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公开(公告)号：CN117916411A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202280061187.9
申请日：2022-06-15
Applicant: 胜高股份有限公司
Abstract: 本发明的单晶硅的制造方法具有：电阻值设定工序(S2)，设定作为第1电力供给部的电阻值的第1电阻值以及作为第2电力供给部的电阻值的第2电阻值；硅熔体加热工序(S3)，在无磁场状态下加热石英坩埚内的硅熔体；水平磁场施加工序(S4)，对石英坩埚内的硅熔体施加水平磁场；及提拉工序(S6)，从硅熔体提拉单晶硅。电阻值设定工序测量第1电阻值以及第2电阻值，在它们的电阻比小于判定值时调整第1电阻值以及第2电阻值中的至少一者，再次测量各电阻值并与判定值进行比较，若电阻比在判定值以上则结束电阻值设定工序。
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公开(公告)号：CN112204174B
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN201980015966.3
申请日：2019-02-27
Applicant: 胜高股份有限公司
Abstract: 在一种单晶硅的氧浓度推断方法中，通过提拉装置提拉单晶硅，所述提拉装置具有相对于包含晶体提拉轴及水平磁场的施加方向的面为非面对称的结构的热区形状，在单晶硅的颈部工序及肩部形成工序中的至少任一个工序中，实施测量热区形状的非面对称结构的位置处的硅熔液的表面温度的工序(S3)以及根据所测量的硅熔液的表面温度及预先准备的硅熔液的表面温度与单晶硅中的氧浓度的关系来推断所提拉的单晶硅的直体部中的氧浓度的工序(S5)。
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公开(公告)号：CN109196144A
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201780032194.5
申请日：2017-05-09
Applicant: 胜高股份有限公司
Abstract: 本发明的课题在于，在通过MCZ法进行的单晶硅的制造中，将晶圆面内的氧浓度的不均匀抑制为较低。解决方案为：通过一边对石英坩埚(11)内的硅熔液(2)施加磁场，一边从硅熔液(2)提拉单晶硅(3)的切克劳斯基法来进行的单晶硅的制造方法，其中，在单晶硅(3)的提拉工序中连续地测量硅熔液(2)的表面温度，并根据表面温度的频率分析结果改变晶体培育条件。
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公开(公告)号：CN113366303A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN201980078556.3
申请日：2019-11-18
Applicant: 胜高股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种导热系数估计方法,该导热系数估计方法具备：将测量试样的一部分以规定的加热条件加热，测量稳定状态下的测量试样的表面的温度分布的步骤；对与测量试样相同的形状的试样模型的假定的导热系数及加热条件的多个组合实施传热模拟，对各组合计算试样模型的表面的温度分布的步骤；将所述多个组合及由该多个组合所得的温度分布的计算结果作为训练数据，使用机械学习法制作将输入作为测量试样的表面的温度分布且将输出作为测量试样的导热系数的回归模型的步骤；及将测量试样表面的温度分布测量结果输入至回归模型来估计测量试样的导热系数的步骤。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112204174A
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN201980015966.3
申请日：2019-02-27
Applicant: 胜高股份有限公司
Abstract: 在一种单晶硅的氧浓度推断方法中，通过提拉装置提拉单晶硅，所述提拉装置具有相对于包含晶体提拉轴及水平磁场的施加方向的面为非面对称的结构的热区形状，在单晶硅的颈部工序及肩部形成工序中的至少任一个工序中，实施测量热区形状的非面对称结构的位置处的硅熔液的表面温度的工序(S3)以及根据所测量的硅熔液的表面温度及预先准备的硅熔液的表面温度与单晶硅中的氧浓度的关系来推断所提拉的单晶硅的直体部中的氧浓度的工序(S5)。
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公开(公告)号：CN112074628A
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN201980015967.8
申请日：2019-02-27
Applicant: 胜高股份有限公司
Abstract: 一种单晶硅的制造方法，使不活泼气体在腔室内流过，并且对石英坩埚内的硅熔液施加水平磁场，从而提拉单晶硅，在所述单晶硅的制造方法中实施：在热屏蔽体的下端部及石英坩埚内的硅熔液表面之间流过的不活泼气体流中，形成相对于包含提拉装置的晶体提拉轴以及水平磁场的施加方向的平面为非面对称，并且相对于晶体提拉轴为非旋转对称的流动分布的工序(S1)；直到石英坩埚内的硅原料完全熔化为止，在无磁场下维持所形成的非面对称且非旋转对称的流动分布的工序(S2)；以及在硅原料完全熔化之后，施加水平磁场而开始提拉单晶硅的工序(S3)。
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公开(公告)号：CN115369474B
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202210445004.5
申请日：2022-04-26
Applicant: 胜高股份有限公司
Abstract: 本发明抑制原料棒的融解面的高度不均来稳定地制造单晶。感应加热绕组（20）具备在中央具有开口部（22）的圆环状的绕组导体（21）、在半径方向上从开口部延伸而使绕组导体的一方的端部和另一方的端部分离的狭缝（23)、在绕组导体的上表面（21A）形成的半径方向的台阶（25）。绕组导体的上表面具有台阶被以包围开口部的方式设置成俯视时为圆弧状的台阶形成区域28）、未设置台阶的台阶非形成区域（29），台阶非形成区域包括与狭缝相邻的狭缝附近区域27A）。台阶形成区域是与台阶非形成区域相比从狭缝离开的区域。台阶设置于原料棒的直体部的外周端（2e）的附近，被比外周端靠半径方向的内侧地设置。
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公开(公告)号：CN112074627B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN201980015951.7
申请日：2019-02-27
Applicant: 胜高股份有限公司
Abstract: 一种硅熔液的对流模式推测方法，其具备：对旋转中的石英坩埚内的硅熔液，使用夹住石英坩埚配置的一对磁性体，施加强度0.2T以上的水平磁场的工序；在籽晶接触施加水平磁场的硅熔液前，测量硅熔液的表面中的在从铅垂上方观察时位于通过表面中心且与水平磁场的中心磁力线不平行的第1虚线上的第1测量点及第2测量点的温度，以及根据所测量的第1测量点及第2测量点的温度，推测硅熔液内的与水平磁场的施加方向正交的平面中的对流方向的工序。
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公开(公告)号：CN111918987B
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN201980015987.5
申请日：2019-02-27
Applicant: 胜高股份有限公司
IPC: C30B29/06
Abstract: 一种对流图案控制方法，其具备使用加热部（17）加热石英坩埚（3A）内的硅熔液（9）的工序以及对旋转中的石英坩埚（3A）内的硅熔液（9）施加水平磁场的工序，在加热硅熔液（9）的工序中，使用两侧的加热能力不同的加热部（17）进行加热，所述两侧在从铅垂上方观察石英坩埚（3A）时，夹住通过石英坩埚（3A）的中心轴（3C）且与水平磁场中心的磁力线（14C）平行的假想线（9C），在施加水平磁场的工序中，通过施加0.2T以上的水平磁场，将与硅熔液（9）内的水平磁场的施加方向正交的平面中的对流方向固定为一方向。
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