制造卤代硅氧烷的方法
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110621679B

    公开(公告)日:2023-06-30

    申请号:CN201880031624.6

    申请日:2018-05-24

    IPC分类号: C07F7/12 C01B33/107

    摘要: 一种生产卤代硅氧烷的方法,所述方法包括:i)将水、卤代硅烷和第一溶剂组合以形成反应混合物,ii)将所述卤代硅烷部分水解并缩合以形成包含所述卤代硅氧烷、所述溶剂、未反应的卤代硅烷和卤化氢的反应产物混合物,iii)将第二溶剂添加到i)中的所述反应混合物中或ii)中的所述反应产物混合物中,其中所述第二溶剂具有所述卤代硅氧烷的沸点的沸点,以及iv)从所述反应产物混合物中回收所述卤代硅氧烷。

    制造卤代硅氧烷的方法
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110621679A

    公开(公告)日:2019-12-27

    申请号:CN201880031624.6

    申请日:2018-05-24

    IPC分类号: C07F7/12 C01B33/107

    摘要: 一种生产卤代硅氧烷的方法,所述方法包括:i)将水、卤代硅烷和第一溶剂组合以形成反应混合物,ii)将所述卤代硅烷部分水解并缩合以形成包含所述卤代硅氧烷、所述溶剂、未反应的卤代硅烷和卤化氢的反应产物混合物,iii)将第二溶剂添加到i)中的所述反应混合物中或ii)中的所述反应产物混合物中,其中所述第二溶剂具有所述卤代硅氧烷的沸点的沸点,以及iv)从所述反应产物混合物中回收所述卤代硅氧烷。

    三氯二硅烷
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109715850A

    公开(公告)日:2019-05-03

    申请号:CN201780057569.3

    申请日:2017-09-21

    摘要: 本发明公开了用于沉积的硅前体化合物,所述硅前体化合物包含三氯二硅烷;用于成膜的组合物,所述组合物包含硅前体化合物和以下各项中的至少一者:惰性气体、分子氢、碳前体、氮前体和氧前体;使用所述硅前体化合物在基底上形成含硅膜的方法;以及由此形成的所述含硅膜。

    制备有机氨基硅烷的方法;由有机氨基硅烷制备甲硅烷基胺的方法

    公开(公告)号:CN108602839A

    公开(公告)日:2018-09-28

    申请号:CN201680080575.6

    申请日:2016-12-16

    IPC分类号: C07F7/10 C07F7/20

    摘要: 一种制备有机氨基硅烷化合物的方法,该方法包括:i)使以下组分混合:A)包含伯胺或仲胺的化合物,B)甲硅烷(SiH4),以及C)催化剂,其中催化剂包含镁或硼,其中A)、B)和C)在足以形成有机氨基硅烷化合物和氢气的条件下混合。一种制备甲硅烷基胺的方法,该方法包括:i)通过使以下组分混合形成有机氨基硅烷化合物:A)包含伯胺或仲胺的化合物,B)甲硅烷(SiH4),以及C)催化剂,其中催化剂包含镁或硼;以及ii)使氨与i)中所产生的有机氨基硅烷化合物在足以形成甲硅烷基胺产物和副产物的条件下混合,其中副产物是伯胺或仲胺。