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公开(公告)号：CN117119801A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202310449494.0
申请日：2023-04-24
申请人： 美光科技公司
摘要： 本申请涉及一种包括存储器单元串的存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法。存储器阵列包括带有导体材料的导体层。横向间隔开的存储器块个别地包括竖直堆叠，竖直堆叠包括交替的绝缘层和导电层。存储器单元的沟道材料串延伸穿过绝缘层和导电层。导电层中的下部导电层的传导材料将沟道材料串中的个别者的沟道材料与导体层的导体材料直接电耦合在一起。下部导电层中的传导材料包括上部导电掺杂的半导电材料、下部导电掺杂的半导电材料以及竖直处于它们之间的中间材料。中间材料的组成与上部导电掺杂的半导电材料和下部导电掺杂的半导电材料的组成不同，并且包括碳、氮、氧、金属和还包括硼的n型掺杂材料中的至少一种。
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公开(公告)号：CN113675207B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202110510311.2
申请日：2021-05-11
申请人： 美光科技公司
摘要： 本发明涉及集成组件以及形成集成组件的方法。一些实施例包含一种集成组件，其具有含有半导体材料的第一结构，且具有接触所述第一结构的第二结构。所述第一结构具有沿着与所述第二结构的界面的组成物。所述组成物包含浓度在约1018原子/cm3到约1021原子/cm3范围内的添加剂。所述添加剂包含碳、氧、氮和硫中的一或多种。一些实施例包含形成集成组件的方法。
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公开(公告)号：CN111987098A
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN202010311532.2
申请日：2020-04-20
申请人： 美光科技公司
IPC分类号： H01L27/108 , H01L21/8242
摘要： 本专利申请案涉及包含层压间隔件结构的设备、存储器装置、电子系统及方法。一种设备包括导电结构、另一导电结构及在第一方向上插入于所述导电结构与所述另一导电结构之间的层压间隔件结构。所述层压间隔件结构包括电介质间隔件结构、另一电介质间隔件结构及插入于所述电介质间隔件结构与所述另一电介质间隔件结构之间的额外电介质间隔件结构。所述额外电介质间隔件结构包括至少一个电介质材料及分散于所述至少一个电介质材料内的气窝。
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公开(公告)号：CN113675207A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202110510311.2
申请日：2021-05-11
申请人： 美光科技公司
IPC分类号： H01L27/11565 , H01L27/1157 , H01L27/11582
摘要： 本发明涉及集成组件以及形成集成组件的方法。一些实施例包含一种集成组件，其具有含有半导体材料的第一结构，且具有接触所述第一结构的第二结构。所述第一结构具有沿着与所述第二结构的界面的组成物。所述组成物包含浓度在约1018原子/cm3到约1021原子/cm3范围内的添加剂。所述添加剂包含碳、氧、氮和硫中的一或多种。一些实施例包含形成集成组件的方法。
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公开(公告)号：CN111312714A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201911261675.0
申请日：2019-12-10
申请人： 美光科技公司
IPC分类号： H01L27/11524 , H01L27/11556 , H01L27/1157 , H01L27/11582
摘要： 本申请案涉及包含蚀刻停止材料的微电子装置及电子系统且涉及相关方法。一种微电子装置包括：半导体材料，其延伸穿过导电材料及绝缘材料的交替层级的堆叠；及包括氧化铈及至少另一氧化物的材料，其邻近于所述半导体材料。还揭示相关电子系统及方法。
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