公开(公告)号：CN118891793A

公开(公告)日：2024-11-01

申请号：CN202380028135.6

申请日：2023-02-06

申请人： 索尼半导体解决方案公司

发明人： 古濑骏介

IPC分类号： H01S5/183

摘要： [问题]为了提供一种具有优异可靠性的发光装置。[解决方案]一种发光装置10，包括：第一基体20，其中：第一基体20具有：第一基板21；发光元件22，设置在第一基板21的第一表面S1上并且包括多层膜22L；以及结构体23，设置在第一表面S1上位于发光元件22之间的区域中；并且结构体23包括与发光元件22相同的多层膜22L，或由与第一基板21相同的材料构成。

公开(公告)号：CN118922951A

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202380029699.1

申请日：2023-03-31

申请人： 索尼半导体解决方案公司

发明人： 佐佐木徹 ,  柏原博之 ,  川岛聪 ,  古濑骏介 ,  黒木佳奈 ,  斋藤聪哲 ,  斋藤卓 ,  平塚龙将 ,  谷川星野

IPC分类号： H01L33/48 ,  H01L33/20

摘要： 提供了一种能够抑制化合物半导体层翘曲发生的层压构件。该层压构件包括：驱动电路板；以及设置在驱动电路板上并且包括化合物半导体层的半导体元件层。该化合物半导体层具有在俯视观察下为椭圆形的形状、多边形的至少一个角被切掉的形状、或者多边形的至少一个角被弯曲成以凸形形状。

公开(公告)号：CN107851647B

公开(公告)日：2022-06-14

申请号：CN201680039846.3

申请日：2016-07-19

申请人： 索尼半导体解决方案公司

发明人： 山口征也 ,  高地泰三 ,  古濑骏介 ,  大井上昂志 ,  池边祐希

IPC分类号： H01L27/146

摘要： 本发明提供了半导体装置和半导体装置形成方法，所述半导体装置包括：第一基板；以及第二基板，所述第二基板与第一基板相邻，其中，所述第二基板的侧壁包括一个或多个切割部，所述切割部可以包括刀片切割部和隐形切割部。本发明还提供了摄像装置和摄像装置形成方法，所述摄像装置包括：第一基板；透明层；粘合剂层，所述粘合剂层位于所述第一基板与所述透明层之间；第二基板，其中，所述第一基板被布置在所述粘合剂层与所述第二基板之间；以及凹槽，所述凹槽从所述粘合剂层延伸至所述第二基板，其中，所述凹槽填充有所述粘合剂层。

公开(公告)号：CN107851647A

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201680039846.3

申请日：2016-07-19

申请人： 索尼半导体解决方案公司

发明人： 山口征也 ,  高地泰三 ,  古濑骏介 ,  大井上昂志 ,  池边祐希

IPC分类号： H01L27/146

CPC分类号： H01L27/1469 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14687

摘要： 本发明提供了半导体装置和半导体装置形成方法，所述半导体装置包括：第一基板；以及第二基板，所述第二基板与第一基板相邻，其中，所述第二基板的侧壁包括一个或多个切割部，所述切割部可以包括刀片切割部和隐形切割部。本发明还提供了摄像装置和摄像装置形成方法，所述摄像装置包括：第一基板；透明层；粘合剂层，所述粘合剂层位于所述第一基板与所述透明层之间；第二基板，其中，所述第一基板被布置在所述粘合剂层与所述第二基板之间；以及凹槽，所述凹槽从所述粘合剂层延伸至所述第二基板，其中，所述凹槽填充有所述粘合剂层。

公开(公告)号：CN115039301A

公开(公告)日：2022-09-09

申请号：CN202180011969.7

申请日：2021-02-01

申请人： 索尼半导体解决方案公司

发明人： 古濑骏介 ,  吉冈浩孝

IPC分类号： H01S5/02253 ,  H01S5/02326 ,  H01S5/02345 ,  H01S5/0239

摘要： [问题]提供了一种发光装置及用于制造发光装置的方法，可以改善填充发光元件周围空间的膜的填充性能。[解决方案]根据本公开的发光装置设置有：基板；依次设置在基板的第一表面上的多个发光元件和多个电极；以及设置在基板的第一表面上以包围发光元件的膜。在第一表面为基板的下表面的状态下，膜的下表面的最下部设置在高于电极的下表面的位置。因此，例如，通过在将基板设置在另一基板上之前形成膜，可以改善填充发光元件周围空间的膜的填充性能。