公开(公告)号：CN107180825A

公开(公告)日：2017-09-19

申请号：CN201710139456.X

申请日：2017-03-10

申请人： 美国亚德诺半导体公司

发明人： D·波罗格尼亚

IPC分类号： H01L25/16 ,  H01L23/31

摘要： 本发明涉及带用于射频吸收器的屏障的半导体封装。本文描述了半导体封装和制造半导体封装的方法。在一些实施方案中，半导体封装包括壳体，壳体包括第一隔室和第二隔室，第一隔室和第二隔室彼此分开。半导体封装还可以包括布置在第一隔室内的集成器件裸片，以及布置在第二隔室内的射频(RF)吸收器。

公开(公告)号：CN107180796B

公开(公告)日：2020-10-23

申请号：CN201710139455.5

申请日：2017-03-10

申请人： 美国亚德诺半导体公司

发明人： D·波罗格尼亚 ,  朱静文

IPC分类号： H01L23/10 ,  H01L23/60

摘要： 本文描述了半导体封装以及制造半导体封装的方法，还涉及用于半导体封装的密封。在一些实施方案中，半导体封装包括基板、附接到基板的壁、布置在壁的底面与基板的顶面之间的第一粘合剂层，以及围绕第一粘合剂层的外周布置的第二粘合剂层，该第二粘合剂层布置成邻近且接触壁，第二粘合剂层不同于第一粘合剂层，其中第一粘合剂层和第二粘合剂层的至少之一将壁电接地。

公开(公告)号：CN107180825B

公开(公告)日：2020-05-19

申请号：CN201710139456.X

申请日：2017-03-10

申请人： 美国亚德诺半导体公司

发明人： D·波罗格尼亚

IPC分类号： H01L25/16 ,  H01L23/31

摘要： 本发明涉及带用于射频吸收器的屏障的半导体封装。本文描述了半导体封装和制造半导体封装的方法。在一些实施方案中，半导体封装包括壳体，壳体包括第一隔室和第二隔室，第一隔室和第二隔室彼此分开。半导体封装还可以包括布置在第一隔室内的集成器件裸片，以及布置在第二隔室内的射频(RF)吸收器。

公开(公告)号：CN107180796A

公开(公告)日：2017-09-19

申请号：CN201710139455.5

申请日：2017-03-10

申请人： 美国亚德诺半导体公司

发明人： D·波罗格尼亚 ,  朱静文

IPC分类号： H01L23/10 ,  H01L23/60

CPC分类号： H01L23/053 ,  H01L23/10 ,  H01L24/06 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/16195 ,  H01L2924/3025 ,  H01L23/60

摘要： 本文描述了半导体封装以及制造半导体封装的方法，还涉及用于半导体封装的密封。在一些实施方案中，半导体封装包括基板、附接到基板的壁、布置在壁的底面与基板的顶面之间的第一粘合剂层，以及围绕第一粘合剂层的外周布置的第二粘合剂层，该第二粘合剂层布置成邻近且接触壁，第二粘合剂层不同于第一粘合剂层，其中第一粘合剂层和第二粘合剂层的至少之一将壁电接地。

公开(公告)号：CN208507652U

公开(公告)日：2019-02-15

申请号：CN201820281222.9

申请日：2018-02-28

申请人： 美国亚德诺半导体公司

发明人： 白佳文 ,  D·波罗格尼亚

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L23/367

摘要： 本实用新型涉及集成器件封件。本实用新型的一个目的是提供集成器件封件。该集成器件封件包括：封件基板；与所述封装基板电连接的热电发生器(“TEG”)器件，所述TEG器件被配置为将热能转换为电流；和设置在所述TEG器件的前侧上的磁体，所述磁体被配置为连接热源并且限定所述热源与所述TEG器件之间的导热路径。一个实施例已经解决了技术问题中的至少一个并且实现了本实用新型的相应的有利效果。