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公开(公告)号:CN117836946A
公开(公告)日:2024-04-05
申请号:CN202280056927.X
申请日:2022-03-04
申请人: 索尼半导体解决方案公司
IPC分类号: H01L27/146 , H01L21/76 , H04N23/50
摘要: 提供了一种摄像装置,包括半导体基板和多个摄像元件(100),所述多个摄像单元(100)在所述半导体基板上沿第一方向和第二方向以矩阵形式布置,并且对入射光进行光电转换。所述多个摄像元件中的各者包括:多个像素,所述多个像素设置为在所述半导体基板的预定单位区域中彼此相邻,并且包括第一导电型的杂质;分隔部(304),其对所述多个像素进行分隔;两个第一元件分隔壁(310),设置为沿着所述预定单位区域的在所述第二方向上延伸的两个第一侧表面贯穿所述半导体基板的至少一部分;以及第一扩散区域(306),其在所述第一元件分隔壁与所述分离部的周围设置于所述半导体基板内,并且包含第二导电型的杂质。
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公开(公告)号:CN118202466A
公开(公告)日:2024-06-14
申请号:CN202280069516.4
申请日:2022-10-13
申请人: 索尼半导体解决方案公司
发明人: 西田庆次
IPC分类号: H01L27/146 , H01L21/76 , H04N25/76
摘要: 本发明旨在提供用于提高制造合格率的技术。本发明的光检测装置包括:半导体层,其具有在厚度方向上相互位于相反侧的第一面和第二面;分离区域,其设置于半导体层中且沿半导体层的厚度方向延伸;由分离区域划分的光电转换区域;导体,其设置于分离区域中且沿半导体层的厚度方向延伸;中继导电垫,其被形成得比导体的宽度更宽,并且在半导体层的第一面侧上以在平面图中与导体重叠的方式与导体连接;以及触点部,其以在平面图中与中继导电垫重叠的方式与中继导电垫连接。
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公开(公告)号:CN117546296A
公开(公告)日:2024-02-09
申请号:CN202280044302.1
申请日:2022-03-16
申请人: 索尼半导体解决方案公司
IPC分类号: H01L27/146
摘要: 本发明在抑制传输效率的降低的同时抑制了图像质量的劣化。根据实施方案的成像装置包括以二维格子状排列的多个像素,其中每个所述像素包括光电转换单元,其设置在半导体基板的第一面侧以执行入射光的光电转换;纵型栅电极,其设置在所述半导体基板上以从与第一面相对的第二面侧靠近所述光电转换单元;栅极绝缘膜,其设置在所述纵型栅电极和所述半导体基板之间;传输栅电极,其在所述半导体基板的第二面上与所述纵型栅电极连接;和第一扩散区域,其设置在所述半导体基板的第二面侧,和所述纵型栅电极具有其中所述光电转换单元侧的底部的直径比所述传输栅电极侧的上部的直径扩大的结构。
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公开(公告)号:CN115152022A
公开(公告)日:2022-10-04
申请号:CN202180015763.1
申请日:2021-03-26
申请人: 索尼半导体解决方案公司
IPC分类号: H01L27/146 , H01L31/10 , H01L21/22 , H01L21/225 , H01L21/265 , H01L21/76 , H04N5/369
摘要: 提供了一种配备有多个摄像元件(100)的摄像装置(1)。所述多个摄像元件中的每一者具有:包含第一导电类型的杂质的多个像素(300a、300b);设置为包围所述多个像素并且贯通半导体基板(10)的元件分离壁(310);以由所述多个像素共享的方式设置在所述半导体基板的光接收表面(10a)上方的片上透镜(200);以及设置在由所述元件分离壁包围的区域中以将所述多个像素分离的第一分离部(304)。所述第一分离部以在所述半导体基板的厚度方向上延伸的方式设置。在位于所述第一分离部周围且在所述半导体基板的厚度方向上延伸的区域中,设置有包含与所述第一导电类型相反的第二导电类型的杂质的第一扩散区域(306)。
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公开(公告)号:CN114730781A
公开(公告)日:2022-07-08
申请号:CN202080079978.5
申请日:2020-10-30
申请人: 索尼半导体解决方案公司
发明人: 西田庆次
IPC分类号: H01L27/146
摘要: 提供了一种能够在减小相同颜色之间的灵敏度差异的同时抑制不同颜色之间的混色的固态成像装置。固态成像装置包括:多个光电转换单元,形成在基板上且根据入射光的光量而产生信号电荷;微透镜阵列,包括微透镜,微透镜针对包括相邻的至少两个以上的光电转换单元21的光电转换单元组而形成且将入射光引导至光电转换单元组;散射体,布置在由微透镜会聚的入射光的光路上;和像素间遮光部,包括沟槽和填充在沟槽中的绝缘材料,沟槽形成在光电转换单元组的光电转换单元和与该光电转换单元组相邻的光电转换单元之间。沟槽的散射体侧的内侧面的开口侧是以沟槽宽度朝向沟槽的底部变窄的方式倾斜的平面。
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