公开(公告)号：CN105593971B

公开(公告)日：2018-10-02

申请号：CN201480053045.3

申请日：2014-09-24

申请人： 芝浦机械电子株式会社

发明人： 金井隆宏 ,  松井绘美 ,  林航之介

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/304

摘要： 本发明提供一种基板处理装置、贴合基板的剥离方法以及粘接剂的除去方法，实施方式所涉及的基板处理装置具备：处理槽，贮存浸渍处理物的处理液；搬运部，搬运所述处理物；及温度控制部，设置在所述处理槽与离开所述处理槽的位置当中的至少一方，对所述处理物进行加热与冷却当中的至少一个。所述处理物是，具有设备基板、支撑基板、设置在所述设备基板与所述支撑基板之间的粘接剂的贴合基板，及附着有所述粘接剂的所述设备基板，及附着有所述粘接剂的所述支撑基板当中的至少一个。

公开(公告)号：CN105070673A

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201510451334.5

申请日：2012-12-26

申请人： 芝浦机械电子株式会社

发明人： 林航之介 ,  松井绘美 ,  大田垣崇 ,  桧森洋辅

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/321

摘要： 本发明提供一种能够对半导体晶片的面可靠地进行基于蚀刻液的蚀刻加工的基板的处理装置及处理方法。基板的处理装置具备：第一喷嘴体(25)，对半导体晶片(W)的板面供给蚀刻液(E)；厚度检测传感器(29)，检测由蚀刻液蚀刻的半导体晶片的厚度；控制装置，在由厚度检测传感器检测出的半导体晶片的厚度为异常时，使基于蚀刻液的蚀刻中断；以及研磨体(27)，在基于蚀刻液的蚀刻中断时，将半导体晶片的板面加工成粗糙面。

公开(公告)号：CN105229777B

公开(公告)日：2017-12-29

申请号：CN201480027435.3

申请日：2014-05-14

申请人： 芝浦机械电子株式会社

发明人： 林航之介 ,  大田垣崇 ,  松井绘美

IPC分类号： H01L21/306 ,  H01L21/027 ,  H01L21/304

CPC分类号： G05D11/13 ,  B05B12/006 ,  B05B13/0242 ,  B05C5/02 ,  G05D9/12 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/6708

摘要： 提供一种将处理液供给到处理装置并回收而再供给的供液装置，上述供液装置具备：多个供给罐，收纳上述处理液并且具有排气通路和溢流线路，能够切换为供给上述处理液的供给模式和在收纳上述处理液的状态下待命的待命模式中的某一种；供给机构，将上述处理液从这些多个供给罐中的供给模式的供给罐向上述处理装置供给；回收机构，将上述处理装置中剩余的上述处理液回收并返回供给模式的供给罐；以及开闭机构，分别设置于上述多个供给罐，对上述排气通路和上述溢流线路进行封堵。由此，能够延长被收纳于供给罐并处于待命状态的处理液的寿命。

公开(公告)号：CN103187341A

公开(公告)日：2013-07-03

申请号：CN201210574314.3

申请日：2012-12-26

申请人： 芝浦机械电子株式会社

发明人： 林航之介 ,  松井绘美 ,  大田垣崇 ,  桧森洋辅

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/321

摘要： 本发明提供一种能够对半导体晶片的面可靠地进行基于蚀刻液的蚀刻加工的基板的处理装置及处理方法。基板的处理装置具备：第一喷嘴体（25），对半导体晶片（W）的板面供给蚀刻液（E）；厚度检测传感器（29），检测由蚀刻液蚀刻的半导体晶片的厚度；控制装置，在由厚度检测传感器检测出的半导体晶片的厚度为异常时，使基于蚀刻液的蚀刻中断；以及研磨体（27），在基于蚀刻液的蚀刻中断时，将半导体晶片的板面加工成粗糙面。

公开(公告)号：CN105612598B

公开(公告)日：2019-09-24

申请号：CN201480053362.5

申请日：2014-09-24

申请人： 芝浦机械电子株式会社

发明人： 松井绘美 ,  林航之介 ,  金井隆宏

IPC分类号： H01L21/02 ,  G11B7/26 ,  H01L21/683

摘要： 本发明提供一种吸附台、贴合装置以及贴合基板的制造方法，实施方式所涉及的吸附台具备：放置部，放置第1基板；及排气部，对所述第1基板与所述放置部之间的部位进行排气。所述放置部具有：第1壁部，设置在所述放置部的一个端面的外缘侧且呈环状；及第2壁部，设置在所述第1壁部的内侧且呈环状。所述排气部具有：第1控制阀，设置在第1区域与所述排气部之间，第1区域为所述第1壁部与所述第2壁部之间的区域；第2控制阀，设置在所述第2壁部内侧的第2区域与所述排气部之间；及控制部，对所述第1控制阀与所述第2控制阀进行控制。所述控制部通过对所述第1控制阀及所述第2控制阀进行控制，从而在所述第1区域及所述第2区域当中的至少一个区域中交互地进行对所述第1基板的吸附与对所述第1基板的吸附解除。所述控制部在所述第1区域及所述第2区域当中的任意一个区域中进行对所述第1基板的吸附解除期间，在另一个区域中进行对所述第1基板的吸附。

