公开(公告)号：CN102603579B

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：CN201110463334.9

申请日：2011-12-31

申请人： 罗门哈斯电子材料有限公司 ,  陶氏环球技术有限公司

发明人： J·W·撒克里 ,  S·M·科利 ,  V·简恩 ,  O·昂格伊 ,  J·F·卡梅伦 ,  P·J·拉博姆 ,  A·E·麦德考尔

IPC分类号： C07C309/42 ,  C07C309/12 ,  C07C303/32 ,  C07C381/12 ,  C07C25/02 ,  C07D333/76 ,  C08F220/38 ,  C08F220/18 ,  C08F220/30 ,  C08F220/28 ,  C08F212/32 ,  G03F7/004

CPC分类号： G03F7/0045 ,  C07C309/12 ,  C07C309/42 ,  C07C381/12 ,  C07D333/76 ,  C08F220/38 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/20 ,  Y10S430/122 ,  Y10S430/123 ,  Y10S430/126

摘要： 可聚合光产酸剂。一种化合物，具有结构式(I)：Q-O-(A)-Z-G+ (I)，其中Q是卤代或非卤代的含C2-30烯烃基团，A是氟代C1-30亚烷基、氟代C3-30亚环烷基、氟代C6-30亚芳基或氟代C7-30亚烷基-亚芳基，Z是包含磺酸盐、磺酰胺或磺酰亚胺的阴离子基团，以及G+具有结构式(II)：其中X是S或I，每个R0是卤代或非卤代的并独立地为C1-30烷基、多环或单环C3-30环烷基、多环或单环C4-30芳基或包含前述至少一种的组合，其中当X是S时，所述R0基团中的一个任选地通过单键与一个相邻的R0基团连接，并且a是2或3，其中当X是I时，a是2，或者当X是S时，a是3。公开了共聚物、光致抗蚀剂、涂覆的基材和图案化方法。

公开(公告)号：CN102603579A

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN201110463334.9

申请日：2011-12-31

申请人： 罗门哈斯电子材料有限公司 ,  陶氏环球技术有限公司

发明人： J·W·撒克里 ,  S·M·科利 ,  V·简恩 ,  O·昂格伊 ,  J·F·卡梅伦 ,  P·J·拉博姆 ,  A·E·麦德考尔

IPC分类号： C07C309/42 ,  C07C309/12 ,  C07C303/32 ,  C07C381/12 ,  C07C25/02 ,  C07D333/76 ,  C08F220/38 ,  C08F220/18 ,  C08F220/30 ,  C08F220/28 ,  C08F212/32 ,  G03F7/004

CPC分类号： G03F7/0045 ,  C07C309/12 ,  C07C309/42 ,  C07C381/12 ,  C07D333/76 ,  C08F220/38 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/20 ,  Y10S430/122 ,  Y10S430/123 ,  Y10S430/126

摘要： 可聚合光产酸剂。一种化合物，具有结构式(I)：Q-O-(A)-Z-G+ (I)，其中Q是卤代或非卤代的含C2-30烯烃基团，A是氟代C1-30亚烷基、氟代C3-30亚环烷基、氟代C6-30亚芳基或氟代C7-30亚烷基-亚芳基，Z是包含磺酸盐、磺酰胺或磺酰亚胺的阴离子基团，以及G+具有结构式(II)：其中X是S或I，每个R0是卤代或非卤代的并独立地为C1-30烷基、多环或单环C3-30环烷基、多环或单环C4-30芳基或包含前述至少一种的组合，其中当X是S时，所述R0基团中的一个任选地通过单键与一个相邻的R0基团连接，并且a是2或3，其中当X是I时，a是2，或者当X是S时，a是3。公开了共聚物、光致抗蚀剂、涂覆的基材和图案化方法。

