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公开(公告)号：CN104616944A
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201510042380.X
申请日：2015-01-28
申请人： 天津师范大学
CPC分类号： H01J1/304 , H01J1/3048 , H01J9/025
摘要： 本发明公开了一种表面富褶皱的超薄直立石墨烯场发射阴极，属于纳米材料的制备和应用领域。其主要包括以下制备工艺：以表面平整的单晶硅片或金属片或以表面具有纳米结构的碳纳米管阵列或硅纳米线阵列作为基底；利用射频溅射技术在基底上无催化生长富褶皱超薄直立石墨烯；最后以所获得的富褶皱超薄直立石墨烯为阴极组装场电子发射器。本方法所制备的直立石墨烯很薄，平均层数在5层左右，存在大量表面褶皱，富缺陷，其作为场发射阴极比表面平坦直立石墨烯具有更低的开启场和阈值场，且具有良好的场发射稳定性，有很高的应用价值。
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公开(公告)号：CN101093766B
公开(公告)日：2012-02-22
申请号：CN200710137001.0
申请日：2001-06-19
申请人： 纳幕尔杜邦公司
CPC分类号： B82Y10/00 , H01J1/3048 , H01J9/025 , H01J2201/30469 , H01J2329/00
摘要： 本发明提供一种改进由诸如针状碳、针状半导体、针状金属或其混合物之类针状发射物质组成的场致电子发射体的场致发射的方法，包括对场致电子发射体的表面施加力，其中该力导致场致电子发射体的一部分被去掉，从而形成新的场致电子发射体表面。
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公开(公告)号：CN101946299A
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN200980105033.X
申请日：2009-02-10
申请人： 皇家飞利浦电子股份有限公司
发明人： G·福格特米尔
IPC分类号： H01J35/06
CPC分类号： H01J1/3048 , H01J35/065 , H01J2235/062 , H01J2235/068
摘要： 提出了一种用于特别地由场发射碳纳米管(1，2)生成多能量X射线源(19)。为了实现来自不同发射器的X射线束的轨迹的空间交叠，向发射的电子(28，29)供应聚焦单元(7，9)。在不同碳纳米管的发射之间的快速切换允许多个千伏的成像。由聚焦单元独立确定多个焦斑参数导致可能在不同焦斑几何形状和空间分辨率之间进行快速切换。
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公开(公告)号：CN101065820B
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200580040587.8
申请日：2005-11-28
申请人： 日本财团法人高知县产业振兴中心 , 卡西欧计算机株式会社
IPC分类号： H01J1/304
CPC分类号： H01J1/3048 , H01J2201/30457
摘要： 将一种在X射线衍射中具有金刚石的图案并且由微粒直径为5nm到10nm的多个金刚石细微粒形成的电子发射膜形成在基板上。该电子发射膜可以在其使发射电流流动时将场强限制为低水平，并且该电子发射膜具有均匀的电子发射特性。
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公开(公告)号：CN101250750A
公开(公告)日：2008-08-27
申请号：CN200710193310.X
申请日：2003-03-06
申请人： 宋简民
发明人： 宋简民
CPC分类号： H01J1/304 , C01B32/25 , H01J1/3048 , H01J9/025 , H01J2201/30457
摘要： 一种当输入足够量的能量时能够在真空中发射电子的无定形金刚石材料(5)。该材料可以利用组成和几何方面，以便使电子输出达到最大而使所需能量输入达到最小。在一方面，无定形金刚石材料可以包括至少90原子％的碳原子，其中至少大约30原子％的这种碳原子以扭曲四面体构型结合。此外，材料可以配置有具有从大约10到大约10,000纳米的粗糙度的高度(20)的发射表面。多种能量类型可以单独地或者结合地使用，以促进电子流动，例如热能，光能，和感生电场能。无定形金刚石材料可以包括到多种真空型设备中，例如开关，激光二极管，发电机和冷却设备。
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公开(公告)号：CN1199218C
公开(公告)日：2005-04-27