公开(公告)号：CN105229777A

公开(公告)日：2016-01-06

申请号：CN201480027435.3

申请日：2014-05-14

申请人： 芝浦机械电子株式会社

发明人： 林航之介 ,  大田垣崇 ,  松井绘美

IPC分类号： H01L21/306 ,  H01L21/027 ,  H01L21/304

CPC分类号： G05D11/13 ,  B05B12/006 ,  B05B13/0242 ,  B05C5/02 ,  G05D9/12 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/6708

摘要： 提供一种将处理液供给到处理装置并回收而再供给的供液装置，上述供液装置具备：多个供给罐，收纳上述处理液并且具有排气通路和溢流线路，能够切换为供给上述处理液的供给模式和在收纳上述处理液的状态下待命的待命模式中的某一种；供给机构，将上述处理液从这些多个供给罐中的供给模式的供给罐向上述处理装置供给；回收机构，将上述处理装置中剩余的上述处理液回收并返回供给模式的供给罐；以及开闭机构，分别设置于上述多个供给罐，对上述排气通路和上述溢流线路进行封堵。由此，能够延长被收纳于供给罐并处于待命状态的处理液的寿命。

公开(公告)号：CN103187341B

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201210574314.3

申请日：2012-12-26

申请人： 芝浦机械电子株式会社

发明人： 林航之介 ,  松井绘美 ,  大田垣崇 ,  桧森洋辅

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/321

摘要： 本发明提供一种能够对半导体晶片的面可靠地进行基于蚀刻液的蚀刻加工的基板的处理装置及处理方法。基板的处理装置具备：第一喷嘴体（25），对半导体晶片（W）的板面供给蚀刻液（E）；厚度检测传感器（29），检测由蚀刻液蚀刻的半导体晶片的厚度；控制装置，在由厚度检测传感器检测出的半导体晶片的厚度为异常时，使基于蚀刻液的蚀刻中断；以及研磨体（27），在基于蚀刻液的蚀刻中断时，将半导体晶片的板面加工成粗糙面。

公开(公告)号：CN105612598A

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201480053362.5

申请日：2014-09-24

申请人： 芝浦机械电子株式会社

发明人： 松井绘美 ,  林航之介 ,  金井隆宏

IPC分类号： H01L21/02 ,  G11B7/26 ,  H01L21/683

摘要： 本发明提供一种吸附台、贴合装置以及贴合基板的制造方法，实施方式所涉及的吸附台具备：放置部，放置第1基板；及排气部，对所述第1基板与所述放置部之间的部位进行排气。所述放置部具有：第1壁部，设置在所述放置部的一个端面的外缘侧且呈环状；及第2壁部，设置在所述第1壁部的内侧且呈环状。所述排气部具有：第1控制阀，设置在第1区域与所述排气部之间，第1区域为所述第1壁部与所述第2壁部之间的区域；第2控制阀，设置在所述第2壁部内侧的第2区域与所述排气部之间；及控制部，对所述第1控制阀与所述第2控制阀进行控制。所述控制部通过对所述第1控制阀及所述第2控制阀进行控制，从而在所述第1区域及所述第2区域当中的至少一个区域中交互地进行对所述第1基板的吸附与对所述第1基板的吸附解除。所述控制部在所述第1区域及所述第2区域当中的任意一个区域中进行对所述第1基板的吸附解除期间，在另一个区域中进行对所述第1基板的吸附。

公开(公告)号：CN105593971A

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：CN201480053045.3

申请日：2014-09-24

申请人： 芝浦机械电子株式会社

发明人： 金井隆宏 ,  松井绘美 ,  林航之介

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/304

CPC分类号： H01L21/02079 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/67086 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/68728

摘要： 本发明提供一种基板处理装置、贴合基板的剥离方法以及粘接剂的除去方法，实施方式所涉及的基板处理装置具备：处理槽，贮存浸渍处理物的处理液；搬运部，搬运所述处理物；及温度控制部，设置在所述处理槽与离开所述处理槽的位置当中的至少一方，对所述处理物进行加热与冷却当中的至少一个。所述处理物是，具有设备基板、支撑基板、设置在所述设备基板与所述支撑基板之间的粘接剂的贴合基板，及附着有所述粘接剂的所述设备基板，及附着有所述粘接剂的所述支撑基板当中的至少一个。