公开(公告)号：CN108140572A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201680058403.9

申请日：2016-09-30

申请人： 芝浦机械电子株式会社

发明人： 宫崎邦浩 ,  古矢正明 ,  林航之介 ,  山崎克弘 ,  齐藤裕树 ,  古川长树

IPC分类号： H01L21/306

CPC分类号： H01L21/306

摘要： 一种处理至少形成有氮化膜和氧化膜的基板的基板处理装置，所述基板处理装置具有：磷酸水溶液贮留部，其将磷酸水溶液贮留；磷酸水溶液供给部，其通过磷酸水溶液供给配管将磷酸水溶液供给至所述磷酸水溶液贮留部；二氧化硅添加剂供给部，其通过二氧化硅添加剂供给配管将二氧化硅添加剂供给至所述磷酸水溶液贮留部；水供给部，其通过水供给配管将水供给至所述磷酸水溶液贮留部；和处理部，其通过贮留在所述磷酸水溶液贮留部中的所述磷酸水溶液来处理所述基板；所述二氧化硅添加剂供给配管连接在所述水供给配管的中途，即使是使用了二氧化硅添加剂的处理，也可以用适当的二氧化硅浓度来实行基板处理。

公开(公告)号：CN104952772B

公开(公告)日：2018-01-30

申请号：CN201510147942.7

申请日：2015-03-31

申请人： 芝浦机械电子株式会社

发明人： 大田垣崇 ,  林航之介

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/306 ,  H01L21/02

CPC分类号： B05B1/265 ,  B05B3/0409 ,  B05B3/0486 ,  B05B3/1064 ,  B05B13/0235 ,  B05C5/02 ,  B05C13/02 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6715

摘要： 提供一种基板处理装置及基板处理方法，其能够抑制制造成本、装置成本的增加及成品率的降低，并且使处理液对基板的覆盖性提高。实施方式的基板处理装置(1)具备：向基板(W)的被处理面吐出处理液的喷嘴(11)；具有环状的倾斜面(15)(去路弯曲面)的去路弯曲部(6c)，该倾斜面(15)使从该喷嘴(11)吐出的处理液将行进方向弯曲而向基板(W)的被处理面入射，且该倾斜面(15)的倾斜角度沿着其呈环状延伸的方向变化；以及作为使基板(W)的处理液对倾斜面(15)的入射位置在倾斜面(15)呈环状延伸的方向上移动的位置变更部而发挥功能的弯曲旋转机构(7b)或喷嘴旋转机构(7c)。

公开(公告)号：CN105103268B

公开(公告)日：2017-11-17

申请号：CN201480019122.3

申请日：2014-03-25

申请人： 芝浦机械电子株式会社

发明人： 林航之介 ,  大田垣崇 ,  长岛裕次 ,  矶明典

IPC分类号： H01L21/027 ,  G02F1/13 ,  G02F1/1333 ,  H01L21/304 ,  H01L21/306

CPC分类号： H01L21/67051 ,  B08B3/10 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/68714 ,  H01L22/12

摘要： 实施方式的基板处理装置(1)具备：支承部(4)，在平面内支承基板(W)；旋转机构(5)，以与通过此支承部(4)支承的基板(W)的表面相交的轴作为旋转轴，使支承部(4)旋转；多个喷嘴(6a，6b和6c)，设置为从通过支承部(4)支承的基板(W)的中心向周缘排列，将处理液分别排出至通过旋转机构(5)而旋转的支承部(4)上的基板(W)的表面；控制部(9)，根据形成于通过旋转机构(5)而旋转的支承部(4)上的基板(W)的表面的处理液的液膜厚度，使多根喷嘴(6a，6b和6c)分别以不同的定时排出处理液。

公开(公告)号：CN105283942A

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201480030224.5

申请日：2014-03-20

申请人： 芝浦机械电子株式会社

发明人： 林航之介 ,  松嶋大辅

IPC分类号： H01L21/02 ,  B23K20/00 ,  H01L21/683

CPC分类号： B32B41/00 ,  B23K20/02 ,  B23K20/233 ,  B23K20/24 ,  B23K20/26 ,  B23K2101/40 ,  B32B37/003 ,  B32B37/10 ,  B32B37/18 ,  B32B2309/72 ,  B32B2313/00 ,  B32B2315/08 ,  B32B2457/14 ,  H01L21/67092

摘要： 本发明提供一种贴合装置，根据本发明的实施方式，其贴合第1基板与第2基板，其特征为，具备：保持第2基板的基板保持部；通过进行上升动作而对所述第2基板的背面进行加压的压头；及具有支撑爪的基板支撑部，支撑爪支撑能够以与所述第2基板隔着规定间隔而相对的方式被保持的第1基板的周缘部，所述压头对对应于如下位置的所述第2基板的规定一点进行加压，在该位置处所述第1基板的贴合面与所述第2基板的贴合面的距离小于从所述第1基板的贴合面的周端部到所述第2基板的贴合面为止的距离。

