公开(公告)号：CN101536189A

公开(公告)日：2009-09-16

申请号：CN200780040577.3

申请日：2007-11-16

申请人： 万国半导体股份有限公司

发明人： 雪克·玛力卡勒强斯瓦密 ,  马督儿·博德

IPC分类号： H01L29/06

CPC分类号： H01L27/0727 ,  H01L29/0611 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/407 ,  H01L29/66303 ,  H01L29/7304 ,  H01L29/7322 ,  H01L29/861 ,  H01L29/8618 ,  H01L29/866 ,  H01L29/945 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 一垂直TVS电路包括一半导体衬底以支撑垂直TVS器件，在半导体衬底上有一延伸到衬底底部的重掺杂层。深沟槽提供了多通道垂直TVS间的隔离。沟槽栅极也用于增加整合有EMI滤波器的垂直TVS的电容。

公开(公告)号：CN107039339A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201610957885.3

申请日：2016-10-27

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 前田真一

IPC分类号： H01L21/78 ,  H01L21/331 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L21/8222 ,  H01L21/324 ,  H01L27/082 ,  H01L29/0813 ,  H01L29/66303 ,  H01L29/732 ,  H01L29/66272 ,  H01L21/78 ,  H01L29/0684

摘要： 本发明公开了一种制造半导体器件的方法，防止了当用一个半导体晶圆制造具有晶体管的预定数量的半导体芯片时，由于用半导体晶圆制造过量的半导体芯片，导致半导体器件的制造成本增加。在可通过一个曝光步骤被曝光的曝光区中的第一芯片形成区中形成包括具有第一面积的第一发射极区的第一双极晶体管，并且在曝光区中的第二芯片形成区中包括形成具有与第一面积不同的第二面积的第二发射极区的第二双极晶体管。

公开(公告)号：CN102656670A

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN200980163045.8

申请日：2009-12-21

申请人： NXP股份有限公司

发明人： 森克·哈贝尼希特 ,  德特勒夫·奥尔格思拉格 ,  奥尔里克·舒马赫 ,  斯坦芬·本特·伯格伦德

IPC分类号： H01L21/331 ,  H01L29/06 ,  H01L29/417 ,  H01L29/732

CPC分类号： H01L29/66303 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0813 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/41708 ,  H01L29/66295 ,  H01L29/732

摘要： 本发明提供了一种具有多层接触结构的半导体。所述多层结构包括放置在半导体有源区上的金属接触和放置在所述金属接触上的金属接触延伸。

公开(公告)号：CN102623454B

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN201210073633.6

申请日：2007-11-16

申请人： 万国半导体股份有限公司

发明人： 雪克·玛力卡勒强斯瓦密 ,  马督儿·博德

IPC分类号： H01L27/07 ,  H01L27/02

CPC分类号： H01L27/0727 ,  H01L29/0611 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/407 ,  H01L29/66303 ,  H01L29/7304 ,  H01L29/7322 ,  H01L29/861 ,  H01L29/8618 ,  H01L29/866 ,  H01L29/945 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 一种具有电磁干扰滤波器的垂直瞬态电压抑制器。一垂直TVS电路包括一半导体衬底以支撑垂直TVS器件，在半导体衬底上有一延伸到衬底底部的重掺杂层。深沟槽提供了多通道垂直TVS间的隔离。沟槽栅极也用于增加整合有EMI滤波器的垂直TVS的电容。

公开(公告)号：CN102623454A

公开(公告)日：2012-08-01

申请号：CN201210073633.6

申请日：2007-11-16

申请人： 万国半导体股份有限公司

发明人： 雪克·玛力卡勒强斯瓦密 ,  马督儿·博德

IPC分类号： H01L27/07 ,  H01L27/02

CPC分类号： H01L27/0727 ,  H01L29/0611 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/407 ,  H01L29/66303 ,  H01L29/7304 ,  H01L29/7322 ,  H01L29/861 ,  H01L29/8618 ,  H01L29/866 ,  H01L29/945 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 一种具有电磁干扰滤波器的垂直瞬态电压抑制器。一垂直TVS电路包括一半导体衬底以支撑垂直TVS器件，在半导体衬底上有一延伸到衬底底部的重掺杂层。深沟槽提供了多通道垂直TVS间的隔离。沟槽栅极也用于增加整合有EMI滤波器的垂直TVS的电容。

公开(公告)号：CN101536189B

公开(公告)日：2012-06-06

申请号：CN200780040577.3

申请日：2007-11-16

申请人： 万国半导体股份有限公司

发明人： 雪克·玛力卡勒强斯瓦密 ,  马督儿·博德

IPC分类号： H01L29/06

CPC分类号： H01L27/0727 ,  H01L29/0611 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/407 ,  H01L29/66303 ,  H01L29/7304 ,  H01L29/7322 ,  H01L29/861 ,  H01L29/8618 ,  H01L29/866 ,  H01L29/945 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 一垂直TVS电路包括一半导体衬底以支撑垂直TVS器件，在半导体衬底上有一延伸到衬底底部的重掺杂层。深沟槽提供了多通道垂直TVS间的隔离。沟槽栅极也用于增加整合有EMI滤波器的垂直TVS的电容。

公开(公告)号：CN1261984A

公开(公告)日：2000-08-02

申请号：CN98806912.1

申请日：1998-05-25

申请人： 艾利森电话股份有限公司

发明人： T·约翰松 ,  L·C·莱顿

IPC分类号： H01L29/732 ,  H01L21/331 ,  H01L23/66

CPC分类号： H01L29/402 ,  H01L29/66303 ,  H01L29/732 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明涉及纵向双极功率晶体管及制造所说双极功率晶体管的方法,所说功率晶体管主要用于射频应用。该双极功率晶体管包括衬底(13)、衬底上的第一导电类型的集电层(15)、与集电层电连接的第二导电类型的基区(19)、与基区电连接的所说第一导电类型的发射区(21),所说基区和所说发射区都与金属化互连层(31,33)电连接,所说金属化互连层(31,33)通过绝缘氧化物(17)至少局部与集电层(15)隔离。根据本发明,该功率晶体管实际包括设置在与基区电连接的金属化互连层和绝缘氧化物之间的场屏蔽层(25)。