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公开(公告)号：CN1845872A
公开(公告)日：2006-10-11
申请号：CN200480025148.5
申请日：2004-08-31
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01J9/025 , G11B5/855 , H01J1/3042 , Y10T428/24744
Abstract: 一种制造细微结构体的方法，该方法能够精确控制形成有由碳等制成的管状结构的位置。圆柱状凸起部分(11)形成在衬底(10)上。随后，诸如铁(Fe)的催化物质(20)被粘附在衬底(10)上。之后，对衬底(10)进行热处理以使催化物质(20)熔化并粘结在凸起部分(11)的侧面(11A)上。这使得由催化物质(20)制成的环形催化剂图案形成在凸起部分(11)的侧面(11A)上。随后，利用催化剂图案使中空圆柱管状结构(30)生长。管状结构(30)从凸起部分(11)的侧面(11A)升起并生长成具有头部(30A)敞开的碳(纳米)管。形成精确对应凸起部分(11)位置的管状结构(30)。
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公开(公告)号：CN1361916A
公开(公告)日：2002-07-31
申请号：CN00810556.1
申请日：2000-07-19
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: B82Y30/00 , H01B1/04 , H01B1/122 , H01M4/8605 , H01M8/1004 , H01M8/1016 , H01M2300/0065
Abstract: 一种质子导体,包含主要含碳的含碳材料,其中,引入了质子离解基团。在该质子导体中,质子在质子离解基团之间迁移。同时,该质子导体的离子电导率大于其电子电导率。使用碳簇如富勒烯或含碳管状材料、或所谓碳纳米管、或具有金刚石结构的含碳材料作为含碳材料。
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公开(公告)号：CN1823006A
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN200480020244.0
申请日：2004-07-15
Applicant: 索尼株式会社
IPC: C01B31/02
CPC classification number: D01F9/127 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , C01B32/164 , C01B2202/02 , C01B2202/04 , C01B2202/34 , Y10T428/13
Abstract: 本发明提供碳纳米管的制造方法，其能够以高生产量和低缺陷发生率地大量生产DWCNT。在真空室(i)中，提供具有中空部(2a)的第一电极(2)和棒状第二电极(3)。惰性气体如氦气、氮气、或氩气被引入到该真空室(1)中，以保持其为不含氢气和氧气的气氛，并在该气氛中，在第一电极(2)和第二电极(3)之间产生电弧放电。由电弧放电产生的热适度地保留在第一电极(2)包围的内侧表面上，以将第一电极(2)表面保持在适于生产DWCNT(8)的温度。由此，丝状的DWCNT(8)能以催化剂(6)为起点连续性地无中断生产。
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公开(公告)号：CN1378521A
公开(公告)日：2002-11-06
申请号：CN00814090.1
申请日：2000-09-11
Applicant: 索尼株式会社
IPC: C01B31/02 , C01B31/04 , C01B3/00 , H01M4/24 , H01M4/38 , H01M10/24 , H01M12/08 , H01M8/04 , B01J20/20
CPC classification number: B82Y30/00 , B01J20/20 , B82Y40/00 , C01B3/0021 , C01B32/15 , C01B32/152 , H01M4/242 , H01M8/04 , H01M8/04089 , Y02E60/325 , Y02E60/327
Abstract: 提供能以质子形式储氢的储氢碳素物。碳素物由具有弯曲结构的分子组成,其功函数是4.9eV或更大。利用碳基电极通过弧光放电工艺,可制备碳素物。这些碳素物的例子包括由通过焙烧由富勒烯制备的聚合物组成焙烧体、通过电解聚合由富勒烯制备的聚合物、通过将可与质子氢键合的基团引入到碳素物中而制备的碳素物衍生物、由具有弯曲结构部分的分子组成的碳素物、以及其上负载金属的碳素物,金属具有将氢分子分离成氢原子并进一步将氢原子分离成质子和电子的催化能力。同时,碳素物可以是在给能储氢的材料施加正电压并在含氢的气体气氛中处理得到的储氢材料。储氢碳素物用于电池例如碱性电池、空气电池和燃料电池。
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公开(公告)号：CN101840997A
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN201010163399.7
申请日：2004-09-07
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01L51/0545 , B82Y10/00 , H01L51/0048
Abstract: 本发明公开了一种用于制造其中碳纳米管被用于沟道层(5)的场效应半导体器件例如场效应晶体管(6)的方法，该方法包括其中碳纳米管的物理或化学状态通过使碳纳米管经历等离子体处理而改变的步骤。采用该方法，能容易地制造具有电流路径例如沟道层的场效应半导体器件，所述电流路径例如沟道层中碳纳米管被均匀分散，该器件能够防止由碳纳米管的成束导致的器件特性下降。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100577560C