公开(公告)号：CN110531581A

公开(公告)日：2019-12-03

申请号：CN201910842301.1

申请日：2011-11-30

申请人： 罗门哈斯电子材料有限公司 ,  陶氏环球技术有限公司

发明人： J·W·撒克里 ,  S·M·科利 ,  J·F·卡梅伦 ,  P·J·拉博姆 ,  O·昂格伊 ,  V·杰恩 ,  A·E·麦德考尔

IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/039 ,  G03F7/00

摘要： 光酸发生剂。一种以式(I)所示的光酸发生剂化合物：G+Z-(I)，其中G具有式(II) 其中在式(II)中，X是S或I，每个R0通常连接到X，且独立的为C1-30烷基；多环或单环C3-30环烷基；多环或单环C6-30芳基；或包括前述至少之一的组合，G具有大于263.4g/mol的分子量，或G具有小于263.4g/mol的分子量，且一个或多个R0基团进一步连接到相邻的R0基，a是2或3，其中当X是I时，a是2，或当X是S时，a是2或3，且式(I)中的Z包括磺酸阴离子、磺酰亚胺或磺胺。光致抗蚀剂和涂敷薄膜也包括光酸发生剂和聚合物，以及使用所述光致抗蚀剂的电子设备的形成方法。

公开(公告)号：CN102617430A

公开(公告)日：2012-08-01

申请号：CN201110463187.5

申请日：2011-11-30

申请人： 罗门哈斯电子材料有限公司 ,  陶氏环球技术有限公司

发明人： J·W·撒克里 ,  S·M·科利 ,  J·F·卡梅伦 ,  P·J·拉博姆 ,  O·昂格伊 ,  V·杰恩 ,  A·E·麦德考尔

IPC分类号： C07C381/12 ,  C07C309/06 ,  C07C303/32 ,  G03F7/004 ,  G03F7/039 ,  G03F7/00

摘要： 光酸发生剂。一种以式(I)所示的光酸发生剂化合物：G+Z-(I)，其中G具有式(II)(II)，其中在式(II)中，X是S或I，每个R0通常连接到X，且独立的为C1-30烷基；多环或单环C3-30环烷基；多环或单环C6-30芳基；或包括前述至少之一的组合，G具有大于263.4g/mol的分子量，或G具有小于263.4g/mol的分子量，且一个或多个R0基团进一步连接到相邻的R0基，a是2或3，其中当X是I时，a是2，或当X是S时，a是2或3，且式(I)中的Z包括磺酸阴离子、磺酰亚胺或磺胺。光致抗蚀剂和涂敷薄膜也包括光酸发生剂和聚合物，以及使用所述光致抗蚀剂的电子设备的形成方法。

公开(公告)号：CN104614938A

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201410755986.3

申请日：2014-09-29

申请人： 罗门哈斯电子材料有限公司

发明人： P·J·拉博姆

IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/00 ,  C07D333/76 ,  C07D335/16 ,  C07D409/12 ,  C07C381/12 ,  C07C303/32 ,  C07C309/12

摘要： 芳基乙酸鎓材料。提供了一种包含式(I)结构的产酸剂，其中，Z-是平衡阴离子；X是硫或碘；R为氢或非氢取代基；R’和R”是相同或不同的非氢取代基，并且可以任选形成环，条件是如果X是碘，R’和R”中的一个不存在；A是任选取代的碳环芳基或任选取代的杂芳基基团。

公开(公告)号：CN104570602B

公开(公告)日：2019-12-10

申请号：CN201410755977.4

申请日：2014-09-29

申请人： 罗门哈斯电子材料有限公司

发明人： P·J·拉博姆

IPC分类号： G03F7/004 ,  C07D333/76 ,  C07D335/16 ,  C07D327/08 ,  C07D333/46 ,  C07C323/62 ,  C07C69/65 ,  C07C69/67 ,  C07C323/19 ,  G03F7/00