申请号：CN00809996.0
申请日：2000-06-30
申请人： 可印刷发射体有限公司
IPC分类号： H01J1/30
CPC分类号： H01J9/025 , H01J1/3048 , H01J63/02
摘要： 一种场电子放射材料，其制作方法是：对石墨粒子(11)施加二氧化硅前体；处理该二氧化硅前体，形成掺杂和/或有严重缺陷的无定形二氧化硅(12)，并将石墨粒子(11)放在衬底(13)的导电表面(14)上，使它们至少部分涂布有无定形二氧化硅(12)。
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公开(公告)号：CN1447978A
公开(公告)日：2003-10-08
申请号：CN01811636.1
申请日：2001-06-19
申请人： 纳幕尔杜邦公司
IPC分类号： H01J9/02
CPC分类号： B82Y10/00 , H01J1/3048 , H01J9/025 , H01J2201/30469 , H01J2329/00
摘要： 本发明提供一种改进由诸如针状碳、针状半导体、针状金属或其混合物之类针状发射物质组成的场致电子发射体的场致发射的方法，包括对场致电子发射体的表面施加力，其中该力导致场致电子发射体的一部分被去掉，从而形成新的场致电子发射体表面。
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公开(公告)号：CN1417830A
公开(公告)日：2003-05-14
申请号：CN02150222.6
申请日：2002-11-05
申请人： 株式会社日立制作所
CPC分类号： H01J1/304 , B82Y10/00 , H01J1/3048 , H01J9/025 , H01J2201/30469
摘要： 本发明的目的在于提供与占空驱动对应的电场发射电子源和其每个元件的尺寸为50纳米以下的电极器件和电极器件的制造方法。本发明的电极器件和电极器件的制造方法的特征在于：通过在基板上对成为碳纳米管生成的催化剂的玻璃进行成膜，可进行纳米级的金属催化剂的形成和离散性控制，一边进行离散控制，一边在其上生成碳纳米管，通过在该纳米管上进行金属覆盖，提高了电脉冲的响应特性。
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公开(公告)号：CN101569529B
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN200910139337.X
申请日：2009-04-30
申请人： 通用电气公司
IPC分类号： A61B6/00
CPC分类号： H01J3/021 , H01J1/30 , H01J1/3048 , H01J3/027 , H01J35/065 , H01J35/14 , H01J2201/319 , H01J2203/0204 , H01J2235/062 , H01J2235/068
摘要： 本发明的名称为“用于多点X射线源的虚拟矩阵控制方案”。公开用于对发射体阵列(250)中的各个电子发射体(254)进行寻址的系统(252)和方法。系统包括其中包含排列成非矩阵布局并且配置成产生至少一个电子束(28)的多个发射体元件)的发射体阵列，以及设置成与发射体阵列相邻的多个引出栅格(256)，各引出栅格与至少一个发射体元件关联以便从其引出至少一个电子束。场发射体阵列系统还包括多个电压控制通道(260)，它与多个发射体元件和多个引出栅格连接，使得发射体元件的每个和引出栅格的每个是可单个寻址的。在场发射体阵列系统中，电压控制通道的数量等于其乘积等于发射体元件的数量的值最接近的一对整数之和。
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公开(公告)号：CN100459014C
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200410097886.2
申请日：2004-11-30
申请人： 佳能株式会社
IPC分类号： H01J9/02
CPC分类号： B82Y10/00 , H01J1/3048 , H01J9/025 , H01J2201/30469 , Y10T29/49002 , Y10T29/49128 , Y10T29/49147 , Y10T29/49155 , Y10T29/49156 , Y10T29/49169
摘要： 一种使用碳纤维作为电子部件的电子发射元件的制造方法，包括：准备具有多个含碳的纤维(4)的第一电极(3)、第二电极(2)之后，在第一电极(3)和第二电极之间施加电压，使第一电极(3)的电位比第二电极(2)还高，除去把第一电极(3)和第二电极短路的碳纤维(4’)。通过除去造成阴极和控制电极短路的碳纤维，能够提供具有均匀的电子发射特性的电子发射元件。
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