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公开(公告)号：CN113366303A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN201980078556.3
申请日：2019-11-18
Applicant: 胜高股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种导热系数估计方法,该导热系数估计方法具备：将测量试样的一部分以规定的加热条件加热，测量稳定状态下的测量试样的表面的温度分布的步骤；对与测量试样相同的形状的试样模型的假定的导热系数及加热条件的多个组合实施传热模拟，对各组合计算试样模型的表面的温度分布的步骤；将所述多个组合及由该多个组合所得的温度分布的计算结果作为训练数据，使用机械学习法制作将输入作为测量试样的表面的温度分布且将输出作为测量试样的导热系数的回归模型的步骤；及将测量试样表面的温度分布测量结果输入至回归模型来估计测量试样的导热系数的步骤。
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公开(公告)号：CN108291327B
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN201680061735.2
申请日：2016-10-31
Applicant: 胜高股份有限公司
IPC: C30B29/06
Abstract: 本发明提出一种能够抑制晶体提拉方向上的氧浓度的变动的单晶硅的制造方法。一种单晶硅的制造方法，在填充于坩埚(12)的硅熔液(13)中浸渍籽晶(17)，且在沿与该籽晶(17)的提拉方向垂直的方向施加磁场的状态下，使坩埚(12)旋转，并且使籽晶(17)旋转并进行提拉，由此使单晶硅(16)在籽晶(17)上生长，该单晶硅的制造方法的特征在于，在硅熔液(13)至少在固液界面下相对于包含籽晶(17)的提拉轴且在与施加磁场的方向平行的面从一侧向另一侧流动的状态下进行籽晶(17)的提拉。
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公开(公告)号：CN108291327A
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201680061735.2
申请日：2016-10-31
Applicant: 胜高股份有限公司
IPC: C30B29/06
Abstract: 本发明提出一种能够抑制晶体提拉方向上的氧浓度的变动的单晶硅的制造方法。一种单晶硅的制造方法，在填充于坩埚(12)的硅熔液(13)中浸渍籽晶(17)，且在沿与该籽晶(17)的提拉方向垂直的方向施加磁场的状态下，使坩埚(12)旋转，并且使籽晶(17)旋转并进行提拉，由此使单晶硅(16)在籽晶(17)上生长，该单晶硅的制造方法的特征在于，在硅熔液(13)至少在固液界面下相对于包含籽晶(17)的提拉轴且在与施加磁场的方向平行的面从一侧向另一侧流动的状态下进行籽晶(17)的提拉。
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公开(公告)号：CN110536980A
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201880014539.9
申请日：2018-01-11
Applicant: 胜高股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种适合用于功率器件的、晶体生长方向上的电阻率的公差小的n型且高电阻的单晶硅锭的制造方法。将Sb或As作为n型掺杂剂的单晶硅锭的制造方法中，一边进行单晶硅锭(1)的提拉，一边调整包括腔室(30)内的压力、Ar气体的流量以及引导部(70)及硅熔液(10)的间隔(G)中的至少任一个的提拉条件值，由此n型掺杂剂从硅熔液(10)蒸发时的每单位固化率的蒸发量维持在每单位固化率的目标蒸发量的范围内。
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公开(公告)号：CN103361727A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310106967.3
申请日：2013-03-29
Applicant: 胜高股份有限公司
Abstract: 本发明通过c轴提拉制备大口径、长尺寸且高品质的蓝宝石单晶。在蓝宝石单晶的制备中，使c轴蓝宝石晶种浸渍于坩埚内的氧化铝熔体中，在使晶种旋转的同时向上方提拉，使之在c轴方向生长。此时，在氧化铝熔体的液面下进行晶种的晶体生长，与此同时以规定的提拉速度提拉晶种，使晶种的液体中生长部分不到达坩埚的底面。此时，控制使液体中生长部分的侧面形状呈向下方突出的近V字形状。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113366303B
