公开(公告)号：CN108074902A

公开(公告)日：2018-05-25

申请号：CN201711116668.2

申请日：2017-11-13

申请人： 罗姆股份有限公司

发明人： 近松健太郎 ,  齐藤光俊 ,  吉持贤一

IPC分类号： H01L23/495 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60

摘要： 本发明提供一种半导体器件，该半导体器件包括引线框架、晶体管、和密封树脂。引线框架具有漏极框架、源极框架、和栅极框架。漏极框架具有多个漏极框架指形部。源极框架具有多个源极框架指形部。漏极框架指形部和源极框架指形部在第1方向上交替地配置，且具有从第1方向看彼此重叠的部分。从第1方向看在漏极框架指形部和源极框架指形部彼此重叠的区域，漏极框架指形部和源极框架指形部的至少一者不从密封树脂的背面露出。

公开(公告)号：CN112071809B

公开(公告)日：2024-03-12

申请号：CN202010441462.2

申请日：2020-05-22

申请人： 罗姆股份有限公司

发明人： 大岳浩隆 ,  近松健太郎

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L29/778

摘要： 本发明提供一种谋求寄生电感的降低化的半导体装置。本发明的半导体装置(1)包含：半导体芯片(2)，具有正面(2a)及背面(2b)且在正面(2a)具有源极垫(11)、漏极垫(12)及栅极垫(13)；晶粒垫(3)，配置在半导体芯片(2)的下方，且接合着半导体芯片(2)的背面(2b)；源极引线(4)，电连接于晶粒垫(3)；漏极引线(5)及栅极引线(6)，配置在晶粒垫(3)的周围；以及密封树脂(8)，将半导体芯片(2)、晶粒垫(3)及各引线(4、5、6)密封。在半导体芯片(2)，形成着在俯视时配置在半导体芯片(2)的周缘部且连接于源极垫(11)的至少1个外部连接用通孔(60)。

公开(公告)号：CN113728419A

公开(公告)日：2021-11-30

申请号：CN202080030619.0

申请日：2020-03-06

申请人： 罗姆股份有限公司

发明人： 大岳浩隆 ,  近松健太郎 ,  阿久津稔 ,  髙堂真也

IPC分类号： H01L21/337 ,  H01L29/808 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

摘要： 本发明的氮化物半导体装置(1)包含：第1氮化物半导体层，构成电子移行层；第2氮化物半导体层，形成在第1氮化物半导体层上，带隙大于第1氮化物半导体层，且构成电子供给层；栅极部，形成在第2氮化物半导体层上；以及源极电极和漏极电极，隔着栅极部对向配置在第2氮化物半导体层上。栅极部包含：隆脊形状的第3氮化物半导体层，形成在第2氮化物半导体层上，含有受体型杂质；及栅极电极，形成在第3氮化物半导体层上。第3氮化物半导体层的膜厚大于100nm。

公开(公告)号：CN118284979A

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202280074081.2

申请日：2022-09-22

申请人： 罗姆股份有限公司

发明人： 近松健太郎

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/337 ,  H01L21/338 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812

摘要： 一种半导体装置(10)，具有：与晶体管的源极电极电耦合的源极布线(18)、与晶体管的漏极电极电耦合的漏极布线(20)、与源极布线(18)电耦合的源极焊盘(14)、以及与漏极布线(20)电耦合的漏极焊盘(16)。源极布线(18)包含第一源极布线部(18A)和具有比第一源极布线部(18A)的宽度大的宽度的第二源极布线部(18B)，漏极布线(20)包含第一漏极布线部(20A)和具有比第一漏极布线部(20A)的宽度大的宽度的第二漏极布线部(20B)。源极焊盘(14)在俯视图中与第二漏极布线部(20B)至少部分重叠，漏极焊盘(16)在俯视图中与第二源极布线部(18B)至少部分重叠。

