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公开(公告)号：CN102646689A
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN201210035073.5
申请日：2012-02-16
Applicant: 索尼公司
Inventor： 久保井信行
IPC: H01L27/146 , H04N5/335
CPC classification number: H01L27/14605 , H01L27/1462 , H01L27/14627 , H01L27/1464 , H01L27/14685 , H01L27/14812
Abstract: 提供了成像元件及其制造方法、像素设计方法和电子设备。该成像元件包括：多个像素，以二维排列，并且每个像素都具有包括光电转换元件的光接收部分和采集向着光接收部分的入射光的光采集部分。多个像素中的每个光采集部分都包括在表面上具有取决于像素位置的凸凹结构的光功能层。
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公开(公告)号：CN101853780A
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：CN201010151515.3
申请日：2010-03-23
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L21/00
CPC classification number: G01N23/00 , C23C14/48 , C23C14/54 , H01J37/3023 , H01L21/32137
Abstract: 公开了离子辐射损伤预测方法和仿真器以及离子辐射设备和方法。所述离子辐射损伤预测方法包括参数计算步骤，其通过考虑轰击制造目标的入射离子的传输路径，以及通过采用将入射离子的通量、入射能量和角度的分布作为输入参数的蒙特卡罗方法，来计算所述离子的碰撞位置和入射角度；以及缺陷分布计算步骤，其用于：通过参考在所述参数计算步骤得到的信息以及预先创建的数据库，来针对数据进行检索，其中所述数据库用于存储对所述制造目标具有影响的晶体缺陷量的分布、离子反射概率的分布以及离子穿透深度的分布；基于在检索操作中得到的所述数据以及入射离子的入射能量和角度，得到入射离子的穿透深度和位置；以及根据穿透深度和位置，计算制造目标中缺陷的分布。
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公开(公告)号：CN104065894B
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201410089943.6
申请日：2014-03-12
Applicant: 索尼公司
Inventor： 久保井信行
IPC: H04N5/3745 , H04N5/378 , H04N5/357 , H04N5/232 , H01L27/146
CPC classification number: H04N5/2353 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/14629 , H01L27/1464 , H04N5/2254 , H04N5/23212 , H04N5/238 , H04N5/351 , H04N5/357 , H04N5/3696 , H04N5/3745 , H04N9/045
Abstract: 本发明的实施例公开固态成像装置，固态成像装置的驱动方法以及电子设备。所公开的固态成像装置包括：多个像素，每个像素包括光电转换元件；以及透射率控制元件，设置在多个像素的至少一部分的光电转换元件的光入射侧并且构造为通过外部输入而改变入射光的透射率。
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公开(公告)号：CN102569333A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201110419442.6
申请日：2011-12-15
Applicant: 索尼公司
CPC classification number: H01L27/14643 , G01J3/36 , G01J5/12 , G02B5/008 , H01L31/04 , H01L31/08 , Y02E10/50 , Y10T29/49002
Abstract: 在此提供成像装置、电子装置、光电池和制造成像装置的方法。所述成像装置包含：成像单元，其中接收光接收面上的入射光的多个像素布置在衬底的成像区域中，所述像素包括热电偶器件组，其中多个热电偶沿着光接收面对齐，在所述热电偶器件组中，多个热电偶布置为彼此分离，以使得光接收面具有格栅结构，并且所述热电偶器件组布置为使得入射光入射至格栅结构，从而使得在光接收面上发生等离子体共振，并且由于发生等离子体共振的热电偶器件组的一部分的温度的变化而在多个热电偶的每一个中产生电动势。
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公开(公告)号：CN103809462A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201310507750.3
申请日：2013-10-24
Applicant: 索尼公司
IPC: G05B17/02
CPC classification number: G06F17/5009 , G06F2217/16
Abstract: 本发明涉及模拟方法及程序、模拟器、加工设备、和制造半导体装置的方法。所述模拟方法包括：对入射于工件表面上的任意位置上的第一通量从所述位置进行反向追踪，所述工件作为加工处理的对象；在因第一通量的反向追踪结果而使第一通量撞击所述工件的表面上的另一位置的情形中，计算第二通量并从所述另一位置对第二通量进行反向追踪，该第二通量是第一通量通过在所述另一位置处散射而形成；以及通过重复所述计算及对通量的反向追踪，当反向追踪的通量不再撞击所述工件表面时，将该通量与入射于所述工件上的通量的角分布进行比较，且当该当前通量处于所述角分布内时，求出对于从第一通量至该当前通量的通量群组而言发生了所述散射的通量的量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104681573A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201410675351.2