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：CN200480020244.0
申请日：2004-07-15
Applicant: 索尼株式会社
IPC: C01B31/02
CPC classification number: D01F9/127 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , C01B32/164 , C01B2202/02 , C01B2202/04 , C01B2202/34 , Y10T428/13
Abstract: 本发明提供碳纳米管的制造方法，其能够以高生产量和低缺陷发生率地大量生产DWCNT。在真空室(i)中，提供具有中空部(2a)的第一电极(2)和棒状第二电极(3)。惰性气体如氦气、氮气、或氩气被引入到该真空室(1)中，以保持其为不含氢气和氧气的气氛，并在该气氛中，在第一电极(2)和第二电极(3)之间产生电弧放电。由电弧放电产生的热适度地保留在第一电极(2)包围的内侧表面上，以将第一电极(2)表面保持在适于生产DWCNT(8)的温度。由此，丝状的DWCNT(8)能以催化剂(6)为起点连续性地无中断生产。
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公开(公告)号：CN1853277A
公开(公告)日：2006-10-25
申请号：CN200480026427.3
申请日：2004-09-07
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/06
Abstract: 本发明公开了一种用于制造其中碳纳米管被用于沟道层(5)的场效应半导体器件例如场效应晶体管(6)的方法，该方法包括其中碳纳米管的物理或化学状态通过使碳纳米管经历等离子体处理而改变的步骤。采用该方法，能容易地制造具有电流路径例如沟道层的场效应半导体器件，所述电流路径例如沟道层中碳纳米管被均匀分散，该器件能够防止由碳纳米管的成束导致的器件特性下降。
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公开(公告)号：CN1225745C
公开(公告)日：2005-11-02
申请号：CN00810556.1
申请日：2000-07-19
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: B82Y30/00 , H01B1/04 , H01B1/122 , H01M4/8605 , H01M8/1004 , H01M8/1016 , H01M2300/0065
Abstract: 一种质子导体，包含主要含碳的含碳材料，其中，引入了质子离解基团。在该质子导体中，质子在质子离解基团之间迁移。同时，该质子导体的离子电导率大于其电子电导率。使用碳簇如富勒烯或含碳管状材料、或所谓碳纳米管、或具有金刚石结构的含碳材料作为含碳材料。
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公开(公告)号：CN1711645B
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN200380103349.8
申请日：2003-11-05
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L29/786 , B82B1/00 , B82B3/00 , H01L29/06
CPC classification number: H01L51/0595 , B82Y10/00 , H01L51/0048 , H01L51/0508 , Y10S977/762 , Y10S977/936 , Y10S977/938 , Y10S977/949
Abstract: 一种微电子器件以及制造该器件的方法可以克服现有碳分子所构成的电子器件的缺陷，并具有优于现有器件的性能。绝缘栅极场效应晶体管包括多壁碳纳米管(10)，其中，多壁碳纳米管(10)具有外部半导体碳纳米管层(1)以及部分被外部半导体碳纳米管层(1)所覆盖的内部金属化碳纳米管层(2)。金属源电极(3)和金属漏电极(5)与半导体碳纳米管层(1)的两端相接触，而金属栅极电极(4)与金属化碳纳米管层(2)相接触。在半导体碳纳米管层(1)和金属化碳纳米管层(2)之间的空间作为栅极绝缘层使用。包括外部半导体碳纳米管层(1)和内部金属化碳纳米管层(2)的两层选自多壁碳纳米管的碳纳米管层。这些层都处理成适用于用于作为多壁碳纳米管(10)使用的形式。
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公开(公告)号：CN101618855A
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：CN200910150450.8
申请日：2004-01-08
Applicant: 索尼株式会社
Abstract: 本发明公开了制造管状碳分子的方法和制造记录设备的方法。该制造管状碳分子的方法能够以更精细的间隔和规则排列碳纳米管。通过基于调制热分布(11)的熔化将催化剂排列在由半导体如硅(Si)组成的基材(10)上，所述基材包含作为催化剂的铁。所述热分布(11)是通过用例如衍射光栅(12)使能量束(12)衍射形成的。分布催化剂的方法包括例如将铁以平面或凸起的形式沉积对应于所述热分布(11)的位置中，或者还包括使用其原始形式来将其转印到另一种基材上。使用所述分布催化剂生长碳纳米管。所述生长纳米管可用于记录设备、场致电子发射元件或FED。
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