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公开(公告)号：CN101461027B
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN200780020511.8
申请日：2007-06-01
Applicant: 艾克塞利斯科技公司
IPC: H01J37/317
CPC classification number: H01J37/304 , H01J37/3171 , H01J2237/24507 , H01J2237/24535 , H01J2237/31703
Abstract: 一种导出终端返回电流以在离子注入期间调节和/或补偿束流变化的方法。从离子注入系统的区域获得一个或多个单独的上游电流测量值，从所述的上游电流测量值导出终端返回电流或复合上游电流。然后为了促进目标晶片上的束流均匀性，所述终端返回电流用来调节离子束的扫描或剂量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101636811B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN200780049064.9
申请日：2007-12-20
Applicant: 艾克塞利斯科技公司
IPC: H01J37/08 , H01J37/248 , H01J37/302
CPC classification number: H01J37/248 , H01J37/045 , H01J37/3023 , H01J37/3171 , H01J2237/0206 , H01J2237/0213 , H01J2237/0432 , H01J2237/08
Abstract: 本发明公开一种射束控制电路和方法，通过减小离子束的工作因数以最小化离子植入系统内颗粒污染。在一个实施例中，射束控制电路包括与电源及离子植入系统的离子源部分相串联的高压开关，其中，开关可被操作以中断或重新建立电源与离子源的电极之间的连接，电极包括用于产生等离子体的电极。射束控制电路还包括开关控制器，其可操作地通过控制开关在离子植入开始之前闭合并且控制开关在植入完成之后或在不需要射束的其它时间断开，以控制离子束的工作因数，从而最小化射束工作因数和颗粒污染。射束控制技术可被应用于晶片掺杂植入和减小工作因数。用于高压开关的保护电路吸收来自电抗元件的能量并且钳止任何过电压。
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公开(公告)号：CN101461027A
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200780020511.8
申请日：2007-06-01
Applicant: 艾克塞利斯科技公司
IPC: H01J37/317
CPC classification number: H01J37/304 , H01J37/3171 , H01J2237/24507 , H01J2237/24535 , H01J2237/31703
Abstract: 一种导出终端返回电流以在离子注入期间调节和/或补偿束流变化的方法。从离子注入系统的区域获得一个或多个单独的逆向电流测量值，从所述的逆向电流测量值导出终端返回电流或复合逆向电流。然后为了促进目标晶片上的束流均匀性，所述终端返回电流用来调节离子束的扫描或剂量。
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公开(公告)号：CN101675494A
公开(公告)日：2010-03-17
申请号：CN200880014181.6
申请日：2008-04-03
Applicant: 艾克塞利斯科技公司
Inventor： 迈克尔·葛雷夫 , 约翰·叶 , 波·凡德尔贝格 , 迈克尔·克里斯托弗罗 , 黄永章
IPC: H01J37/244 , H01J37/317
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/244 , H01J37/304 , H01J2237/24405 , H01J2237/2446 , H01J2237/24507 , H01J2237/24542 , H01J2237/24578 , H01J2237/30477
Abstract: 本发明的一个实施例涉及一种用于确定离子束轮廓的设备。所述设备包括：具有测量区的电流测量装置，其中，所述离子束的横截面区域进入所述测量区。所述设备还包括控制器，被配置为周期性地对所述离子束进行束电流测量，并通过将所述束电流测量与所述电流测量装置内的子区相关来确定所述离子束的二维轮廓。本发明还公开了其它设备和方法。
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公开(公告)号：CN101636811A
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200780049064.9
申请日：2007-12-20
Applicant: 艾克塞利斯科技公司
IPC: H01J37/08 , H01J37/248 , H01J37/302
CPC classification number: H01J37/248 , H01J37/045 , H01J37/3023 , H01J37/3171 , H01J2237/0206 , H01J2237/0213 , H01J2237/0432 , H01J2237/08
Abstract: 本发明公开一种射束控制电路和方法，通过减小离子束的工作因数以最小化离子植入系统内颗粒污染。在一个实施例中，射束控制电路包括与电源及离子植入系统的离子源部分相串联的高压开关，其中，开关可被操作以中断或重新建立电源与离子源的电极之间的连接，电极包括用于产生等离子体的电极。射束控制电路还包括开关控制器，其可操作地通过控制开关在离子植入开始之前闭合并且控制开关在植入完成之后或在不需要射束的其它时间断开，以控制离子束的工作因数，从而最小化射束工作因数和颗粒污染。射束控制技术可被应用于晶片掺杂植入和减小工作因数。用于高压开关的保护电路吸收来自电抗元件的能量并且钳止任何过电压。
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公开(公告)号：CN101675494B
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN200880014181.6
申请日：2008-04-03
Applicant: 艾克塞利斯科技公司
Inventor： 迈克尔·葛雷夫 , 约翰·叶 , 波·凡德尔贝格 , 迈克尔·克里斯托弗罗 , 黄永章
IPC: H01J37/244 , H01J37/317
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/244 , H01J37/304 , H01J2237/24405 , H01J2237/2446 , H01J2237/24507 , H01J2237/24542 , H01J2237/24578 , H01J2237/30477
Abstract: 本发明的一个实施例涉及一种用于确定离子束轮廓的设备。所述设备包括：具有测量区的电流测量装置，其中，所述离子束的横截面区域进入所述测量区。所述设备还包括控制器，被配置为周期性地对所述离子束进行束电流测量，并通过将所述束电流测量与所述电流测量装置内的子区相关来确定所述离子束的二维轮廓。本发明还公开了其它设备和方法。
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