申请日：2014-11-21
Applicant: 索尼公司
Inventor： 久保井信行
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1463 , H01L27/14612 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/14627 , H01L27/14638 , H01L27/1464 , H01L27/14685 , H01L27/14689 , H04N5/359 , H04N5/3745
Abstract: 本发明提供了一种固态摄像元件、制造方法以及电子设备。该固态摄像元件包括：半导体基板，其中多个光电二极管以平面布置；分离部，其用于分离所述光电二极管，其中，所述分离部具有通过将具有高光吸收系数和高量子效率的材料填充至形成于所述半导体基板中的沟槽中而形成的光电转换部。本发明能够获取具有更好图像质量的图像。
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公开(公告)号：CN103514318A
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201310247610.7
申请日：2013-06-20
Applicant: 索尼公司
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5009 , G06F2217/16
Abstract: 本发明提供具有良好的计算精确度并能够以小的计算负荷进行处理预测的使信息处理装置执行计算的模拟方法、计算机可读介质、处理装置及模拟器，所述计算包括：将多个入射通量中的每一者分解成在相互正交的各个单位向量方向上的通量分量，所述多个入射通量在任意位置处进入处理目标的表面，所述处理目标是预定处理的目标；在所述多个单位向量方向的每一者上对所述通量分量求和；以及将多个通量分量合成为一个向量，所述多个通量分量是在所述各个单位向量方向上的求和且相互正交，从而计算出所述处理目标的所述表面上的所述任意位置处的法向量。
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公开(公告)号：CN102386202A
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201110237287.6
申请日：2011-08-18
Applicant: 索尼公司
Inventor： 久保井信行
CPC classification number: H01L27/307 , H01L27/1464 , H04N5/335 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供了一种固体摄像装置、其制造方法以及包括该固体摄像装置的电子设备。所述固体摄像装置包括像素，每个所述像素包括混合型光电转换部和像素晶体管，其中，所述混合型光电转换部包括：半导体层，其具有pn结；多个柱状或中空圆筒状有机材料层，它们布置于半导体层中；以及一对电极，它们布置于半导体层和有机材料层的上方和下方，其中，在有机材料层中通过光电转换而产生的电荷在半导体层内部移动以便被导入电荷累积区，并且，固体摄像装置配置为背照射型，其中，光从与其上形成像素晶体管的表面相反的表面而入射。本发明的固体摄像装置提高了灵敏度并可实现高速且稳定的驱动。
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公开(公告)号：CN102136412A
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN201010593711.6
申请日：2010-12-17
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/67253 , H01J37/32522 , H01J37/32935 , H01J37/32972 , H01L21/31116
Abstract: 本发明公开了一种半导体制造装置、半导体器件制造方法、仿真装置和仿真程序。所述半导体制造装置包括腔室、传感器、粘附概率计算部、作用部和控制部。在所述腔室中能够布置晶片。传感器检测表示所述腔室内的状态的指标值。粘附概率计算部被构造为根据检测出的所述指标值的值计算粒子粘附到所述腔室的腔室壁上的粘附概率的值。作用部能够改变所述腔室中的粘附概率。控制部被构造为控制所述作用部，使得由所述粘附概率计算部计算出的粘附概率为预定值。因此，通过控制粘附概率，可以将腔室壁维持在所需状态下并使蚀刻速率稳定，因而能够稳定地制造质量良好的半导体器件。
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公开(公告)号：CN104681573B
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201410675351.2
申请日：2014-11-21
Applicant: 索尼公司
Inventor： 久保井信行
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明提供了一种固态摄像元件、制造方法以及电子设备。该固态摄像元件包括：半导体基板，其中多个光电二极管以平面布置；分离部，其用于分离所述光电二极管，其中，所述分离部具有通过将具有高光吸收系数和高量子效率的材料填充至形成于所述半导体基板中的沟槽中而形成的光电转换部。本发明能够获取具有更好图像质量的图像。
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