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公开(公告)号:CN1650384A
公开(公告)日:2005-08-03
申请号:CN03809180.1
申请日:2003-04-24
申请人: 纳幕尔杜邦公司
CPC分类号: B82Y10/00 , H01J1/30 , H01J1/304 , H01J9/022 , H01J9/025 , H01J2201/30446 , H01J2201/30469 , Y10S977/742 , Y10S977/745
摘要: 本发明提供了由含有电子发射物质和膨胀材料的物质形成的组合物。膨胀材料可以是例如层间化合物。当薄膜是由这种组合物形成时,膨胀材料的膨胀典型地会引起薄膜的断裂或破裂。在膨胀材料发生膨胀之后,对薄膜表面典型地不要求作进一步处理,以便获得良好的发射性能。利用这一类破裂薄膜形成的表面起着有效的电子场致发射体作用,因而能用于真空微电子器件。
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公开(公告)号:CN101093766B
公开(公告)日:2012-02-22
申请号:CN200710137001.0
申请日:2001-06-19
申请人: 纳幕尔杜邦公司
CPC分类号: B82Y10/00 , H01J1/3048 , H01J9/025 , H01J2201/30469 , H01J2329/00
摘要: 本发明提供一种改进由诸如针状碳、针状半导体、针状金属或其混合物之类针状发射物质组成的场致电子发射体的场致发射的方法,包括对场致电子发射体的表面施加力,其中该力导致场致电子发射体的一部分被去掉,从而形成新的场致电子发射体表面。
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公开(公告)号:CN101617384A
公开(公告)日:2009-12-30
申请号:CN200880005849.0
申请日:2008-02-22
申请人: 纳幕尔杜邦公司
CPC分类号: H01J31/127 , H01J29/085 , H01J29/28
摘要: 本发明公开了一种场发射装置,其中结合所述阳极采用了保护材料,其中所述保护材料选自一种或多种下列材料:非晶质碳、石墨、类金刚石碳、富勒烯、碳纳米管、(共)聚合物以及有机涂料化合物。
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公开(公告)号:CN101617383A
公开(公告)日:2009-12-30
申请号:CN200880005629.8
申请日:2008-02-22
申请人: 纳幕尔杜邦公司
CPC分类号: H01J9/025 , C08K3/04 , C09D5/4407 , C09D5/448 , C09D5/4484 , C09D7/70 , C25D13/02 , C25D13/04 , C25D15/02 , H01J1/304 , H01J2201/30469
摘要: 本发明涉及使用电化学电池将碳纳米管(CNT)电化学沉积在基底上。中和CNT和阴离子聚合物的络合物的分散体,从而使其沉积在所述电池的阳极板上。
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公开(公告)号:CN1447978A
公开(公告)日:2003-10-08
申请号:CN01811636.1
申请日:2001-06-19
申请人: 纳幕尔杜邦公司
IPC分类号: H01J9/02
CPC分类号: B82Y10/00 , H01J1/3048 , H01J9/025 , H01J2201/30469 , H01J2329/00
摘要: 本发明提供一种改进由诸如针状碳、针状半导体、针状金属或其混合物之类针状发射物质组成的场致电子发射体的场致发射的方法,包括对场致电子发射体的表面施加力,其中该力导致场致电子发射体的一部分被去掉,从而形成新的场致电子发射体表面。
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公开(公告)号:CN101802956A
公开(公告)日:2010-08-11
申请号:CN200880103919.6
申请日:2008-08-20
申请人: 纳幕尔杜邦公司
CPC分类号: H01J29/94 , H01J9/395 , H01J31/123
摘要: 本发明公开了一种场发射装置,其中保护蒸气存在于场发射阴极组件和阳极之间的抽空空间中。保护蒸气可为一种或多种含氢的气体诸如包含M-H键的气体,其中M可为C、Si、B、Al或P。保护蒸气在抽空空间内具有在20℃下大于约10-8托(1.33x10-6Pa)的分压。
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公开(公告)号:CN100379704C
公开(公告)日:2008-04-09
申请号:CN02810108.1
申请日:2002-05-14
申请人: 纳幕尔杜邦公司
IPC分类号: C04B35/453 , H01B3/12
CPC分类号: H01B3/12 , C03C8/04 , C03C8/14 , C03C17/008 , C03C17/25 , C03C2217/23 , C04B35/453 , C04B35/6264 , C04B35/63 , C04B35/632 , C04B2235/3201 , C04B2235/3217 , C04B2235/3222 , C04B2235/3239 , C04B2235/3241 , C04B2235/327 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3289 , C04B2235/3293 , C04B2235/3294 , C04B2235/3298 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/658 , C04B2235/96 , C04B2235/9661 , H01B3/004 , H01B3/185 , H01C17/06533 , H01G4/1209 , H01J3/40 , H01J2229/882 , H01J2329/4691 , H01J2329/8615
摘要: 本发明提供一种介电组合物,其包含一种电介质和一种导电氧化物,其中所述电介质在约450℃-约550℃范围内的温度下在空气中是可烧结的;所述导电氧化物选自锑掺杂的氧化锡、锡掺杂的氧化铟、具有混合价态或者在约450-约550℃在氮气下烧结后形成混合价态的过渡金属氧化物,以及导电贵金属氧化物如二氧化钌;其中,导电氧化物含量为电介质和导电氧化物总重量的约0.25重量%-约25重量%。介电组合物具有减小的电阻并且用于电子场发射装置中以消除电子发射体附近电介质的充电和静电荷诱导场发射效应。
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公开(公告)号:CN101093766A
公开(公告)日:2007-12-26
申请号:CN200710137001.0
申请日:2001-06-19
申请人: 纳幕尔杜邦公司
CPC分类号: B82Y10/00 , H01J1/3048 , H01J9/025 , H01J2201/30469 , H01J2329/00
摘要: 本发明提供一种改进由诸如针状碳、针状半导体、针状金属或其混合物之类针状发射物质组成的场致电子发射体的场致发射的方法,包括对场致电子发射体的表面施加力,其中该力导致场致电子发射体的一部分被去掉,从而形成新的场致电子发射体表面。
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公开(公告)号:CN100341094C
公开(公告)日:2007-10-03
申请号:CN01811636.1
申请日:2001-06-19
申请人: 纳幕尔杜邦公司
IPC分类号: H01J9/02
CPC分类号: B82Y10/00 , H01J1/3048 , H01J9/025 , H01J2201/30469 , H01J2329/00
摘要: 本发明提供一种改进由诸如针状碳、针状半导体、针状金属或其混合物之类针状发射物质组成的场致电子发射体的场致发射的方法,包括对场致电子发射体的表面施加力,其中该力导致场致电子发射体的一部分被去掉,从而形成新的场致电子发射体表面。
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公开(公告)号:CN1742233A
公开(公告)日:2006-03-01
申请号:CN200380109235.4
申请日:2003-12-05
申请人: 纳幕尔杜邦公司
IPC分类号: G03F7/004
CPC分类号: G03F7/0392 , G03F7/0047 , G03F7/023
摘要: 本发明提供了可用作能正性成像的抗光蚀剂的组合物。这些组合物包括能正性成像的光聚合物体系和颗粒材料。这些组合物可用于厚膜中和其它用于生产电子设备的膜和具有图案的结构的制造方法中。
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