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    离子注入装置和离子注入装置的运转方法
    1.
    发明授权
    离子注入装置和离子注入装置的运转方法 有权

    公开(公告)号：CN103928280B

    公开(公告)日：2016-04-20

    申请号：CN201310353859.6

    申请日：2013-08-14

    申请人： 日新离子机器株式会社

    发明人： 松本武

    IPC分类号： H01J37/317 ,  H01J37/30

    CPC分类号： C23C14/48 ,  C23C14/564 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/022 ,  H01J2237/304

    摘要： 本发明提供能够在清洗离子源内部后在短时间内重新启动离子束的离子注入装置和该离子注入装置的运转方法。所述离子注入装置在进行离子注入处理时，向离子源（IS）内部导入工艺气体，使用由多块电极构成的引出电极系统（2），从离子源（IS）引出带状的离子束（3），向配置在处理室（5）内的基板（4）照射离子束（3），并且在离子注入处理以外时，向离子源（IS）内部导入清洗气体，对该离子源（IS）内部进行清洗，在这样的离子注入装置（IM）中，在清洗结束后重新启动离子束（3）时，在引出电极系统（2）上施加规定电压后，将离子源（IS）的运转参数设定为与作为处理对象的基板（4）的注入配方对应的运转参数。

    带电粒子束光刻系统以及目标定位装置
    5.
    发明公开
    带电粒子束光刻系统以及目标定位装置 有权 转让

    公开(公告)号：CN102522300A

    公开(公告)日：2012-06-27

    申请号：CN201110460373.3

    申请日：2009-08-18

    申请人： 迈普尔平版印刷IP有限公司

    发明人： 杰里·佩斯特尔 ,  吉多·德布尔

    IPC分类号： H01J37/20 ,  H01J37/26 ,  B82Y10/00 ,  H01J37/317

    CPC分类号： H01J37/3174 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01J37/20 ,  H01J37/26 ,  H01J2237/026 ,  H01J2237/202 ,  H01J2237/304

    摘要： 一种带电粒子束光刻系统及目标定位装置。带电粒子束光刻系统包括：带电粒子光柱，设置在真空室中，用于将带电粒子束投射到目标上，光柱包括使粒子束在偏转方向上偏转的偏转装置；目标定位装置，包括承载目标的承载件以及承载并沿不同于偏转方向的第一方向移动承载件的工作台，目标定位装置包括使工作台沿第一方向相对于粒子光柱移动的第一致动器、和沿第二方向移动承载件的第二致动器；光柱屏蔽装置，至少部分地屏蔽粒子光柱不受周围的磁场和/或电场影响；承载件可移动地设置在工作台上，目标定位装置包括将承载件相对于工作台保持在第一相对位置中的保持装置；第一致动器设置在光柱屏蔽装置外部，保持装置和第二致动器设置在屏蔽装置内部。

    离子注入系统中引出电极组件的电压调制
    7.
    发明授权
    离子注入系统中引出电极组件的电压调制 有权

    公开(公告)号：CN105474349B

    公开(公告)日：2018-02-02

    申请号：CN201480025170.3

    申请日：2014-05-02

    申请人： 艾克塞利斯科技公司

    发明人： 尼尔·科尔文 ,  张锦程

    IPC分类号： H01J37/317 ,  H01J37/08

    CPC分类号： H01J37/3171 ,  H01J37/08 ,  H01J2237/022 ,  H01J2237/304

    摘要： 本发明公开一种用于减少离子注入系统中的微粒污染的方法，其中经由离子源与引出电极组件的协同操作而产生离子束。向离子源施加阴极电压以在其中生成离子，并且向引出组件施加抑制电压以阻碍离子束中的电子卷入离子源。选择性调制抑制电压，由此诱发穿过引出组件的电流或弧放电，以移除其表面上的沉淀物，进而减轻工件的后续污染。根据前述，本发明还公开改进的离子注入系统，其中控制器配置成基本在传送工件的同时选择性将电压调制于预定电压与预定的抑制电压之间，由此诱发穿过引出电极组件的电流或弧放电，以移除其表面上的沉淀物，进而减轻工件的后续污染。

    决定用以控制工件离子植入的相对扫描速度
    9.
    发明授权
    决定用以控制工件离子植入的相对扫描速度 有权

    公开(公告)号：CN102623289B

    公开(公告)日：2015-09-23

    申请号：CN201210018367.7

    申请日：2012-01-19

    申请人： 汉辰科技股份有限公司

    发明人： 沈政辉 ,  万志民

    IPC分类号： H01J37/317 ,  H01J37/304

    CPC分类号： H01J37/3171 ,  H01J2237/304 ,  H01J2237/31703

    摘要： 本发明是有关于一种决定用以控制工件离子植入的相对扫描速度，要选择使用离子植入设备的离子束，扫描实际工件的相对速度分布特性，首先，模拟一虚拟工件的植入状况。基于一离子束分布特性与一相对速度分布特性，计算虚拟工件上的剂量分布。然后，基于所计算的剂量分布与用于计算该剂量分布的相对速度分布特性，决定一新相对速度分布特性。然后，使用该新相对速度分布特性，计算一新剂量分布。反复决定新相对速度分布特性与计算相应的新剂量分布，直到新剂量分布符合一个或多个预定标准。当新剂量分布符合一个或多个预定标准时，储存新相对速度分布特性作为选定相对速度分布特性。

    离子注入装置和离子注入装置的运转方法
    10.
    发明公开
    离子注入装置和离子注入装置的运转方法 有权

    公开(公告)号：CN103928280A

    公开(公告)日：2014-07-16

    申请号：CN201310353859.6

    申请日：2013-08-14

    申请人： 日新离子机器株式会社

    发明人： 松本武

    IPC分类号： H01J37/317 ,  H01J37/30

    CPC分类号： C23C14/48 ,  C23C14/564 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/022 ,  H01J2237/304

    摘要： 本发明提供能够在清洗离子源内部后在短时间内重新启动离子束的离子注入装置和该离子注入装置的运转方法。所述离子注入装置在进行离子注入处理时，向离子源（IS）内部导入工艺气体，使用由多块电极构成的引出电极系统（2），从离子源（IS）引出带状的离子束（3），向配置在处理室（5）内的基板（4）照射离子束（3），并且在离子注入处理以外时，向离子源（IS）内部导入清洗气体，对该离子源（IS）内部进行清洗，在这样的离子注入装置（IM）中，在清洗结束后重新启动离子束（3）时，在引出电极系统（2）上施加规定电压后，将离子源（IS）的运转参数设定为与作为处理对象的基板（4）的注入配方对应的运转参数。