摘要： 取代的芳基鎓材料。提供一种包含式(I)结构的产酸剂：其中，Z‑是平衡阴离子；X是硫或碘；R0为氢或非氢取代基；R’和R”是相同或不同的非氢取代基，并且可以任选形成环，条件是如果X是碘，R’和R”中的一个不存在；W是‑O‑、‑S‑、＞CO、‑O(C＝O)‑、‑(C＝O)O‑、‑N(C＝O)‑、‑C＝ON‑或‑C(＝O)O(CX’X”)nC(＝O)O‑，其中n是正整数，每个X’和X”独立地为氢或非氢取代基；A是任选取代的碳环芳基或任选取代的杂芳基基团；Q为任选取代的亚烷基，任选取代的亚烯基，或任选取代的亚炔基；和E和E’各自独立地是氢或非氢取代基，E和E’中的至少一个是非氢取代基，。

公开(公告)号：CN104614938B

公开(公告)日：2019-12-20

申请号：CN201410755986.3

申请日：2014-09-29

申请人： 罗门哈斯电子材料有限公司

发明人： P·J·拉博姆

IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/00 ,  C07D333/76 ,  C07D335/16 ,  C07D409/12 ,  C07C381/12 ,  C07C303/32 ,  C07C309/12

摘要： 芳基乙酸鎓材料。提供了一种包含式(I)结构的产酸剂，其中，Z‑是平衡阴离子；X是硫或碘；R为氢或非氢取代基；R’和R”是相同或不同的非氢取代基，并且可以任选形成环，条件是如果X是碘，R’和R”中的一个不存在；A是任选取代的碳环芳基或任选取代的杂芳基基团，。

公开(公告)号：CN105272893A

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201510271074.3

申请日：2015-05-25

申请人： 罗门哈斯电子材料有限公司

发明人： P·J·拉博姆

IPC分类号： C07C381/12 ,  C07D333/76 ,  C08L33/16 ,  C08L33/14 ,  G03F7/004

CPC分类号： C07D333/76 ,  C07C39/27 ,  C07C381/12 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/0397

摘要： 一种光可破坏淬灭剂具有以下结构：其中X、n和R1-R6如本文所定义，并且R2、R3、R4、R5和R6中的至少一者是卤素、硝基、C1-12氟化烷基、氰基、醛、C2-20酯、C2-20酮、C1-20磺基烃基、C1-20磺酰基烃基或磺酰胺。光可破坏淬灭剂展现相对于苯酚化三苯基锍盐改进的溶液稳定性和减少吸湿特性。一种包含酸敏感性聚合物、光酸产生剂和以上光可破坏淬灭剂的光致抗蚀剂组合物展现相对于对应光致抗蚀剂组合物比较性光可破坏淬灭剂而增加的对比度和/或临界尺寸均匀性。

公开(公告)号：CN104570602A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201410755977.4

申请日：2014-09-29

申请人： 罗门哈斯电子材料有限公司

发明人： P·J·拉博姆

IPC分类号： G03F7/004 ,  C07D333/76 ,  C07D335/16 ,  C07D327/08 ,  C07D333/46 ,  C07C323/62 ,  C07C69/65 ,  C07C69/67 ,  C07C323/19 ,  G03F7/00

摘要： 取代的芳基鎓材料。提供一种包含式(I)结构的产酸剂：其中，Z-是平衡阴离子；X是硫或碘；R0为氢或非氢取代基；R’和R”是相同或不同的非氢取代基，并且可以任选形成环，条件是如果X是碘，R’和R”中的一个不存在；W是-O-、-S-、＞CO、-O(C＝O)-、-(C＝O)O-、-N(C＝O)-、-C＝ON-或-C(＝O)O(CX’X”)nC(＝O)O-，其中n是正整数，每个X’和X”独立地为氢或非氢取代基；A是任选取代的碳环芳基或任选取代的杂芳基基团；Q为任选取代的亚烷基，任选取代的亚烯基，或任选取代的亚炔基；和E和E’各自独立地是氢或非氢取代基，E和E’中的至少一个是非氢取代基。