公开(公告)号：CN101283066A

公开(公告)日：2008-10-08

申请号：CN200680030250.3

申请日：2006-08-16

申请人： 罗狄亚化学公司

发明人： 伊夫·吉罗 ,  卡罗尔·韦尔格拉提 ,  迪迪埃·蒂皮尼耶 ,  卢多维克·奥多尼 ,  夏洛特·巴西尔 ,  莱斯·特鲁耶

IPC分类号： C09D183/04 ,  H01L21/312

CPC分类号： H01L21/316 ,  C09D183/04 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/3122 ,  Y10T428/249953 ,  Y10T428/265 ,  C08L83/00

摘要： 本发明涉及制备低介电常数的硅氧烷涂层的方法，其包括以下基本步骤：a)将成膜的硅氧烷组合物沉积至基质的表面，所述硅氧烷组合物包含：(i)至少一种可交联的、成膜的有机硅树脂，(ii)至少一种在加热作用下能够降解的、α，ω－羟基化的、基本线性的硅油，以及(iii)至少一种能够使所述有机硅树脂(i)与所述硅油(ii)相容的溶剂，b)优选通过加热，并且同时或依次地除去所述溶剂(iii)，c)通过加热将所述成膜的硅氧烷组合物固化。本发明还涉及通过此方法得到的硅氧烷涂层以及包含这种硅氧烷涂层作为电绝缘体的集成电路。

公开(公告)号：CN101283066B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN200680030250.3

申请日：2006-08-16

申请人： 罗狄亚化学公司

发明人： 伊夫·吉罗 ,  卡罗尔·韦尔格拉提 ,  迪迪埃·蒂皮尼耶 ,  卢多维克·奥多尼 ,  夏洛特·巴西尔 ,  莱斯·特鲁耶

IPC分类号： C09D183/04 ,  H01L21/312

CPC分类号： H01L21/316 ,  C09D183/04 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/3122 ,  Y10T428/249953 ,  Y10T428/265 ,  C08L83/00

摘要： 本发明涉及制备低介电常数的硅氧烷涂层的方法，其包括以下基本步骤：a)将成膜的硅氧烷组合物沉积至基质的表面，所述硅氧烷组合物包含：(i)至少一种可交联的、成膜的有机硅树脂，(ii)至少一种在加热作用下能够降解的、α，ω-羟基化的、基本线性的硅油，以及(iii)至少一种能够使所述有机硅树脂(i)与所述硅油(ii)相容的溶剂，b)优选通过加热，并且同时或依次地除去所述溶剂(iii)，c)通过加热将所述成膜的硅氧烷组合物固化。本发明还涉及通过此方法得到的硅氧烷涂层以及包含这种硅氧烷涂层作为电绝缘体的集成电路。