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公开(公告)号：CN107293541A
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201610862478.4
申请日：2016-09-28
申请人： 意法半导体(图尔)公司
发明人： S·蒙纳德
IPC分类号： H01L27/08 , H01L29/747
CPC分类号： H01L29/747 , H01L27/0248 , H01L29/41716 , H01L29/42308 , H01L29/7404 , H01L29/7416 , H01L29/87 , H01L27/0817
摘要： 三端双向可控硅开关具有从硅衬底形成的竖直结构，硅衬底具有上侧表面。上侧表面上的主涂敷金属的第一部分置于被形成在第二传导类型的层中的第一传导类型的第一区域上。主涂敷金属的第二部分置于上述层的部分上。上侧表面上的栅极涂敷金属置于在第一区域的附近形成在上述层中的第一传导类型的第二区域上。在上侧表面上形成在上述层中的多孔硅棒具有与栅极涂敷金属接触的第一端以及与主涂敷金属接触的第二端。
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公开(公告)号：CN102569375B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201110415436.3
申请日：2011-12-08
申请人： 意法半导体(图尔)公司
IPC分类号： H01L29/747 , H01L29/06
CPC分类号： H01L29/747 , H01L29/74
摘要： 本发明涉及四象限三端双向可控硅开关。提供一种竖直四象限三端双向可控硅开关，其中布置在前表面侧上的栅极区域包括第一导电类型的U形区域，该U形的底部抵靠该结构的一边，第二导电类型的主前表面区域在所述栅极区域的前面延伸并且被第一导电类型的所述主前表面区域的部分包围。
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公开(公告)号：CN102171826B
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN200980138445.3
申请日：2009-07-24
申请人： 阿狄森·R·克罗基特
发明人： R·R·鲍曼
IPC分类号： H01L29/00
CPC分类号： H01L21/76224 , H01L29/0611 , H01L29/0661 , H01L29/66272 , H01L29/732 , H01L29/7322 , H01L29/74 , H01L29/747 , H01L29/861
摘要： 一种分立半导体器件具有基板，其具有第一导电类型的半导体材料。第一半导体层在该基板上形成。该第一半导体层具有第一导电类型的半导体材料。第二半导体层在第一半导体层上。该第二半导体层具有第二导电类型的半导体材料。沟槽穿过该第二半导体层形成且延伸到该第二半导体层中。沟槽具有圆形或多边形形状以及垂直侧壁。沟槽衬有绝缘层且填充有绝缘材料。该第一和第二半导体层之间的边界形成p-n结。该沟槽环绕该p-n结以终止在该第二半导体层上强加的电压的电场。该分立半导体器件还可以是晶体管、晶闸管、三端双向可控硅开关元件或瞬时电压抑制器。
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公开(公告)号：CN101552465B
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN200910127905.4
申请日：2009-03-25
申请人： 半导体元件工业有限责任公司
IPC分类号： H02H9/04 , H01L21/822
CPC分类号： H01L29/87 , H01L29/747 , H01L29/866
摘要： 瞬变电压抑制器和用于制造瞬变电压抑制器的方法，该瞬变电压抑制器在接近齐纳区的栅极区的一部分中具有的掺杂物或载流子浓度不同于在远离齐纳区的栅极区的一部分中的掺杂物浓度。
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公开(公告)号：CN103456779A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201310216453.3
申请日：2013-05-29
申请人： 意法半导体(图尔)公司 , 法国国立图尔大学
CPC分类号： H01L29/74 , H01L29/0646 , H01L29/0649 , H01L29/0661 , H01L29/66386 , H01L29/747
摘要： 本发明公开了一种竖直功率部件，包括：第一传导类型的硅衬底；在衬底的支撑单个电极的下表面侧上的第二传导类型的下层；和在衬底的支撑传导电极和栅极电极的上表面侧上的第二传导类型的上区域，其中，部件外围包括：在下表面侧上，穿入衬底向下至比下层的深度的大深度的多孔硅绝缘环。