公开(公告)号：CN108074902B

公开(公告)日：2021-02-12

申请号：CN201711116668.2

申请日：2017-11-13

申请人： 罗姆股份有限公司

发明人： 近松健太郎 ,  齐藤光俊 ,  吉持贤一

IPC分类号： H01L23/495 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60

摘要： 本发明提供一种半导体器件，该半导体器件包括引线框架、晶体管、和密封树脂。引线框架具有漏极框架、源极框架、和栅极框架。漏极框架具有多个漏极框架指形部。源极框架具有多个源极框架指形部。漏极框架指形部和源极框架指形部在第1方向上交替地配置，且具有从第1方向看彼此重叠的部分。从第1方向看在漏极框架指形部和源极框架指形部彼此重叠的区域，漏极框架指形部和源极框架指形部的至少一者不从密封树脂的背面露出。

公开(公告)号：CN112071809A

公开(公告)日：2020-12-11

申请号：CN202010441462.2

申请日：2020-05-22

申请人： 罗姆股份有限公司

发明人： 大岳浩隆 ,  近松健太郎

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L29/778

摘要： 本发明提供一种谋求寄生电感的降低化的半导体装置。本发明的半导体装置(1)包含：半导体芯片(2)，具有正面(2a)及背面(2b)且在正面(2a)具有源极垫(11)、漏极垫(12)及栅极垫(13)；晶粒垫(3)，配置在半导体芯片(2)的下方，且接合着半导体芯片(2)的背面(2b)；源极引线(4)，电连接于晶粒垫(3)；漏极引线(5)及栅极引线(6)，配置在晶粒垫(3)的周围；以及密封树脂(8)，将半导体芯片(2)、晶粒垫(3)及各引线(4、5、6)密封。在半导体芯片(2)，形成着在俯视时配置在半导体芯片(2)的周缘部且连接于源极垫(11)的至少1个外部连接用通孔(60)。

公开(公告)号：CN114981935A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202180009694.3

申请日：2021-01-15

申请人： 罗姆股份有限公司

发明人： 大岳浩隆 ,  近松健太郎

IPC分类号： H01L21/337 ,  H01L29/808 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/338 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

摘要： 氮化物半导体装置的制造方法包括：第二工序，在栅极层材料膜上形成作为栅电极的材料膜的栅电极膜；第三工序，选择性地对栅电极膜进行蚀刻，从而形成脊形状的栅电极(22)；以及第四工序，选择性地对栅极层材料膜进行蚀刻，从而形成脊形状的半导体栅极层(21)，该半导体栅极层在其表面的宽度中间部配置有栅电极(22)。第三工序包括：第一蚀刻工序，其用于形成从栅电极(22)的上端到厚度方向中途的第一部分(22A)；以及第二蚀刻工序，其是蚀刻条件与第一蚀刻工序不同的工序，用于形成栅电极的剩余的第二部分(22B)。

公开(公告)号：CN113748519A

公开(公告)日：2021-12-03

申请号：CN202080028512.2

申请日：2020-03-06

申请人： 罗姆股份有限公司

发明人： 大岳浩隆 ,  近松健太郎 ,  高堂真也 ,  长濑和也

IPC分类号： H01L29/47 ,  H01L29/812 ,  H01L29/778 ,  H01L29/872 ,  H01L21/337 ,  H01L29/808 ,  H01L21/338

摘要： 本发明的氮化物半导体装置1包含：第1氮化物半导体层4，构成电子移行层；第2氮化物半导体层5，形成在第1氮化物半导体层上，且构成电子供给层；及栅极部20，形成在第2氮化物半导体层上；栅极部20包含：隆脊形状的半导体栅极层21，形成在第2氮化物半导体层上，包括包含受体型杂质的氮化物半导体；及栅极电极22，形成在半导体栅极层上。半导体栅极层包括形成在第2氮化物半导体层上的栅极层主体部211、及形成在栅极层主体部的上表面的宽度中间部上的上方突出部212，在上方突出部的顶面上形成着栅极电极。