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公开(公告)号：CN102026909B
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN200880129170.2
申请日：2008-12-02
申请人： 罗伯特·博世有限公司
IPC分类号： B81C1/00
摘要： 本发明提出一种用于制造芯片(1，2)的方法，其中，首先在半导体衬底(10)的表面层中生成至少一个跨越空穴(13)的薄膜(11，12)。随后将芯片(1，2)的功能性集成到所述薄膜(11，12)中。为了将芯片(1，2)分成单个，将薄膜(11，12)从衬底接合部脱开。根据本发明，应当在将芯片(1，2)从衬底接合部脱出之前在电镀工艺中对芯片背面进行金属化。
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公开(公告)号：CN102026909A
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200880129170.2
申请日：2008-12-02
申请人： 罗伯特·博世有限公司
IPC分类号： B81C1/00
摘要： 提出一种用于制造芯片(1，2)的方法，其中，首先在半导体衬底(10)的表面层中生成至少一个跨越空穴(13)的薄膜(11，12)。随后将芯片(1，2)的功能性集成到所述薄膜(11，12)中。为了将芯片(1，2)分成单个，将薄膜(11，12)从衬底接合部脱开。根据本发明，应当在将芯片(1，2)从衬底接合部脱出之前在电镀工艺中对芯片背面进行金属化。
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公开(公告)号：CN102056839B
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN200980121874.X
申请日：2009-04-21
申请人： 罗伯特·博世有限公司
IPC分类号： B81C1/00
CPC分类号： B81C1/00158 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , B81C2201/0115 , B81C2201/0136 , G01L9/0042
摘要： 本发明提出一种用于制造具有来自衬底背侧的入口的微机械膜片结构的方法。所述方法基于p掺杂的硅衬底(1)并且包括以下方法步骤：n掺杂衬底表面的至少一个连续的栅格状区域(2)，多孔蚀刻所述n掺杂的栅格结构(2)下方的衬底区域(5)，在所述n掺杂的栅格结构(2)下方的所述衬底区域(5)中产生一空腔(7)；在所述n掺杂的栅格结构(2)上生长第一单晶的硅外延层(8)。其特征在于，如此确定所述n掺杂的栅格结构(2)的至少一个开口(6)的尺寸，使得它不被生长的第一外延层(8)封闭，而是形成通到所述空腔(7)的进入开口(9)；在空腔壁上产生氧化层(10)；产生通到所述空腔(7)的背侧入口(13)，其中，所述空腔壁上的氧化层(10)充当蚀刻终止层；以及去除所述空腔(7)的区域中的氧化层(10)，使得形成通到被构造在所述空腔(7)上方的膜片结构(14)的背侧入口(13)。
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公开(公告)号：CN102056839A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200980121874.X
申请日：2009-04-21
申请人： 罗伯特·博世有限公司
IPC分类号： B81C1/00
CPC分类号： B81C1/00158 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , B81C2201/0115 , B81C2201/0136 , G01L9/0042
摘要： 本发明提出一种用于制造具有来自衬底背侧的入口的微机械膜片结构的方法。所述方法基于p掺杂的硅衬底(1)并且包括以下方法步骤：n掺杂衬底表面的至少一个连续的栅格状区域(2)，多孔蚀刻所述n掺杂的栅格结构(2)下方的衬底区域(5)，在所述n掺杂的栅格结构(2)下方的所述衬底区域(5)中产生一空腔(7)；在所述n掺杂的栅格结构(2)上生长第一单晶的硅外延层(8)。其特征在于，如此确定所述n掺杂的栅格结构(2)的至少一个开口(6)的尺寸，使得它不被生长的第一外延层(8)封闭，而是形成通到所述空腔(7)的进入开口(9)；在空腔壁上产生氧化层(10)；产生通到所述空腔(7)的背侧入口(13)，其中，所述空腔壁上的氧化层(10)充当蚀刻终止层；以及去除所述空腔(7)的区域中的氧化层(10)，使得形成通到被构造在所述空腔(7)上方的膜片结构(14)的背侧入口(13)。
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