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公开(公告)号：CN103456731A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201310210755.X
申请日：2013-05-31
申请人： 美国亚德诺半导体公司
发明人： J·A·萨塞多
IPC分类号： H01L27/02 , H01L21/822
CPC分类号： H01L29/747 , H01L27/0259 , H01L27/0921
摘要： 本发明涉及精密收发器的低电压保护设备及其形成方法。提供了一种双向保护设备包括双向NPN双极晶体管，其包括由第一n阱区形成的发射极／集电极、由p阱区形成的基极，以及由第二n阱区形成的集电极／发射极。P型有源区形成在第一n阱区和第二n阱区中以形成PNPNP结构，使用由n型盆和p型盆组成的双盆隔离使PNPNP结构与衬底隔离。所述双盆隔离通过防止与PNPNP结构相关联的阱将载流子注入到衬底中而防止在集成电路供电的应力状态期间引起的闭锁。选择有源区和与PNPNP结构相关联的阱的大小、间距和掺杂浓度以提供触发电压和保持电压特性的微调控制，从而使能够在使用低电压精密接口信号的高电压应用中实施双向保护设备。
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公开(公告)号：CN102122945A
公开(公告)日：2011-07-13
申请号：CN201010602675.5
申请日：2010-11-04
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H03K17/72
CPC分类号： H01L29/167 , H01L29/0657 , H01L29/32 , H01L29/7436 , H01L29/747 , H01L31/1113
摘要： 本发明涉及一种半导体器件及一种制造半导体器件的方法。一种半导体器件包括第一器件(100)，第二器件(200)；在其中横向彼此相邻地实施第一器件(100)和第二器件(200)的衬底(300)；以及复合区域(400)。所述复合区域(400)实施于第一器件(100)和第二器件(200)之间的衬底(300)中，从而在第一器件(100)和第二器件(200)之间扩散的电荷载流子复合。
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公开(公告)号：CN1897778B
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN200610094531.7
申请日：2006-06-09
申请人： 广鹏科技股份有限公司
CPC分类号： H05B33/089 , H01L27/0248 , H01L29/747 , H05B33/083 , H05B37/036 , Y02B20/341
摘要： 一种提供反向电流路径和开路保护的集成电路，其中包含一负载、一触发电路以及一分流电路，用于提供对具串联结构的大尺寸发光二极管显示器的反向电流路径和开路保护。当发生静电放电或负载极性反接时，该集成电路的分流电路会将发光二极管显示器的反向电流分流，并且在一发光二极管毁坏时提供另一电流路径，使其它仍可工作的发光二极管可以继续发光。
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公开(公告)号：CN108781076A
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201680083394.9
申请日：2016-12-30
申请人： 理想能量有限公司
发明人： 威廉·C·亚历山大
CPC分类号： H01L27/0694 , H01L29/1004 , H01L29/407 , H01L29/41708 , H01L29/73 , H01L29/732 , H01L29/7322 , H01L29/747 , H03K17/567 , H03K17/668
摘要： 本申请公开了为B-TRAN类装置提供被动截止保护的新方法。即使控制电路不起作用，AC耦合也使用外部端子上的瞬变电压以防止将发射极结正向偏压。优选地，实施二极管模式和预截止操作的相同开关用作被动截止电路操作的一部分。
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公开(公告)号：CN104040723B
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201180076227.9
申请日：2011-04-22
申请人： 意法半导体(图尔)公司
发明人： S·梅纳尔
IPC分类号： H01L29/747
CPC分类号： H01L29/747
摘要： 本发明涉及一种参考后表面的控制类型的垂直双向开关，包括在其后表面上的第一主电极(A1)、在其前表面上的第二主电极(A2)以及栅极电极(G)。所述开关能够由栅极电极与第一电极之间的正电压控制。在所述开关中，栅极电极(G)被布置在穿过其中形成开关的芯片的过孔的前表面上。
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