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN201980078556.3
申请日：2019-11-18
Applicant: 胜高股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种导热系数估计方法,该导热系数估计方法具备：将测量试样的一部分以规定的加热条件加热，测量稳定状态下的测量试样的表面的温度分布的步骤；对与测量试样相同的形状的试样模型的假定的导热系数及加热条件的多个组合实施传热模拟，对各组合计算试样模型的表面的温度分布的步骤；将所述多个组合及由该多个组合所得的温度分布的计算结果作为训练数据，使用机械学习法制作将输入作为测量试样的表面的温度分布且将输出作为测量试样的导热系数的回归模型的步骤；及将测量试样表面的温度分布测量结果输入至回归模型来估计测量试样的导热系数的步骤。
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公开(公告)号：CN110536980B
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN201880014539.9
申请日：2018-01-11
Applicant: 胜高股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种适合用于功率器件的、晶体生长方向上的电阻率的公差小的n型且高电阻的单晶硅锭的制造方法。将Sb或As作为n型掺杂剂的单晶硅锭的制造方法中，一边进行单晶硅锭(1)的提拉，一边调整包括腔室(30)内的压力、Ar气体的流量以及引导部(70)及硅熔液(10)的间隔(G)中的至少任一个的提拉条件值，由此n型掺杂剂从硅熔液(10)蒸发时的每单位固化率的蒸发量维持在每单位固化率的目标蒸发量的范围内。
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公开(公告)号：CN108779577A
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201780017529.6
申请日：2017-01-18
Applicant: 胜高股份有限公司
Abstract: 本发明在基于切克劳斯基法的单晶硅的制造方法中，一边防止晶体弯曲或防止由熔液分离引起的单晶化率的下降，一边抑制用作外延硅晶片的基板材料时的外延缺陷的产生。单晶硅的制造方法包括：主体部培育工序，培养晶体直径维持为恒定的主体部(3c)；及尾部培育工序，培养晶体直径逐渐减小的尾部(3d)。使用水冷体(18)来冷却从硅熔液(2)提拉的单晶硅(3)，所述水冷体(18)位于比热遮蔽体(17)的下端(17b)靠上方的位置且配置在热遮蔽体(17)的内侧，所述热遮蔽体配置在石英坩埚(11)的上方。在尾部培育工序中，从尾部(3d)的生长开始时至结束时，以与主体部生长结束时的提拉速度相同的提拉速度来提拉单晶硅(3)。
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公开(公告)号：CN112074627B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN201980015951.7
申请日：2019-02-27
Applicant: 胜高股份有限公司
Abstract: 一种硅熔液的对流模式推测方法，其具备：对旋转中的石英坩埚内的硅熔液，使用夹住石英坩埚配置的一对磁性体，施加强度0.2T以上的水平磁场的工序；在籽晶接触施加水平磁场的硅熔液前，测量硅熔液的表面中的在从铅垂上方观察时位于通过表面中心且与水平磁场的中心磁力线不平行的第1虚线上的第1测量点及第2测量点的温度，以及根据所测量的第1测量点及第2测量点的温度，推测硅熔液内的与水平磁场的施加方向正交的平面中的对流方向的工序。
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公开(公告)号：CN108779577B
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN201780017529.6
申请日：2017-01-18
Applicant: 胜高股份有限公司
Abstract: 本发明在基于切克劳斯基法的单晶硅的制造方法中，一边防止晶体弯曲或防止由熔液分离引起的单晶化率的下降，一边抑制用作外延硅晶片的基板材料时的外延缺陷的产生。单晶硅的制造方法包括：主体部培育工序，培养晶体直径维持为恒定的主体部(3c)；及尾部培育工序，培养晶体直径逐渐减小的尾部(3d)。使用水冷体(18)来冷却从硅熔液(2)提拉的单晶硅(3)，所述水冷体(18)位于比热遮蔽体(17)的下端(17b)靠上方的位置且配置在热遮蔽体(17)的内侧，所述热遮蔽体配置在石英坩埚(11)的上方。在尾部培育工序中，从尾部(3d)的生长开始时至结束时，以与主体部生长结束时的提拉速度相同的提拉速度来提拉单晶硅(3)。
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