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公开(公告)号：CN111243966B
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202010036429.1
申请日：2020-01-14
申请人： 联合微电子中心有限责任公司
摘要： 本发明提供了一种柔性传感器制造工艺及柔性传感器，该制造工艺包括：在第一硅晶圆上制作第一柔性衬底层，并在所述第一柔性衬底层上制作传感器单元；在第二硅晶圆的表面通过半导体工艺制作电路单元；将所述第一硅晶圆制作有传感器单元的一侧与所述第二硅晶圆制作有电路单元的一侧面对面键合，使传感器单元与电路单元建立起电连接关系而成为检测单元；对所述第二硅晶圆的背面进行处理以制作成薄硅片，并去除第一硅晶圆，制得具有检测单元的单芯片柔性传感器。本发明提出的柔性传感器制造工艺具有工艺兼容性强、可批量化生产，制作的柔性传感器结构大为简化，集成度高，性能优越，满足柔性运用的可穿戴、医疗、机器人等领域。
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公开(公告)号：CN112382599B
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202011256672.0
申请日：2020-11-11
申请人： 联合微电子中心有限责任公司
IPC分类号： H01L21/683
摘要： 公开了一种半导体器件的临时键合与解键合的方法以及半导体器件。该半导体器件的临时键合与解键合方法包括：在第一晶圆上形成第一金属层，第一晶圆中形成有器件结构并且第一金属层形成在第一晶圆的靠近器件结构的一侧；在第二晶圆上形成对应于第一金属层的第二金属层；将第二金属层键合至第一金属层，以使得第二晶圆键合至第一晶圆；在第一晶圆的远离器件结构的一侧进行背面工艺；通过电化学阳极金属溶解进行解键合，以使得第一晶圆与第二晶圆分离。
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公开(公告)号：CN112382599A
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN202011256672.0
申请日：2020-11-11
申请人： 联合微电子中心有限责任公司
IPC分类号： H01L21/683
摘要： 公开了一种半导体器件的临时键合与解键合的方法以及半导体器件。该半导体器件的临时键合与解键合方法包括：在第一晶圆上形成第一金属层，第一晶圆中形成有器件结构并且第一金属层形成在第一晶圆的靠近器件结构的一侧；在第二晶圆上形成对应于第一金属层的第二金属层；将第二金属层键合至第一金属层，以使得第二晶圆键合至第一晶圆；在第一晶圆的远离器件结构的一侧进行背面工艺；通过电化学阳极金属溶解进行解键合，以使得第一晶圆与第二晶圆分离。
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公开(公告)号：CN115406936A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202110506336.5
申请日：2021-05-10
申请人： 联合微电子中心有限责任公司
摘要： 一种晶圆表面损伤的检测方法及检测系统，包括：提供晶圆，所述晶圆的表面具有金属‑介质层的堆叠结构；测量所述晶圆表面的第一平带电压；自所述晶圆的另一表面，对所述晶圆进行工艺处理；测量所述晶圆表面的第二平带电压；根据所述第一平带电压以及第二平带电压，确定所述金属‑介质层的堆叠结构周围预设范围内的晶圆表面损伤。本发明可以提高损伤检测的效率和准确性。
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公开(公告)号：CN112563405B
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN202011406316.2
申请日：2020-12-02
申请人： 联合微电子中心有限责任公司
IPC分类号： H01L41/113 , H01L41/047 , H01L41/22 , H01L41/29 , H01L27/20 , G01L1/20 , G01L9/06
摘要： 公开了一种压力传感器单元以及多维压力传感器及其制造方法。该压力传感器单元包括：底电极；底电极引线，与底电极电连接；压电材料层；顶电极；顶电极引线，与顶电极电连接，其中，底电极、压电材料层和顶电极沿着压电材料层的敏感轴方向顺序堆叠，以用于感测敏感轴方向上的压力，并且其中，底电极引线和顶电极引线之一包括电阻分段和引线分段，电阻分段充当电阻式传感器，用于感测电阻分段的长度方向上的压力。
