公开(公告)号：CN119069355A

公开(公告)日：2024-12-03

申请号：CN202410696855.6

申请日：2024-05-31

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： J·巴林豪斯 ,  K·丹内克尔

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/308 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明涉及用于制造垂直功率晶体管的方法。垂直功率晶体管具有第一沟槽深度的第一沟槽和第二沟槽深度的第二沟槽。第一沟槽深度和第二沟槽深度具有至少30％的差。将介电层施加到半导体材料上，将第一光刻胶层上施加到介电层上，在第一光刻胶层中产生具有第一宽度的第一开口，暴露出介电层的第一区域，蚀刻第一区域至确定深度，产生第一结构化介电层，去除第一光刻胶层，将第二光刻胶层施加到第一结构化介电层上，在第二光刻胶层中产生具有第二宽度的第二开口，暴露出介电层的第二区域，蚀刻第二区域至半导体材料的表面，产生第二结构化介电层，去除第二光刻胶层，进一步蚀刻产生从第二结构化介电层出发直至半导体材料的第一沟槽和第二沟槽。本发明还涉及相应的垂直功率晶体管。

公开(公告)号：CN118553781A

公开(公告)日：2024-08-27

申请号：CN202410201044.4

申请日：2024-02-23

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： D·克雷布斯 ,  K·丹内克尔

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/47

Abstract: 用于制造垂直场效应晶体管结构的方法和相应的垂直场效应晶体管结构，具有：半导体主体，其具有第一传导类型的第一附接区、漂移区和第二附接区；布置在第一与第二附接区之间的第一或第二传导类型的沟道区；多个第一沟槽，其延伸到半导体主体中，其从第二附接区伸展直到漂移区中并且构造沟道区的和第二附接区的鳍状部；控制电极，其布置在第一沟槽中，与沟道区相邻且相对半导体主体绝缘；电流路径，其连接在第一与第二附接区之间且与沟道区平行，具有至少一个肖特基结且构造为在达到施加在第一与第二附接区之间的反向电压的情况下导通。肖特基结布置在漂移区中且在掩埋在漂移区中的高传导性区域与漂移区之间形成。高传导性区域与第二附接区电连接。

公开(公告)号：CN118448457A

公开(公告)日：2024-08-06

申请号：CN202311375309.4

申请日：2023-10-19

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： K·丹内克尔 ,  S·雷根斯布格尔

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明涉及一种垂直的半导体构件、尤其是晶体管(100)，所述半导体构件具有用于构造基于氮化镓(GaN)的半导体构件的半导体层结构以及至少两个、优选三个垂直地彼此上下布置的电极，其中，所述半导体层结构具有接触半导体层(6)，所述接触半导体层与垂直地在下部的电极接触。根据本发明设置，垂直在所述接触半导体层(6)下方，区域地布置有中间层(20)，所述中间层用于补偿未包括的外来衬底与所述接触半导体层(6)之间的晶格失配。

公开(公告)号：CN119584616A

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN202411246683.9

申请日：2024-09-06

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： K·丹内克尔 ,  D·朔尔滕 ,  J·巴林豪斯

IPC: H10D64/00 ,  H10D30/01 ,  H10D30/66

Abstract: 根据本发明，提供一种具有半导体衬底的半导体结构元件，其中，半导体结构元件具有至少一个源极元件、至少一个漏极元件和至少一个场板。根据本发明的半导体结构元件的特点在于，至少一个场板围绕半导体结构元件的棱边并且与漏极元件电接触。根据本发明的另一方面，提出一种用于制造根据本发明构造的半导体结构元件的方法。

公开(公告)号：CN118899337A

公开(公告)日：2024-11-05

申请号：CN202410547358.X

申请日：2024-05-06

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： D·克雷布斯 ,  K·丹内克尔

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 提出一种垂直场效应晶体管结构，具有：半导体本体(100a‑100c)，其具有第一端子区(14)、漂移区(12)和第二端子区(30)；布置在所述第一和第二端子区(14，30)之间的沟道区(20)；延伸到半导体本体(100a‑100c)中的第一沟槽(G0')；布置在第一沟槽(G0')中的控制电极(40；40')；连接在第一端子区和第二端子区(14，30)之间的第一电流路径；其中，肖特基结布置在漂移区(12)中并且形成在埋入所述漂移区域(12)内的高导通区(60)和所述漂移区(12)之间，其中，所述高导通区(60；60'；60”)与所述第二端子区(30)电连接；连接在第一端子区和第二端子区(14，30)之间的第二电流路径。pn结布置在漂移区(12)中并且形成在漂移区(12)中的第二电导类型(p)区(130)与漂移区(2)之间。还提出一种相应的用于制造垂直场效应晶体管结构的方法。

公开(公告)号：CN117727774A

公开(公告)日：2024-03-19

申请号：CN202311209828.3

申请日：2023-09-19

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： C·胡贝尔 ,  J·巴林豪斯 ,  K·丹内克尔 ,  M·阿尔沙赫德

IPC: H01L29/20 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明涉及一种半导体结构元件，所述半导体结构元件构造为沟道MISFET(100)，所述半导体结构元件具有由氮化镓(GaN)制成的衬底(14)、布置在所述衬底上的漂移层(15)、截止层(16)和位于所述截止层上方的源极区域(17)，其中，所述源极区域(17)具有从所述源极区域延伸到位于所述源极区域下方的截止层(16)中的栅极沟道(23)。