公开(公告)号：CN108233168A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201711319193.7

申请日：2017-12-12

申请人： 发那科株式会社

发明人： 贯井亨

IPC分类号： H01S5/024 ,  H01S5/068

CPC分类号： H01S5/02423 ,  H01S5/02438 ,  H01S5/02453 ,  H01S5/02461 ,  H01S5/0612 ,  H01S5/0617 ,  H01S5/06804 ,  H01S5/06825 ,  H01S5/06837 ,  H01S5/4025

摘要： 本发明涉及能够通过检测对发热部进行冷却的冷却构件的温度来探测发热部的过度的升温异常的激光装置。该激光装置具备：一个或多个发热部；一个或多个冷却构件，所述一个或多个冷却构件以分别与一个或多个发热部抵接的方式被配置，制冷剂在所述一个或多个冷却构件的内部流动；一个或多个第一温度检测部，所述一个或多个第一温度检测部被分别设置于一个或多个冷却构件，来分别检测所述一个或多个冷却构件的温度；以及监视部，其能够基于包括由一个或多个第一温度检测部检测出的温度的信息的温度信息来分别探测一个或多个冷却构件的异常。

公开(公告)号：CN104040809B

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201380004402.2

申请日：2013-03-05

申请人： 松下知识产权经营株式会社

发明人： 吉田隆幸 ,  上田直人 ,  大森弘治 ,  本藤拓磨 ,  笠井辉明

IPC分类号： H01S5/022

CPC分类号： H01S5/02461 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29144 ,  H01S5/0226 ,  H01S5/02268 ,  H01S5/02272 ,  H01S5/02469 ,  H01S5/02492 ,  H01S5/028 ,  H01S5/2231 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01047

摘要： 本发明的半导体激光器装置具有：导电性的散热部件、导电性的第1粘合剂、和半导体激光器元件。第1粘合剂设于散热部件之上，半导体激光器元件设于第1粘合剂之上。第1粘合剂在半导体激光器元件的射出激光的发射器端面部之下到达散热部件的侧面上。由此，能进一步提升半导体激光器元件的散热性，并能效率良好地取出来自半导体激光器元件的激光。

公开(公告)号：CN104011950A

公开(公告)日：2014-08-27

申请号：CN201280062546.9

申请日：2012-01-18

申请人： 惠普发展公司 ,  有限责任合伙企业

发明人： 迈克尔·瑞恩·泰·谭 ,  戴维·A·法塔勒 ,  韦恩·V·瑟林 ,  沙吉·V·马塔尔

IPC分类号： H01S5/183 ,  H01S3/067 ,  H01S5/10

CPC分类号： H01S5/423 ,  B82Y20/00 ,  G02B6/12016 ,  G02B6/12019 ,  G02B6/12026 ,  G02B6/124 ,  G02B6/13 ,  G02B2006/12107 ,  G02B2006/12164 ,  H01S5/0215 ,  H01S5/02248 ,  H01S5/02461 ,  H01S5/0268 ,  H01S5/068 ,  H01S5/1092 ,  H01S5/183 ,  H01S5/18319 ,  H01S5/18363 ,  H01S5/18386 ,  H01S5/187 ,  H01S5/3412 ,  H01S5/34313 ,  H01S5/3434 ,  H01S5/4087

摘要： 提供用于高密度激光器光学器件的装置和方法。激光器光学器件装置的示例包括：在单体地集成的阵列中的多个垂直腔表面发射激光器(VCSEL)；高对比度光栅(HCG)，与该多个VCSEL中的每个的垂直腔的孔集成，以使能够发出多个激光发射波长中的单个激光发射波长；以及多个单模波导，每个与光栅耦合器集成，多个单模波导连接至多个集成的VCSEL和HCG中的每个，其中光栅耦合器中的每个对准至一集成的VCSEL和HCG。

公开(公告)号：CN101322291B

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN200780000490.3

申请日：2007-02-02

申请人： 株式会社理光

发明人： 佐藤俊一 ,  原敬 ,  轴谷直人

IPC分类号： H01S5/183 ,  H01S5/42

CPC分类号： H01S5/18358 ,  B41J2/45 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/02461 ,  H01S5/18311 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/34326 ,  H01S5/423 ,  H01S2304/04

摘要： 本发明公开了一种表面发射激光器装置，其包括连接到热沉的基板；由半导体分布式布拉格反射器形成于该基板上的第一反射层；形成为接触该第一反射层的第一腔阻挡层；形成为接触该第一腔阻挡层的有源层；形成为接触该有源层的第二腔阻挡层；以及由半导体分布式布拉格反射器形成为接触该第二腔阻挡层的第二反射层。该第一腔阻挡层包括一半导体材料，该半导体材料的热导率大于形成该第二腔阻挡层的半导体材料的热导率。

公开(公告)号：CN101651287A

公开(公告)日：2010-02-17

申请号：CN200910166719.1

申请日：2009-08-14

申请人： 索尼株式会社

发明人： 前田修 ,  增井勇志 ,  汐先政贵 ,  荒木田孝博 ,  河角孝行

IPC分类号： H01S5/183

CPC分类号： H01S5/18327 ,  H01S5/02461 ,  H01S5/1221 ,  H01S5/18311 ,  H01S5/18358 ,  H01S5/18391 ,  H01S2301/166 ,  H01S2304/02 ,  H01S2304/04

