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公开(公告)号:CN106676484A
公开(公告)日:2017-05-17
申请号:CN201510762127.1
申请日:2015-11-10
申请人: 航天长征睿特科技有限公司 , 航天材料及工艺研究所
IPC分类号: C23C14/34
CPC分类号: C23C14/3414
摘要: 本发明提供了一种磁控溅射镀膜用铬管靶材的绑定方法。该方法包括在铬管靶材的背管外表面采用电镀工艺制备金属涂层作为绑定层;利用热等静压工艺使铬管靶材层通过绑定层与背管达到冶金结合,实现铬管靶材的绑定。本发明所述的铬管靶材的绑定方法可以使铬管靶材层通过绑定层与背管实现冶金结合,把铬管靶材层在溅射镀膜过程中产生的热量及时传递到背管内冷却,防止铬管靶材层出现开裂,保证溅射镀膜顺利进行。
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公开(公告)号:CN103071791A
公开(公告)日:2013-05-01
申请号:CN201310018789.9
申请日:2013-01-18
申请人: 航天材料及工艺研究所 , 中国运载火箭技术研究院
摘要: 本发明涉及一种大长径比TiAl管靶材成形方法,包括(1)组装包套模具;(2)原料Ti粉末、Al粉末装填及封焊;(3)真空热除气;(4)热等静压致密化成形;(5)去除包套模具:(6)产品精加工;本发明通过对包套模具结构进行创新设计,保证包套模具具备良好的焊接性,并实现TiAl靶材与背管的整体绑定,通过原材料粉末粒度优化选择以及真空混料,制备出成分均匀,无偏析的Ti、Al混合粉末;采用特殊的粉末装填工艺,保证管靶装粉密度及均匀度;通过优化的真空热除气及致密化成形工艺选择,保证在压制成形后TiAl管靶材的致密度及直线度。
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公开(公告)号:CN103071791B
公开(公告)日:2015-02-11
申请号:CN201310018789.9
申请日:2013-01-18
申请人: 航天材料及工艺研究所 , 中国运载火箭技术研究院
摘要: 本发明涉及一种大长径比TiAl管靶材成形方法,包括(1)组装包套模具;(2)原料Ti粉末、Al粉末装填及封焊;(3)真空热除气;(4)热等静压致密化成形;(5)去除包套模具:(6)产品精加工;本发明通过对包套模具结构进行创新设计,保证包套模具具备良好的焊接性,并实现TiAl靶材与背管的整体绑定,通过原材料粉末粒度优化选择以及真空混料,制备出成分均匀,无偏析的Ti、Al混合粉末;采用特殊的粉末装填工艺,保证管靶装粉密度及均匀度;通过优化的真空热除气及致密化成形工艺选择,保证在压制成形后TiAl管靶材的致密度及直线度。
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公开(公告)号:CN105817627B
公开(公告)日:2019-03-22
申请号:CN201610184555.5
申请日:2016-03-28
申请人: 航天材料及工艺研究所 , 中国运载火箭技术研究院
摘要: 本发明公开了一种磁控溅射镀膜用整体成形大长径比钨管靶材的制备方法,该方法以纯度为99.9%~99.999%的钨粉为原料,将钨粉装入包套,然后真空热除气,将除气完成的包套与成形工装装配在热等静压机中压制后通过机械加工获得与背管整体绑定的大长径比钨管靶材;本发明制备的整体成形大长径比钨管靶材具有以下优点:(1)钨管靶材致密度高,密度达到19.1g/cm3以上,相对密度大于99%;(2)氧含量在10~1000ppm可控;(3)晶粒细小均匀,平均晶粒尺寸100μm以下;(4)钨管靶材的长径比大于15:1,直线度小于3mm;(5)钨管靶材层与背管达到冶金结合绑定良好,能够满足高端溅射镀膜行业的需求。
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公开(公告)号:CN105817627A
公开(公告)日:2016-08-03
申请号:CN201610184555.5
申请日:2016-03-28
申请人: 航天材料及工艺研究所 , 中国运载火箭技术研究院
CPC分类号: B22F3/15 , B22F3/1208 , B22F3/1216 , B22F2003/153 , C23C14/3414
摘要: 本发明公开了一种磁控溅射镀膜用整体成形大长径比钨管靶材的制备方法,该方法以纯度为99.9%~99.999%的钨粉为原料,将钨粉装入包套,然后真空热除气,将除气完成的包套与成形工装装配在热等静压机中压制后通过机械加工获得与背管整体绑定的大长径比钨管靶材;本发明制备的整体成形大长径比钨管靶材具有以下优点:(1)钨管靶材致密度高,密度达到19.1g/cm3以上,相对密度大于99%;(2)氧含量在10~1000ppm可控;(3)晶粒细小均匀,平均晶粒尺寸100μm以下;(4)钨管靶材的长径比大于15:1,直线度小于3mm;(5)钨管靶材层与背管达到冶金结合绑定良好,能够满足高端溅射镀膜行业的需求。
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公开(公告)号:CN105734506A
公开(公告)日:2016-07-06
申请号:CN201610183421.1
申请日:2016-03-28
申请人: 航天材料及工艺研究所 , 中国运载火箭技术研究院
IPC分类号: C23C14/34 , C04B35/495 , C04B35/645
CPC分类号: C23C14/3414 , C04B35/495 , C04B35/6455
摘要: 本发明提供了一种溅射镀膜用热等静压氧化铌靶材的制备方法,该方法以高纯度的五氧化二铌粉末为原料,其纯度不低于99.99%,粉末经过预处理后装粉入包套,然后真空热除气,在热等静压机中压制成形,随后进行机械加工制成成品;本发明制备的氧化铌靶材具有以下优点:靶材致密度高,密度达到4.5g/cm3以上;导电性能好,电阻率为2×10?4~5×10?4Ω.cm,能够满足中频或者直流溅射工艺制备氧化铌薄膜的要求。
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公开(公告)号:CN105734506B
公开(公告)日:2019-01-15
申请号:CN201610183421.1
申请日:2016-03-28
申请人: 航天材料及工艺研究所 , 中国运载火箭技术研究院
IPC分类号: C23C14/34 , C04B35/495 , C04B35/645
摘要: 本发明提供了一种溅射镀膜用热等静压氧化铌靶材的制备方法,该方法以高纯度的五氧化二铌粉末为原料,其纯度不低于99.99%,粉末经过预处理后装粉入包套,然后真空热除气,在热等静压机中压制成形,随后进行机械加工制成成品;本发明制备的氧化铌靶材具有以下优点:靶材致密度高,密度达到4.5g/cm3以上;导电性能好,电阻率为2×10‑4~5×10‑4Ω.cm,能够满足中频或者直流溅射工艺制备氧化铌薄膜的要求。
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