公开(公告)号：CN103809462A

公开(公告)日：2014-05-21

申请号：CN201310507750.3

申请日：2013-10-24

Applicant: 索尼公司

Inventor： 久保井信行 ,  木下隆

IPC: G05B17/02

CPC classification number: G06F17/5009 ,  G06F2217/16

Abstract: 本发明涉及模拟方法及程序、模拟器、加工设备、和制造半导体装置的方法。所述模拟方法包括：对入射于工件表面上的任意位置上的第一通量从所述位置进行反向追踪，所述工件作为加工处理的对象；在因第一通量的反向追踪结果而使第一通量撞击所述工件的表面上的另一位置的情形中，计算第二通量并从所述另一位置对第二通量进行反向追踪，该第二通量是第一通量通过在所述另一位置处散射而形成；以及通过重复所述计算及对通量的反向追踪，当反向追踪的通量不再撞击所述工件表面时，将该通量与入射于所述工件上的通量的角分布进行比较，且当该当前通量处于所述角分布内时，求出对于从第一通量至该当前通量的通量群组而言发生了所述散射的通量的量。

公开(公告)号：CN103207929A

公开(公告)日：2013-07-17

申请号：CN201310009022.X

申请日：2013-01-10

Applicant: 索尼公司

Inventor： 木下隆

IPC: G06F17/50

CPC classification number: G06F17/50 ,  G06F17/10 ,  G06T17/10 ,  G06T2210/21

Abstract: 提供了一种通过规定材料之间的边界生成三维（3D）形状的方法，包括获取平面中二维（2D）形状的边界线的数值数据，通过基于规定边界的形状的数值数据在与该平面相交的方向上移动该2D形状，并且还通过复制或变形该2D形状而生成下一个2D形状，以及基于生成的2D形状的数据配置实体。

公开(公告)号：CN103514318A

公开(公告)日：2014-01-15

申请号：CN201310247610.7

申请日：2013-06-20

Applicant: 索尼公司

Inventor： 久保井信行 ,  木下隆

IPC: G06F17/50

CPC classification number: G06F17/5009 ,  G06F2217/16

Abstract: 本发明提供具有良好的计算精确度并能够以小的计算负荷进行处理预测的使信息处理装置执行计算的模拟方法、计算机可读介质、处理装置及模拟器，所述计算包括：将多个入射通量中的每一者分解成在相互正交的各个单位向量方向上的通量分量，所述多个入射通量在任意位置处进入处理目标的表面，所述处理目标是预定处理的目标；在所述多个单位向量方向的每一者上对所述通量分量求和；以及将多个通量分量合成为一个向量，所述多个通量分量是在所述各个单位向量方向上的求和且相互正交，从而计算出所述处理目标的所述表面上的所述任意位置处的法向量。

公开(公告)号：CN103452781A

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN201310167717.0

申请日：2013-05-09

Applicant: 索尼公司

Inventor： 本乡一泰 ,  福元康司 ,  木下隆

IPC: F03G7/00

CPC classification number: F03G7/065 ,  F03G7/005 ,  Y10T29/49002

Abstract: 本发明提供一种高分子致动器，包括：彼此面对的一对对向部；和折叠部，所述一对对向部的各一端部通过所述折叠部彼此联接，其中所述一对对向部和所述折叠部由从内侧顺次层叠的内侧电极层、电解质层和外侧电极层构成。因此，在所述一对对向部中分别产生位移，位移彼此相加，并且在所述折叠部中由于弯曲也产生位移。结果，作为整体产生大的位移。因此，在实现结构简单化后，可以增大位移量。本发明还提供一种包括所述高分子致动器的致动器装置、制造所述高分子致动器的方法和制造所述致动器装置的方法。