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公开(公告)号:CN116525633A
公开(公告)日:2023-08-01
申请号:CN202310423501.X
申请日:2017-10-18
申请人: 索尼半导体解决方案公司
IPC分类号: H01L27/146
摘要: 本发明涉及传感器。该传感器可包括:第一基板,包括:第一半导体层,包括:第一雪崩光电二极管,包括第一阴极区域和第一阳极区域;第二雪崩光电二极管,包括第二阴极区域和第二阳极区域;和第一隔离区域,位于所述第一和第二雪崩光电二极管之间,以及第一布线层,包括:第一布线;第一通孔,其中,第一阴极区域通过第一通孔电连接到第一布线;第二布线;和第二通孔,其中,第一阳极区域通过第二通孔电连接到第二布线;以及第二基板,层叠在第一基板上,第二基板包括:第二布线层,包括:第三布线,直接接合到所述第一布线;和第四布线,直接接合到所述第二布线;以及第二半导体层。
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公开(公告)号:CN116525632A
公开(公告)日:2023-08-01
申请号:CN202310404784.3
申请日:2017-10-18
申请人: 索尼半导体解决方案公司
IPC分类号: H01L27/146
摘要: 本发明涉及光检测设备。光检测设备可包括:片上透镜;第一芯片,包括:第一半导体基板,包括第一雪崩光电二极管,第一雪崩光电二极管包括:阱区域;第一、第二和第三半导体区域;以及第一布线层,包括第一和第二布线;和第二芯片,堆叠在第一芯片上,第二芯片包括:第二半导体基板,包括电路;以及第二布线层,包括第三和第四布线,其中,在横截面图中,阱区域的一部分位于片上透镜和第一半导体区域之间,第一半导体区域位于阱区域的一部分和第二半导体区域之间,其中,第二半导体区域电连接至第一布线,第三半导体区域电连接至第二布线,第一布线直接接合至第三布线,并且,第二布线直接接合至第四布线。
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公开(公告)号:CN108475689B
公开(公告)日:2023-05-12
申请号:CN201780004411.X
申请日:2017-10-18
申请人: 索尼半导体解决方案公司
IPC分类号: H01L27/146
摘要: 一种传感器包括第一基板,第一基板包含至少第一像素。所述第一像素包括:雪崩光电二极管,其将入射光转换为电荷并包括阳极(105)和阴极(101)。所述阴极处于所述第一基板的阱区(103)中。所述第一像素包括将所述阱区与相邻于所述第一像素的至少第二像素隔离的隔离区域(108)。所述第一像素包括位于所述隔离区域与所述阱区之间的空穴累积区域(107a)。所述空穴累积区域电连接至所述阳极。
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公开(公告)号:CN113519067A
公开(公告)日:2021-10-19
申请号:CN202080015426.8
申请日:2020-02-21
申请人: 索尼半导体解决方案公司
IPC分类号: H01L31/107 , H01L27/146
摘要: 本公开的实施方案的传感器芯片包括:半导体基板,其具有其中多个像素以阵列状布置的像素阵列部;光接收元件,其针对每个像素设置在半导体基板中,并且包括其中通过高电场区域使载流子雪崩倍增的倍增区域;和第一像素分离部,其设置在像素之间,所述第一像素分离部从半导体基板的一个表面向与该一个表面相对的另一个表面延伸,并且在半导体基板中具有底部。
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公开(公告)号:CN113383431A
公开(公告)日:2021-09-10
申请号:CN202080012573.X
申请日:2020-02-07
申请人: 索尼半导体解决方案公司
发明人: 松本晃
IPC分类号: H01L31/0232 , H01L31/107 , H01L27/146 , G01S7/481 , G01S17/931
摘要: 根据本发明的一个实施例的传感器芯片包括像素,所述像素各自包括:光电转换部,所述光电转换部具有光入射到其上的光入射面和利用高电场区域使载流子雪崩倍增的倍增区域;光反射部,所述光反射部被设置成与所述光电转换部的所述光入射面的相反侧的表面相对;以及聚光部,所述聚光部设置在所述光电转换部与所述光反射部之间。
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公开(公告)号:CN117836946A
公开(公告)日:2024-04-05
