公开(公告)号：CN102347591A

公开(公告)日：2012-02-08

申请号：CN201110216405.5

申请日：2011-07-29

申请人： 国立大学法人京都大学 ,  罗姆股份有限公司

发明人： 野田进 ,  坂口拓生 ,  长濑和也 ,  国师渡 ,  宫井英次 ,  三浦义胜 ,  大西大

IPC分类号： H01S5/323

CPC分类号： H01S5/105 ,  H01S5/1231 ,  H01S5/18316 ,  H01S5/18319 ,  H01S5/187 ,  H01S5/3013 ,  H01S2301/17

摘要： 本发明的二维光子晶体激光器的特征在于，具有：在以AlαGa1-αAs(0＜α＜1)或(AlβGa1-β)γIn1-γP(0≤β＜1、0＜γ＜1)作为原料的母材层内周期性地设置异折射率区域(空穴)(151)的二维光子晶体层(15)、和在二维光子晶体层(15)上利用外延法制作的外延生长层(16)。由于AlαGa1-αAs或(AlβGa1-β)γIn1-γP即使在高温下也很坚固，因此在制作外延生长层(16)时不会有破坏空穴(151)的形状的情况，可以将二维光子晶体层(15)的作为共振器的性能维持得较高。

公开(公告)号：CN116529853A

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202180076075.6

申请日：2021-10-07

申请人： 罗姆股份有限公司

发明人： 大岳浩隆 ,  柳原学 ,  长濑和也 ,  高堂真也

IPC分类号： H01L21/28

摘要： 氮化物半导体装置包含：源极电极，其经由第一开口部与第二氮化物半导体层相接，且一部分形成在钝化膜的上方；以及漏极电极，其经由第二开口部与第二氮化物半导体层相接，且以一部分隔着脊部与源极电极相对的方式形成在钝化膜的上方，第三氮化物半导体层在第一开口部的脊部侧端与脊部的第一开口部端之间和/或漏极电极的脊部侧端与脊部的第二开口部端之间具有延伸部，该延伸部从脊部的至少一个侧面的厚度中间位置的下侧部分向外侧延伸。

公开(公告)号：CN113748519A

公开(公告)日：2021-12-03

申请号：CN202080028512.2

申请日：2020-03-06

申请人： 罗姆股份有限公司

发明人： 大岳浩隆 ,  近松健太郎 ,  高堂真也 ,  长濑和也

IPC分类号： H01L29/47 ,  H01L29/812 ,  H01L29/778 ,  H01L29/872 ,  H01L21/337 ,  H01L29/808 ,  H01L21/338

摘要： 本发明的氮化物半导体装置1包含：第1氮化物半导体层4，构成电子移行层；第2氮化物半导体层5，形成在第1氮化物半导体层上，且构成电子供给层；及栅极部20，形成在第2氮化物半导体层上；栅极部20包含：隆脊形状的半导体栅极层21，形成在第2氮化物半导体层上，包括包含受体型杂质的氮化物半导体；及栅极电极22，形成在半导体栅极层上。半导体栅极层包括形成在第2氮化物半导体层上的栅极层主体部211、及形成在栅极层主体部的上表面的宽度中间部上的上方突出部212，在上方突出部的顶面上形成着栅极电极。