公开(公告)号：CN117784526A

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202211148267.6

申请日：2022-09-20

申请人： 联华电子股份有限公司

发明人： 张君毅 ,  黄文良

IPC分类号： G03F7/20

摘要： 本发明公开一种掩模图案光学转移的最适化方法，包括下述步骤：首先，进行投影光学模拟，以获取对应于一虚拟掩模图案的较佳光瞳配置方案。接着，进行位置扫描，变更较佳光瞳配置方案，产生多个调整光瞳配置方案。进行掩模图案转移模拟，以获取对应于虚拟掩模图案的多个光瞳配置方案‑关键尺寸关系数据。后续，根据多个掩模图案‑光瞳配置方案‑关键尺寸关系数据，选择一个适于一实作掩模图案的实作光瞳配置方案，由此进行实际掩模图案转移。

公开(公告)号：CN118919533A

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202310614242.9

申请日：2023-05-29

申请人： 联华电子股份有限公司

发明人： 胡雅婷 ,  王智亿 ,  王尧展 ,  陈纬哲 ,  曾坤赐 ,  何昀洋 ,  黄文良 ,  郭龙恩 ,  陈柏苍 ,  林伯璋 ,  陈映先

IPC分类号： H01L27/07

摘要： 本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中该半导体元件包含一基底，基底包含一高压区以及一低压区，一第一深沟槽隔离设置在高压区内，其中第一深沟槽隔离包含第一深沟槽设置于基底中和一第一绝缘层填入第一深沟槽，其中第一深沟槽包含一第一侧壁和一第二侧壁，第一侧壁面对第二侧壁，第一侧壁仅由一第一平面和一第二平面组成，第一平面的边缘连接第二平面的边缘，第一平面的斜率和第二平面的斜率不同，一浅沟槽隔离设置在低压区内，其中浅沟槽隔离包含一沟槽设置于该基底上以及一第二绝缘层填入浅沟槽，其中浅沟槽隔离的深度小于第一深沟槽隔离的深度。