公开(公告)号：CN118919533A

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202310614242.9

申请日：2023-05-29

申请人： 联华电子股份有限公司

发明人： 胡雅婷 ,  王智亿 ,  王尧展 ,  陈纬哲 ,  曾坤赐 ,  何昀洋 ,  黄文良 ,  郭龙恩 ,  陈柏苍 ,  林伯璋 ,  陈映先

IPC分类号： H01L27/07

摘要： 本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中该半导体元件包含一基底，基底包含一高压区以及一低压区，一第一深沟槽隔离设置在高压区内，其中第一深沟槽隔离包含第一深沟槽设置于基底中和一第一绝缘层填入第一深沟槽，其中第一深沟槽包含一第一侧壁和一第二侧壁，第一侧壁面对第二侧壁，第一侧壁仅由一第一平面和一第二平面组成，第一平面的边缘连接第二平面的边缘，第一平面的斜率和第二平面的斜率不同，一浅沟槽隔离设置在低压区内，其中浅沟槽隔离包含一沟槽设置于该基底上以及一第二绝缘层填入浅沟槽，其中浅沟槽隔离的深度小于第一深沟槽隔离的深度。

公开(公告)号：CN118866684A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202310555070.2

申请日：2023-05-17

申请人： 联华电子股份有限公司

发明人： 王智亿 ,  陈纬哲 ,  李竑均 ,  何昀洋 ,  张韡浩 ,  陈长义 ,  曾坤赐 ,  王尧展 ,  陈映先

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

摘要： 本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中该制作半导体元件的方法主要包括先提供一基底，基底包含一中压区以及一低压区，然后形成主动区于中压区以及第二主动区于低压区，形成第一凹洞于主动区一侧，形成第二凹洞于主动区另一侧，形成第一衬垫层于第一凹洞以及第二凹洞内并设于该中压区以及该低压区的基底上，形成一第二衬垫层于该第一衬垫层上，再去除低压区的第二衬垫层、第一衬垫层以及基底以形成鳍状结构。