-
公开(公告)号：CN104749888B
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201410858486.2
申请日：2014-12-30
申请人： 罗门哈斯电子材料有限公司
摘要： 提供了修整光致抗蚀剂图案的组合物和方法。光致抗蚀剂修整组合物包括：基体聚合物，其包括从以下通式(I)的单体形成的单元，其中：R1选自氢、氟、C1‑C3烷基、和C1‑C3氟烷基；R2选自C1‑C15亚烃基；且R3选自C1‑C3氟烷基；不含氟的芳酸；和溶剂。所述组合物和方法特别适用于半导体设备的制造。
-
公开(公告)号：CN103852973B
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201310757277.4
申请日：2013-11-29
申请人： 罗门哈斯电子材料有限公司
CPC分类号： G03F7/40 , C07C309/03 , C07C309/06 , C07D239/26 , C07D241/12 , C07D263/32 , C07D277/22 , C07D333/48 , G03F7/0397 , G03F7/09 , G03F7/091 , G03F7/11 , G03F7/30 , G03F7/405
摘要： 本发明提供了种新的离子型热酸生成剂组合物。同样提供了光刻胶组合物、抗反射涂覆组合物,和化学修整外涂层组合物,和使用这些组合物的方法。
-
公开(公告)号：CN104749888A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201410858486.2
申请日：2014-12-30
申请人： 罗门哈斯电子材料有限公司
摘要： 提供了修整光致抗蚀剂图案的组合物和方法。光致抗蚀剂修整组合物包括：基体聚合物，其包括从以下通式(I)的单体形成的单元，其中：R1选自氢、氟、C1-C3烷基、和C1-C3氟烷基；R2选自C1-C15亚烃基；且R3选自C1-C3氟烷基；不含氟的芳酸；和溶剂。所述组合物和方法特别适用于半导体设备的制造。
-
公开(公告)号：CN103852973A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201310757277.4
申请日：2013-11-29
申请人： 罗门哈斯电子材料有限公司
CPC分类号： G03F7/40 , C07C309/03 , C07C309/06 , C07D239/26 , C07D241/12 , C07D263/32 , C07D277/22 , C07D333/48 , G03F7/0397 , G03F7/09 , G03F7/091 , G03F7/11 , G03F7/30 , G03F7/405
摘要： 本发明提供了一种新的离子型热酸生成剂组合物。同样提供了光刻胶组合物、抗反射涂覆组合物，和化学修整外涂层组合物，和使用这些组合物的方法。
-
-
-
搜索结果
4 条记录 (耗时 0.025 秒)
