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公开(公告)号：CN103201820A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201180016818.7
申请日：2011-03-16
申请人： 艾克塞利斯科技公司
IPC分类号： H01J37/317
CPC分类号： H01J37/04 , H01J37/3171 , H01J2237/022 , H01J2237/047 , H01J2237/04735 , H01J2237/04756
摘要： 提供一种用于减小离子注入系统（100）中的颗粒污染的方法和系统，其中离子注入注入系统具有源（120）、质量分析器（136）、解析孔（138）、减速抑制板（146）以及终端站（106）。通过离子源形成离子束（114），而工件（110）在外部环境和用于离子注入的终端站之间转移。在转移工件的同时，调制施加到减速抑制板的减速抑制电压（148），使离子束扩张和收缩，其中解析孔的一个或更多表面及/或在解析孔下游的一个或更多部件受到离子束的冲击，其中减小由于之前沉积的物质残留在所述一个或更多表面上而造成的以后对工件的污染。通过移除之前沉积的物质或者将之前沉积的物质有力地附着到所述一个或更多表面，能够减轻污染。
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公开(公告)号：CN101636811A
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200780049064.9
申请日：2007-12-20
申请人： 艾克塞利斯科技公司
IPC分类号： H01J37/08 , H01J37/248 , H01J37/302
CPC分类号： H01J37/248 , H01J37/045 , H01J37/3023 , H01J37/3171 , H01J2237/0206 , H01J2237/0213 , H01J2237/0432 , H01J2237/08
摘要： 本发明公开一种射束控制电路和方法，通过减小离子束的工作因数以最小化离子植入系统内颗粒污染。在一个实施例中，射束控制电路包括与电源及离子植入系统的离子源部分相串联的高压开关，其中，开关可被操作以中断或重新建立电源与离子源的电极之间的连接，电极包括用于产生等离子体的电极。射束控制电路还包括开关控制器，其可操作地通过控制开关在离子植入开始之前闭合并且控制开关在植入完成之后或在不需要射束的其它时间断开，以控制离子束的工作因数，从而最小化射束工作因数和颗粒污染。射束控制技术可被应用于晶片掺杂植入和减小工作因数。用于高压开关的保护电路吸收来自电抗元件的能量并且钳止任何过电压。
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公开(公告)号：CN103201820B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201180016818.7
申请日：2011-03-16
申请人： 艾克塞利斯科技公司
IPC分类号： H01J37/317
CPC分类号： H01J37/04 , H01J37/3171 , H01J2237/022 , H01J2237/047 , H01J2237/04735 , H01J2237/04756
摘要： 提供一种用于减小离子注入系统（100）中的颗粒污染的方法和系统，其中离子注入系统具有源（120）、质量分析器（136）、解析孔（138）、减速抑制板（146）以及终端站（106）。通过离子源形成离子束（114），而工件（110）在外部环境和用于离子注入的终端站之间转移。在转移工件的同时，调制施加到减速抑制板的减速抑制电压（148），使离子束扩张和收缩，其中解析孔的一个或更多表面及/或在解析孔下游的一个或更多部件受到离子束的冲击，其中减小由于之前沉积的物质残留在所述一个或更多表面上而造成的以后对工件的污染。通过移除之前沉积的物质或者将之前沉积的物质有力地附着到所述一个或更多表面，能够减轻污染。
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公开(公告)号：CN101636811B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN200780049064.9
申请日：2007-12-20
申请人： 艾克塞利斯科技公司
IPC分类号： H01J37/08 , H01J37/248 , H01J37/302
CPC分类号： H01J37/248 , H01J37/045 , H01J37/3023 , H01J37/3171 , H01J2237/0206 , H01J2237/0213 , H01J2237/0432 , H01J2237/08
摘要： 本发明公开一种射束控制电路和方法，通过减小离子束的工作因数以最小化离子植入系统内颗粒污染。在一个实施例中，射束控制电路包括与电源及离子植入系统的离子源部分相串联的高压开关，其中，开关可被操作以中断或重新建立电源与离子源的电极之间的连接，电极包括用于产生等离子体的电极。射束控制电路还包括开关控制器，其可操作地通过控制开关在离子植入开始之前闭合并且控制开关在植入完成之后或在不需要射束的其它时间断开，以控制离子束的工作因数，从而最小化射束工作因数和颗粒污染。射束控制技术可被应用于晶片掺杂植入和减小工作因数。用于高压开关的保护电路吸收来自电抗元件的能量并且钳止任何过电压。
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公开(公告)号：CN105474349B
公开(公告)日：2018-02-02
申请号：CN201480025170.3
申请日：2014-05-02
申请人： 艾克塞利斯科技公司
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/08
CPC分类号： H01J37/3171 , H01J37/08 , H01J2237/022 , H01J2237/304
摘要： 本发明公开一种用于减少离子注入系统中的微粒污染的方法，其中经由离子源与引出电极组件的协同操作而产生离子束。向离子源施加阴极电压以在其中生成离子，并且向引出组件施加抑制电压以阻碍离子束中的电子卷入离子源。选择性调制抑制电压，由此诱发穿过引出组件的电流或弧放电，以移除其表面上的沉淀物，进而减轻工件的后续污染。根据前述，本发明还公开改进的离子注入系统，其中控制器配置成基本在传送工件的同时选择性将电压调制于预定电压与预定的抑制电压之间，由此诱发穿过引出电极组件的电流或弧放电，以移除其表面上的沉淀物，进而减轻工件的后续污染。
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公开(公告)号：CN105474349A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201480025170.3
申请日：2014-05-02
申请人： 艾克塞利斯科技公司
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/08
CPC分类号： H01J37/3171 , H01J37/08 , H01J2237/022 , H01J2237/304
摘要： 本发明公开一种用于减少离子注入系统中的微粒污染的方法，其中经由离子源与引出电极组件的协同操作而产生离子束。向离子源施加阴极电压以在其中生成离子，并且向引出组件施加抑制电压以阻碍离子束中的电子卷入离子源。选择性调制抑制电压，由此诱发穿过引出组件的电流或弧放电，以移除其表面上的沉淀物，进而减轻工件的后续污染。根据前述，本发明还公开改进的离子注入系统，其中控制器配置成基本在传送工件的同时选择性将电压调制于预定电压与预定的抑制电压之间，由此诱发穿过引出电极组件的电流或弧放电，以移除其表面上的沉淀物，进而减轻工件的后续污染。
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