双极功率晶体管及其制造方法

    公开(公告)号:CN1261984A

    公开(公告)日:2000-08-02

    申请号:CN98806912.1

    申请日:1998-05-25

    摘要: 本发明涉及纵向双极功率晶体管及制造所说双极功率晶体管的方法,所说功率晶体管主要用于射频应用。该双极功率晶体管包括衬底(13)、衬底上的第一导电类型的集电层(15)、与集电层电连接的第二导电类型的基区(19)、与基区电连接的所说第一导电类型的发射区(21),所说基区和所说发射区都与金属化互连层(31,33)电连接,所说金属化互连层(31,33)通过绝缘氧化物(17)至少局部与集电层(15)隔离。根据本发明,该功率晶体管实际包括设置在与基区电连接的金属化互连层和绝缘氧化物之间的场屏蔽层(25)。