221 , H01L21/76256 , H01L27/1203 , H01L27/14609 , H01L27/14632 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14685 , H01L27/14689 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了固态摄像装置及其制作方法、摄像设备、半导体装置及其制作方法以及半导体衬底。提供了一种固态摄像装置，包括：半导体衬底主体，包括设置在其上层上的元件形成层和吸杂层；光电转换元件，每个光电转换元件都包括设置在元件形成层中的第一传导型区域以及；电介质膜，其设置在吸杂层的上层上并且在吸杂层的表面中感应出第二传导型区域。
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公开(公告)号：CN102446934B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201110300013.7
申请日：2011-09-30
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1464 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L24/05 , H01L27/14636 , H01L27/14645 , H01L27/14689 , H01L2224/04042 , H01L2224/48463 , H01L2924/12043 , H01L2924/14 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及固态摄像器件及其制造方法和采用该固态摄像器件的电子装置。所述固态摄像器件包括：基板，在所述基板中形成有多个像素，所述像素包括光电转换器；布线层，其包括多层的布线，所述布线经由层间绝缘膜形成在所述基板的前表面侧；基电极焊盘部，其包括形成在所述布线层中的所述布线的一部分；开口，其从所述基板的后表面侧起贯穿所述基板并到达所述基电极焊盘部；以及埋入电极焊盘层，其通过化学镀膜法形成为埋入所述开口中。根据本发明，能够获得包括可实现稳定接合的电极焊盘的固态摄像器件，并能够获得其片上透镜的形状得到优化的固态摄像器件。
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公开(公告)号：CN113224096A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202110429058.8
申请日：2014-10-24
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146 , H04N5/357 , H04N5/374
Abstract: 本发明涉及半导体装置、固态成像元件和电子设备。其中，半导体装置可包括：在其中形成多个元件的元件形成单元；和叠置在所述元件形成单元上并且形成有连接所述元件的配线的配线单元，其中以下各部件配置在所述元件形成单元中被构造成受光影响的无源元件，形成配置在所述无源元件周围的周边电路的有源元件，和形成在所述无源元件和所述有源元件之间的构造物，使得在所述元件形成单元的厚度方向上所述构造物的前端与所述元件形成单元的背面或前面之间的间隙为短波长400nm以下的规定间隔，并且由抑制光传播的材料形成，并且其中在平面图中，形成一个或多个所述构造物的构造物形成区域包围形成所述有源元件的区域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105531822A
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201480048183.2
申请日：2014-10-24
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146 , H01L27/14 , H04N5/357 , H04N5/374
CPC classification number: H01L27/14629 , H01L27/14603 , H01L27/14612 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/14625 , H01L27/14627 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L31/09 , H04N5/357 , H04N5/374
Abstract: 本公开涉及一种可以抑制由于热载流子发光造成的不利影响的半导体装置、固态成像元件和电子设备。本发明中，在其中形成多个元件的元件形成单元和形成有连接所述元件的配线的配线单元被叠置。构造物形成在接收光并进行光电转换的光接收元件和形成配置在所述光接收元件周围的周边电路的有源元件之间，使得在所述元件形成单元的厚度方向上的间隙不超过规定间隔，并且由抑制光传播的材料形成。本技术例如可以适用于背面照射型固态成像元件。
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公开(公告)号：CN101800232A
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN201010107222.5
申请日：2010-02-01
Applicant: 索尼公司
Inventor： 岩渊信
IPC: H01L27/146 , H01L27/02 , H01L21/82 , H01L21/02 , G02F1/1362 , G02F1/1368
CPC classification number: H01L27/14698 , H01L21/3221 , H01L21/76256 , H01L27/1203 , H01L27/14609 , H01L27/14632 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14685 , H01L27/14689 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了固态摄像装置及其制作方法、摄像设备、半导体装置及其制作方法以及半导体衬底。提供了一种固态摄像装置，包括：半导体衬底主体，包括设置在其上层上的元件形成层和吸杂层；光电转换元件，每个光电转换元件都包括设置在元件形成层中的第一传导型区域以及；电介质膜，其设置在吸杂层的上层上并且在吸杂层的表面中感应出第二传导型区域。
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公开(公告)号：CN102446934A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201110300013.7
申请日：2011-09-30
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1464 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L24/05 , H01L27/14636 , H01L27/14645 , H01L27/14689 , H01L2224/04042 , H01L2224/48463 , H01L2924/12043 , H01L2924/14 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及固态摄像器件及其制造方法和采用该固态摄像器件的电子装置。所述固态摄像器件包括：基板，在所述基板中形成有多个像素，所述像素包括光电转换器；布线层，其包括多层的布线，所述布线经由层间绝缘膜形成在所述基板的前表面侧；基电极焊盘部，其包括形成在所述布线层中的所述布线的一部分；开口，其从所述基板的后表面侧起贯穿所述基板并到达所述基电极焊盘部；以及埋入电极焊盘层，其通过化学镀膜法形成为埋入所述开口中。根据本发明，能够获得包括可实现稳定接合的电极焊盘的固态摄像器件，并能够获得其片上透镜的形状得到优化的固态摄像器件。
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公开(公告)号：CN113192995B
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202110498741.7
申请日：2014-10-24
Applicant: 索尼公司
IPC: H10F39/12 , H10F77/00 , H04N25/772 , H04N25/65 , H04N25/616
Abstract: 本发明涉及半导体装置和成像元件。其中，半导体装置可包括：元件形成单元；和配线单元，所述配线单元叠置在所述元件形成单元上，其中，所述元件形成单元中形成有无源元件、有源元件和构造物，所述无源元件配置为受光影响，所述有源元件位于形成在所述无源元件周围的周边电路中，且在所述元件形成单元的截面图中，所述构造物位于所述无源元件和所述有源元件之间。
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公开(公告)号：CN113192995A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN202110498741.7
申请日：2014-10-24
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146 , H04N5/357 , H04N5/374
Abstract: 本发明涉及半导体装置和成像元件。其中，半导体装置可包括：元件形成单元；和配线单元，所述配线单元叠置在所述元件形成单元上，其中，所述元件形成单元中形成有无源元件、有源元件和构造物，所述无源元件配置为受光影响，所述有源元件位于形成在所述无源元件周围的周边电路中，且在所述元件形成单元的截面图中，所述构造物位于所述无源元件和所述有源元件之间。
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