申请号:CN202280056927.X
申请日:2022-03-04
申请人: 索尼半导体解决方案公司
IPC分类号: H01L27/146 , H01L21/76 , H04N23/50
摘要: 提供了一种摄像装置,包括半导体基板和多个摄像元件(100),所述多个摄像单元(100)在所述半导体基板上沿第一方向和第二方向以矩阵形式布置,并且对入射光进行光电转换。所述多个摄像元件中的各者包括:多个像素,所述多个像素设置为在所述半导体基板的预定单位区域中彼此相邻,并且包括第一导电型的杂质;分隔部(304),其对所述多个像素进行分隔;两个第一元件分隔壁(310),设置为沿着所述预定单位区域的在所述第二方向上延伸的两个第一侧表面贯穿所述半导体基板的至少一部分;以及第一扩散区域(306),其在所述第一元件分隔壁与所述分离部的周围设置于所述半导体基板内,并且包含第二导电型的杂质。
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公开(公告)号:CN110447104B
公开(公告)日:2024-02-13
申请号:CN201880018703.3
申请日:2018-03-14
申请人: 索尼半导体解决方案公司
发明人: 松本晃
IPC分类号: H01L27/146 , H01L31/107
摘要: 本公开涉及各使得借助光电转换生成的载流子能够被高效使用的传感器芯片和电子设备。在半导体基板中,在多个像素区域中的每一个中设置使借助光电转换生成的载流子倍增的至少一个或更多个雪崩倍增区域,并且由片上透镜凝聚在半导体基板上入射的光。然后,多个片上透镜设置在一个像素区域中。本技术例如可以应用于背面照射型CMOS图像传感器。
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公开(公告)号:CN110447104A
公开(公告)日:2019-11-12
申请号:CN201880018703.3
申请日:2018-03-14
申请人: 索尼半导体解决方案公司
发明人: 松本晃
IPC分类号: H01L27/146 , H01L31/107
摘要: 本公开涉及各使得借助光电转换生成的载流子能够被高效使用的传感器芯片和电子设备。在半导体基板中,在多个像素区域中的每一个中设置使借助光电转换生成的载流子倍增的至少一个或更多个雪崩倍增区域,并且由片上透镜凝聚在半导体基板上入射的光。然后,多个片上透镜设置在一个像素区域中。本技术例如可以应用于背面照射型CMOS图像传感器。
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公开(公告)号:CN116314222A
公开(公告)日:2023-06-23
申请号:CN202310086931.7
申请日:2017-10-18
申请人: 索尼半导体解决方案公司
IPC分类号: H01L27/146 , G01S7/481 , G01S7/4861
摘要: 本发明涉及传感器和飞行时间系统。其中,所述传感器可包括:第一基板,包括:第一半导体层,所述第一半导体层包括:第一雪崩光电二极管,其包括第一阴极区域和第一阳极区域;和第一隔离区域,第一配线层,所述第一配线层包括:第一配线;第一通孔,第一阴极区域通过所述第一通孔电连接至第一配线;第二配线;和第二通孔,第一阳极区域通过所述第二通孔电连接至所述第二配线;以及第二基板,所述第二基板层叠在所述第一基板上,所述第二基板包括:第二配线层,所述第二配线层包括:直接接合至所述第一配线的第三配线;直接接合至所述第二配线的第四配线;和第二半导体层,所述第一阳极区域位于所述第一阴极区域和所述第一隔离区域之间。
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公开(公告)号:CN108475689A
公开(公告)日:2018-08-31
申请号:CN201780004411.X
申请日:2017-10-18
申请人: 索尼半导体解决方案公司
IPC分类号: H01L27/146
CPC分类号: H01L27/14609 , H01L27/1463 , H01L27/14634 , H01L27/1464 , H01L27/1469
摘要: 一种传感器包括第一基板,第一基板包含至少第一像素。所述第一像素包括:雪崩光电二极管,其将入射光转换为电荷并包括阳极(105)和阴极(101)。所述阴极处于所述第一基板的阱区(103)中。所述第一像素包括将所述阱区与相邻于所述第一像素的至少第二像素隔离的隔离区域(108)。所述第一像素包括位于所述隔离区域与所述阱区之间的空穴累积区域(107a)。所述空穴累积区域电连接至所述阳极。
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