公开(公告)号：CN107895730B

公开(公告)日：2019-07-30

申请号：CN201710905815.8

申请日：2017-09-29

申请人： 豪威科技股份有限公司

发明人： 毛杜立 ,  林志强 ,  马渕圭司 ,  陈刚 ,  戴森·H·戴 ,  比尔·潘 ,  奥拉伊·奥尔昆·赛莱克 ,  杨大江

IPC分类号： H01L27/146

CPC分类号： H01L27/14647 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/1469 ,  H04N5/2355 ,  H04N5/35563 ,  H04N5/37457 ,  H04N5/378 ,  H04N5/379

摘要： 本申请案涉及一种堆叠式图像传感器，其包含第一多个光电二极管，所述第一多个光电二极管包含安置在第一半导体材料中的第一光电二极管和第二光电二极管。所述第一半导体材料靠近所述第一光电二极管的厚度小于所述第一半导体材料靠近所述第二光电二极管的厚度。第二多个光电二极管经安置在第二半导体材料中。所述第二多个光电二极管与所述第一多个光电二极管光学对准。互连层经安置在所述第一半导体材料与所述第二半导体材料之间。所述互连层包含安置在所述第二光电二极管和包含于所述第二多个光电二极管中的第三光电二极管之间的光学屏蔽件。所述光学屏蔽件防止图像光的第一部分到达所述第三光电二极管。

公开(公告)号：CN108810333A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201710297617.8

申请日：2017-04-28

申请人： 南昌欧菲光电技术有限公司

发明人： 庄士良 ,  冯军 ,  张升云 ,  黄春友 ,  唐东 ,  帅文华

IPC分类号： H04N5/225 ,  H01L27/146

CPC分类号： H04N5/2253 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/1469

摘要： 本发明涉及一种摄像模组及其组装方法、下沉式感光组件，下沉式感光组件包括：基板，包括相对设置的第一表面与第二表面，所述第一表面开设有凹槽；感光元件，设于所述基板的所述凹槽内并与所述基板电连接；封装体，所述封装体环绕所述感光元件且模塑成型于所述基板的所述第一表面。上述下沉式感光组件，基板的第一表面上开设有用于设置感光元件的凹槽，感光元件可通过胶层贴装于凹槽内，因此贴装过程中溢出的胶水可填充于该凹槽内，从而防止溢出的胶水覆盖感光元件与基板的焊点，避免产生基板电路接触不良的现象。同时，基板上开设凹槽以容纳感光元件的设置降低了该下沉式感光组件的厚度。

公开(公告)号：CN108400142A

公开(公告)日：2018-08-14

申请号：CN201810007933.1

申请日：2018-01-04

申请人： 半导体元件工业有限责任公司

发明人： O·L·斯凯特

IPC分类号： H01L27/146 ,  H01L23/38

CPC分类号： H01L27/14618 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1469 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L27/14687 ,  H01L23/38

摘要： 本发明涉及图像传感器半导体封装件及制造具有图像传感器的半导体器件的方法。公开了一种半导体器件，该半导体器件具有第一衬底，在该第一衬底的相对表面之间形成有竖直电互连结构。半导体管芯嵌入在第一衬底内。多个半导体片状器件设置在第一衬底上方或之内。第一半导体片状器件被掺杂为第一导电类型，并且第二半导体片状器件被掺杂为第二导电类型。第二导热衬底设置在半导体片状器件上方且与第一衬底相对。图像传感器设置在第一衬底上方。图像传感器通过第一衬底的竖直电互连结构进行电连接。密封剂沉积在图像传感器上方，密封剂中的开口位于图像传感器的有源区上方。使电流能够流过半导体片状器件以便于图像传感器进行热耗散。

公开(公告)号：CN108369951A

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201680070969.3

申请日：2016-12-06

申请人： 索尼公司

发明人： 戸田淳

IPC分类号： H01L27/146 ,  G01S17/93 ,  G02B5/28

CPC分类号： H04N5/36965 ,  G01S7/4816 ,  G01S17/023 ,  G01S17/936 ,  G02B5/201 ,  G02B5/208 ,  G02B5/26 ,  G02B5/281 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L27/14629 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14647 ,  H01L27/14652 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14689 ,  H01L27/1469 ,  H01L2224/2908 ,  H01L2224/29188 ,  H01L2224/30505 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/05341 ,  H01L2924/05442 ,  H04N5/332

摘要： 提供了一种摄像器件、包括摄像器件的电子设备和包括含有摄像器件的电子设备的汽车，所述摄像器件包括：第一基板，所述第一基板包括第一组光电转换单元；第二基板，所述第二基板包括第二组光电转换单元；以及绝缘层，所述绝缘层在所述第一基板与所述第二基板之间；其中所述绝缘层具有反射第一波长范围的光和透射第二波长范围的光的能力，所述第二波长范围的光比所述第一波长范围的光长。

公开(公告)号：CN108172562A

公开(公告)日：2018-06-15

申请号：CN201711458686.9

申请日：2013-06-19

申请人： 索尼公司

发明人： 胁山悟 ,  冈本正喜 ,  大冈丰 ,  庄子礼二郎 ,  财前义史 ,  长畑和典 ,  羽根田雅希

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L23/48 ,  H01L25/065 ,  H01L27/146 ,  H01L21/306 ,  H01L21/311 ,  H01L21/768 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L25/50 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/1469 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供了一种半导体装置，其包括：第一半导体基体；第二半导体基体，结合在第一半导体基体的第一表面侧上；贯通电极，形成为从第一半导体基体的第二表面侧贯通至第二半导体基体上的配线层；以及，绝缘层，围绕第一半导体基体内形成的贯通电极的周界。

