公开(公告)号：CN103119724A

公开(公告)日：2013-05-22

申请号：CN201080010305.0

申请日：2010-01-25

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： T.维特里希 ,  M.维斯 ,  J.罗森 ,  K.迈尔

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18 ,  H01L21/22 ,  H01L21/66

CPC classification number: H01L31/022425 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种利用掺杂技术制造半导体器件的方法，其中在加工过程中形成了要准确地相互定位的层的序列，根据本发明，借助红外线灵敏的摄像装置确定在半导体基质中形成的选择性地掺杂的结构在基质中其所在的位置并且将如此发现的位置直接或间接地用于调整接下来的工艺步骤。

公开(公告)号：CN102449738A

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN201080023029.1

申请日：2010-03-26

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： T.维特里希 ,  J.洛森 ,  M.魏斯 ,  K.迈耶

IPC: H01L21/225 ,  H01L31/18 ,  H01L31/068

CPC classification number: H01L31/068 ,  H01L21/2255 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种用于制造具有选择性发射极的太阳能电池的方法。首先，提供无切割损伤的晶片（1）。然后，在整个面上将掺杂源（2）涂敷到晶片上以及掺杂物轻微地第一次向内扩散直到达到第一层电阻区域。接着，对所涂敷的掺杂源结构化，其中作为该结构化的结果仅仅剩下这样的区域（4），所述区域基本上对应于晶片上的之后要接触的片段。实施掺杂源从剩余区域进入到晶片体积中的另一第二次扩散直到达到选择性发射极（4）的第二层电阻区域以及同时对在第一次扩散中引入的掺杂物（5）进行重分布，其目标是降低接近表面的、不再用掺杂源覆盖的区域中的掺杂浓度，其程度是，第一层电阻区域的层电阻值大于第二层电阻区域的层电阻值。