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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108463930A
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201680077617.0
申请日：2016-12-27
Applicant: 索尼公司
Abstract: 根据本发明的实施方式的半导体发光器件设置有n型半导体层、p型半导体层和设置在n型半导体层和p型半导体层之间并且具有多个阱层的有源层。在包含于有源层中的多个阱层中，位于相对靠近p型半导体层的第二阱层的带隙倾斜角θ1小于位于相对靠近n型半导体层的第一阱层的带隙倾斜角θ2。
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公开(公告)号：CN102054671A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN201010516976.6
申请日：2010-10-19
Applicant: 索尼公司
CPC classification number: H01L33/16 , H01L33/007 , H01L33/32 , H01S5/3013
Abstract: 本发明涉及一种半导体器件的制造方法及半导体器件。在半导体器件的制造方法中，该方法包括不生长缓冲层而在衬底上直接生长(形成器件结构的)氮化物类III-V族化合物半导体层的步骤，该衬底由具有六方晶体结构的材料制成和并具有主面，该主面被定向为关于C轴方向偏离R-面不小于-0.5°且不大于0°的角度。
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公开(公告)号：CN108463930B
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201680077617.0
申请日：2016-12-27
Applicant: 索尼公司
Abstract: 根据本发明的实施方式的半导体发光器件设置有n型半导体层、p型半导体层和设置在n型半导体层和p型半导体层之间并且具有多个阱层的有源层。在包含于有源层中的多个阱层中，位于相对靠近p型半导体层的第二阱层的带隙倾斜角θ1小于位于相对靠近n型半导体层的第一阱层的带隙倾斜角θ2。
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公开(公告)号：CN102195235A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201110044656.X
申请日：2011-02-22
Applicant: 索尼公司
IPC: H01S5/40
CPC classification number: H01S5/22 , B82Y20/00 , G11B7/1275 , H01S5/02272 , H01S5/02461 , H01S5/02476 , H01S5/0425 , H01S5/2214 , H01S5/3432 , H01S5/34326 , H01S5/34333 , H01S5/4043 , H01S5/4087 , H01S2301/18
Abstract: 本发明提供一种发光装置和光学设备，包括：支撑基底；第一发光元件，提供在支撑基底的一个表面侧，并且具有第一基板；以及第二发光元件，提供在第一发光元件和支撑基底之间，并且具有第二基板，其在第二基板的第一发光元件侧具有作为半导体层的发光部以及该发光部之外的周边部分，并且在周边部分中具有由导热性高于半导体层的材料形成的埋设层。
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公开(公告)号：CN102054671B
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201010516976.6
申请日：2010-10-19
Applicant: 索尼公司
CPC classification number: H01L33/16 , H01L33/007 , H01L33/32 , H01S5/3013
Abstract: 本发明涉及一种半导体器件的制造方法及半导体器件。在半导体器件的制造方法中，该方法包括不生长缓冲层而在衬底上直接生长(形成器件结构的)氮化物类III-V族化合物半导体层的步骤，该衬底由具有六方晶体结构的材料制成和并具有主面，该主面被定向为关于C轴方向偏离R-面不小于-0.5°且不大于0°的角度。
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