摘要： 本发明提供垂直腔面发射激光器，从基板侧依次包括：第一多层膜反射器；有源层，具有发光区域；第二多层膜反射器；以及反射率调整层。第一多层膜反射器和第二多层膜反射器具有层叠结构，其中振荡波长λ x 的反射率几乎为常数而不依赖于温度变化。有源层由在温度高于常温时获得最大增益的材料制作。反射率调整层具有层叠结构，其中发光区域的中心区域的相对区域的反射率R x 与发光区域的外边缘区域的相对区域的反射率R y 之差ΔR(＝R x -R y )随着温度从常温增加到高温而增加。

公开(公告)号：CN1860599A

公开(公告)日：2006-11-08

申请号：CN03827175.3

申请日：2003-09-19

申请人： 霆激科技股份有限公司

发明人： 康学军 ,  吴大可 ,  爱德华·R·佩里

IPC分类号： H01L21/4763 ,  H01L21/285 ,  H01L23/36 ,  H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L31/024 ,  H01L31/052 ,  H01L31/18 ,  H01S5/024

CPC分类号： H01L21/28575 ,  H01L33/0079 ,  H01L2924/0002 ,  H01S5/0201 ,  H01S5/0213 ,  H01S5/0217 ,  H01S5/02461 ,  H01S5/0421 ,  H01S5/32341 ,  H01L2924/00

摘要： 一种在衬底上制造半导体器件的方法，该半导体具有晶片。所述方法包括的步骤为：(a)将导热金属的籽层施加到所述晶片；(b)在所述籽层上电镀传导金属的比较厚的层；和(c)去除所述衬底。还公开了相应的半导体器件。

公开(公告)号：CN103326241B

公开(公告)日：2018-06-12

申请号：CN201310091755.2

申请日：2013-03-21

申请人： 帕洛阿尔托研究中心公司

发明人： T.万德雷尔 ,  J.E.诺尔思拉普 ,  M.R.蒂普 ,  N.M.约翰逊

IPC分类号： H01S5/183

CPC分类号： H01S5/02461 ,  B82Y20/00 ,  H01S3/109 ,  H01S5/0092 ,  H01S5/02469 ,  H01S5/041 ,  H01S5/141 ,  H01S5/18361 ,  H01S5/18366 ,  H01S5/18369 ,  H01S5/34333

摘要： 结合反射器的光泵浦的激光器结构，所述反射器具有高的反射率并且具有被限制到围绕中心激光辐射波长的相对窄的带的带宽。在一些情况下，所述反射器可以是3/4波长分布式布喇格（Bragg）反射器（DBRs）。

公开(公告)号：CN102088162B

公开(公告)日：2014-10-15

申请号：CN201010574071.4

申请日：2010-12-06

申请人： 夏普株式会社

发明人： 川上俊之 ,  有吉章

IPC分类号： H01S5/026 ,  H01S5/024

CPC分类号： H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/49111 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/0207 ,  H01S5/02212 ,  H01S5/02272 ,  H01S5/02276 ,  H01S5/02461 ,  H01S5/02476 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/16 ,  H01S5/2214 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明公开了一种半导体激光器芯片及其制造方法、半导体激光装置。该半导体激光器芯片的散热性能更加改善。该半导体激光器芯片包括：基板，具有前表面和背表面；氮化物半导体层，形成在基板的前表面上；光波导(脊部分)，形成在氮化物半导体层中；n侧电极，形成在基板的背表面上；以及切口部分，形成在包括基板的区域中且沿光波导(脊部分)行进。切口部分具有切口表面，在切口表面上形成连接到n侧电极的金属层。

公开(公告)号：CN102934300B

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN201180029449.5

申请日：2011-04-06

申请人： 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司

发明人： A.布赖德纳泽尔 ,  A.S.阿夫拉梅斯库 ,  A.莱尔 ,  S.陶茨

IPC分类号： H01S5/028 ,  H01S5/026 ,  H01S5/10 ,  H01S5/024

CPC分类号： H01S5/0078 ,  H01S5/02212 ,  H01S5/02252 ,  H01S5/02461 ,  H01S5/02476 ,  H01S5/0264 ,  H01S5/0286 ,  H01S5/0683 ,  H01S5/1085 ,  H01S5/2022 ,  H01S5/22 ,  H01S2301/18

摘要： 本发明涉及一种用于发出相干电磁辐射（10）、具有垂直远场特征（121）的激光光源，具有用于产生相干电磁辐射的半导体层组（1），在基底（2）上具有有源区（3），其中在运行中至少从射束输出耦合面（4）的主发射区（5）以射束方向（11）发出相干电磁辐射，通过半导体层组（1）的侧面形成射束输出耦合面（4），并且具有过滤元件（13），其在垂直的远场射束轮廓（121）中抑制在运行中产生、来自射束输出耦合面（4）的、与主发射区（5）垂直偏移的且在空间上分离的副发射区（6）发出的相干电磁辐射（12）。

公开(公告)号：CN104040809A

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201380004402.2

申请日：2013-03-05

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 吉田隆幸 ,  上田直人 ,  大森弘治 ,  本藤拓磨 ,  笠井辉明

IPC分类号： H01S5/022

CPC分类号： H01S5/02461 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29144 ,  H01S5/0226 ,  H01S5/02268 ,  H01S5/02272 ,  H01S5/02469 ,  H01S5/02492 ,  H01S5/028 ,  H01S5/2231 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01047

摘要： 本发明的半导体激光器装置具有：导电性的散热部件、导电性的第1粘合剂、和半导体激光器元件。第1粘合剂设于散热部件之上，半导体激光器元件设于第1粘合剂之上。第1粘合剂在半导体激光器元件的射出激光的发射器端面部之下到达散热部件的侧面上。由此，能进一步提升半导体激光器元件的散热性，并能效率良好地取出来自半导体激光器元件的激光。