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公开(公告)号：CN112563405A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202011406316.2
申请日：2020-12-02
申请人： 联合微电子中心有限责任公司
IPC分类号： H01L41/113 , H01L41/047 , H01L41/22 , H01L41/29 , H01L27/20 , G01L1/20 , G01L9/06
摘要： 公开了一种压力传感器单元以及多维压力传感器及其制造方法。该压力传感器单元包括：底电极；底电极引线，与底电极电连接；压电材料层；顶电极；顶电极引线，与顶电极电连接，其中，底电极、压电材料层和顶电极沿着压电材料层的敏感轴方向顺序堆叠，以用于感测敏感轴方向上的压力，并且其中，底电极引线和顶电极引线之一包括电阻分段和引线分段，电阻分段充当电阻式传感器，用于感测电阻分段的长度方向上的压力。
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公开(公告)号：CN111243966A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN202010036429.1
申请日：2020-01-14
申请人： 联合微电子中心有限责任公司
摘要： 本发明提供了一种柔性传感器制造工艺及柔性传感器，该制造工艺包括：在第一硅晶圆上制作第一柔性衬底层，并在所述第一柔性衬底层上制作传感器单元；在第二硅晶圆的表面通过半导体工艺制作电路单元；将所述第一硅晶圆制作有传感器单元的一侧与所述第二硅晶圆制作有电路单元的一侧面对面键合，使传感器单元与电路单元建立起电连接关系而成为检测单元；对所述第二硅晶圆的背面进行处理以制作成薄硅片，并去除第一硅晶圆，制得具有检测单元的单芯片柔性传感器。本发明提出的柔性传感器制造工艺具有工艺兼容性强、可批量化生产，制作的柔性传感器结构大为简化，集成度高，性能优越，满足柔性运用的可穿戴、医疗、机器人等领域。
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公开(公告)号：CN110793679A
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201911245056.2
申请日：2019-12-06
申请人： 联合微电子中心有限责任公司
摘要： 本发明提供了一种柔性集成式阵列传感器及其制造工艺，其属于柔性传感器技术领域。所述阵列传感器包括硅晶圆和位于硅晶圆上的读出电路层、传感阵列层和聚合物衬底层。所述制造工艺包括：提供一硅晶圆，在该硅晶圆表面制作多个由m*n个传感单元构成的集成式阵列传感器；在各个阵列传感器之间对所述硅晶圆表面进行深槽刻蚀；在所述硅晶圆表面制作减薄支撑，将硅晶圆背面减薄至目标厚度使得各个阵列传感器所处的硅晶圆相互分离；其中，所述深槽的刻蚀深度等于或大于所述硅晶圆减薄后的目标厚度。该制造工艺能够克服现有采用硅基材料制作柔性阵列传感器阵列存在的减薄后芯片易翘曲破裂、机械划片损伤大的技术难点。
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公开(公告)号：CN211373891U
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN201922176472.3
申请日：2019-12-06
申请人： 联合微电子中心有限责任公司
摘要： 本实用新型提供了一种柔性集成式阵列传感器及其制造工艺，其属于柔性传感器技术领域。所述阵列传感器包括构造在一适于柔性应用的硅晶圆上的读出电路层，其包括若干个读出电路单元；构造在所述读出电路层上的传感阵列层，其包括若干个传感单元，每个所述传感单元均通过导电钨塞与一个所述读出电路单元连接以构成一个检测单元，这些检测单元在硅晶圆上呈m*n阵列化分布以形成检测阵列。该阵列传感器减少了引线数目，简化了电路结构，实现了传感器阵列与读出电路的单芯片集成，从而具有高灵敏度、高分辨率、高信噪比和抗干扰能力强的优点，能广泛应用于电子皮肤和仿生机器人等多个领域。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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