公开(公告)号：CN108028258A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201680051058.6

申请日：2016-08-04

申请人： 奥特逻科集团 ,  奥特逻科公司

发明人： 刘汉鼎 ,  那允中 ,  郑斯璘 ,  陈书履 ,  陈慧文 ,  梁哲夫

IPC分类号： H01L27/146 ,  G01J1/02 ,  H01L31/10 ,  H04N5/369

CPC分类号： H01L27/14605 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14649 ,  H01L27/1465 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/14689 ,  H01L27/1469 ,  H01L27/14698 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/0312 ,  H01L31/09 ,  H01L31/105 ,  H01L31/1812 ,  H01L31/1876 ,  H01L31/1892

摘要： 本发明题为“锗硅感光设备”。本发明公开了一种图像传感器阵列，所述图像传感器阵列包括：载体基板；第一组光电二极管，所述第一组光电二极管耦合到所述载体基板，其中所述第一组光电二极管包括第一光电二极管，其中所述第一光电二极管包括半导体层，所述半导体层被配置用于吸收处于可见波长的光子并从所吸收的光子生成光载流子；和第二组光电二极管，所述第二组光电二极管耦合到所述载体基板，其中所述第二组光电二极管包括第二光电二极管，其中所述第二光电二极管包括装配在所述半导体层上的锗硅区，所述锗硅区被配置用于吸收处于红外或近红外波长的光子并从所吸收的光子生成光载流子。

公开(公告)号：CN107946328A

公开(公告)日：2018-04-20

申请号：CN201711062485.7

申请日：2017-11-02

申请人： 中国电子科技集团公司第十一研究所

发明人： 刘铭 ,  喻松林 ,  周立庆 ,  孙浩 ,  周朋 ,  王静

IPC分类号： H01L27/146 ,  G01V8/10

CPC分类号： H01L27/1465 ,  G01V8/10 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14683 ,  H01L27/1469

摘要： 本发明公开了一种集成式红外探测装置的制备方法，通过在一块红外探测器芯片上集成凝视型和扫描型两种功能的芯片，形成既具有凝视成像功能又具有扫描成像功能的红外读出电路，能够快速切换成像模式，集成了凝视成像的实时性和扫描成像高灵敏度的优势，既提高了凝视探测的灵敏度问题，又改善了扫描探测的实时性问题，提高了红外探测系统的远程抗干扰和目标识别能力，大大提高了对红外探测器的利用率和实战能力，使整机红外探测系统的体积和功耗大大减小，大幅度降低了红外探测系统的成本，在机载、弹载等很多应用场合都有非常重要的应用前景。

公开(公告)号：CN107833897A

公开(公告)日：2018-03-23

申请号：CN201711033090.4

申请日：2013-07-08

申请人： 索尼公司

发明人： 柳田刚志 ,  马渕圭司

IPC分类号： H01L27/146

CPC分类号： H01L27/1469 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14641 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14689

摘要： 这里描述固态成像装置以及制造固态成像装置的方法。作为示例，该固态成像装置包括形成在传感器基板上的第一配线层和形成在电路基板上的第二配线层。传感器基板连接到电路基板，第一配线层和第二配线层设置在传感器基板和电路基板之间。第一电极形成在第一配线层的表面上，并且第二电极形成在第二配线层的表面上。第一电极与第二电极电接触。

公开(公告)号：CN104681516B

公开(公告)日：2018-03-23

申请号：CN201410705224.2

申请日：2014-11-27

申请人： 精材科技股份有限公司

发明人： 刘建宏 ,  温英男

IPC分类号： H01L23/482 ,  H01L21/60 ,  H01L27/146

CPC分类号： H01L24/09 ,  H01L21/76898 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/24 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/82 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L25/50 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/1469 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/24051 ,  H01L2224/24227 ,  H01L2224/245 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73217 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/8203 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/92133 ,  H01L2224/92144 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14335 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665

摘要： 本发明揭露一种晶片封装体及其制造方法。该晶片封装体包括：一第一基底，其中多个第一导电垫设置于第一基底的一第一侧上；一第二基底，贴附于相对于第一基底的第一侧的一第二侧上，其中第二基底具有一微电子元件，且具有对应第一导电垫的多个第二导电垫，所述第二导电垫设置于第二基底的一第一侧上，且位于第一基底与第二基底之间；一重布线层，设置于相对于第二基底的第一侧的一第二侧上，且穿过第二基底、第二导电垫及第一基底而延伸至第一导电垫内，以与第一导电垫及第二导电垫电性连接。本发明通过重布线层进行电性连接而不需使用焊线，缩小了晶片封装体的尺寸，降低了成本。

公开(公告)号：CN107785390A

公开(公告)日：2018-03-09

申请号：CN201711237255.X

申请日：2017-11-30

申请人： 苏州晶方半导体科技股份有限公司

发明人： 王之奇 ,  吴明轩

IPC分类号： H01L27/146

CPC分类号： H01L27/14601 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/1469

摘要： 本申请实施例提供了一种虹膜识别成像模组封装结构及其封装方法中，将影像传感芯片与具有窗口的基板进行绑定，使影像传感芯片上的影像感应区朝向窗口且被窗口覆盖，影像传感芯片与布线线路电连接。在基板上绑定有红外LED，且固定有用于遮挡来自红外LED的至少部分红外光进入影像感应区的遮挡部件。遮挡部件能够减少红外LED的红外光在提供补偿光线的同时，进入到影像传感芯片，进而减少对虹膜成像造成的干扰，提高虹膜识别的准确性。