公开(公告)号：CN104952771A

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201510128985.0

申请日：2015-03-24

申请人： 芝浦机械电子株式会社

发明人： 大田垣崇 ,  林航之介 ,  桧森洋辅

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/66 ,  H01L21/02

CPC分类号： B08B3/08 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/6715 ,  H01L22/30

摘要： 提供能够实现抑制处理不良及削减处理液消耗量的基板处理装置及基板处理方法。实施方式的基板处理装置(1)具备：液供给部(6)，向基板(W)的表面供给处理液；温度检测部(7)，检测被该液供给部(6)供给了处理液的基板(W)的表面温度；温度监视部(9)，判断由该温度检测部(7)检测出的表面温度是否达到了规定温度；以及控制部(11)，在由该温度监视部(9)判断为表面温度达到了规定温度的情况下，使供给部(6)停止处理液的供给。

公开(公告)号：CN103579055A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201310346630.X

申请日：2013-08-09

申请人： 芝浦机械电子株式会社

发明人： 宫崎邦浩 ,  桧森洋辅 ,  林航之介 ,  安部正泰

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L21/02052 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67051

摘要： 提供一种能够使制品品质提高的清洗液生成装置、清洗液生成方法、基板清洗装置及基板清洗方法。实施方式的清洗液生成装置（2）具备：储存磷酸水溶液的储存部（11），将磷酸水溶液加热的加热部（12），浸渍在储存部（11）内的磷酸水溶液中的第1硅部件（13）及第2硅部件（14），以及使第1硅部件（13）与第2硅部件（14）之间产生电位差的电压施加部（15）。

公开(公告)号：CN113363187B

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN202110617130.X

申请日：2015-09-30

申请人： 芝浦机械电子株式会社

发明人： 林航之介 ,  大田垣崇

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/687 ,  H01L21/02 ,  B08B3/02 ,  B08B3/08 ,  B08B3/10

摘要： 实施方式涉及的基板处理装置具备：除去部(D1)，将存在于凹部(30)的液滴除去；排液孔(30a)，设在喷嘴头(32)的凹部(30)的底部，将作为除去对象的液滴向凹部(30)之外排出；以及控制部(8)，控制气体喷出喷嘴(33)的喷出状态，使得在对被处理面的基于处理液的漂洗处理结束、且到使用了气体的干燥处理开始为止的期间，存在有从气体喷出喷嘴(33)喷出不到达基板W的被处理面的程度的流量的气体的期间。

公开(公告)号：CN108461427B

公开(公告)日：2022-02-22

申请号：CN201810238635.3

申请日：2015-09-30

申请人： 芝浦机械电子株式会社

发明人： 宫崎邦浩 ,  南健治 ,  长岛裕次 ,  林航之介

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/02

摘要： 本发明提供可以实现处理性能的提高及处理液使用量的降低的基板处理装置及基板处理方法。实施方式的基板处理装置(1)具备：将双氧水的沸点以上的第1温度的硫酸溶液供给至基板(W)的第1溶液供给部(3a)；将作为硫酸溶液及双氧水的混合液且比第1温度低的第2温度的混合液供给至所述基板(W)的处理对象面(Wa)的第2溶液供给部(3b)；以及控制部(5)，该控制部按照使基板(W)的温度达到双氧水的沸点以上的方式使第1溶液供给部(3a)供给第1温度的硫酸溶液、在基板(W)的温度达到第2温度以上时，使第1溶液供给部(3a)停止第1温度的硫酸溶液的供给、使第2溶液供给部(3b)供给第2温度的混合液。

公开(公告)号：CN107256823B

公开(公告)日：2021-06-11

申请号：CN201710206347.5

申请日：2017-03-07

申请人： 芝浦机械电子株式会社

发明人： 齐藤裕树 ,  林航之介 ,  大田垣崇 ,  长岛裕次

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  H01L21/677

摘要： 本发明的基板处理装置及基板处理方法通过高效地生成亚硝酸，生成具有适合蚀刻的亚硝酸浓度的蚀刻液，提高了蚀刻的效率。该基板处理装置(10)使用含有氢氟酸及硝酸的蚀刻液(L)对半导体晶片(W)进行处理，其具备：储存蚀刻液(L)的储存箱(210)、测量蚀刻液(L)中的亚硝酸的浓度的浓度传感器(256)、向蚀刻液(L)供给IPA而将亚硝酸的浓度维持在规定值以上的醇供给部(310)、将储存箱(210)内的蚀刻液(L)向半导体晶片(W)供给的基板处理单元(100)。

公开(公告)号：CN106716605B

公开(公告)日：2021-06-08

申请号：CN201580053001.5

申请日：2015-09-30

申请人： 芝浦机械电子株式会社

发明人： 林航之介 ,  大田垣崇

IPC分类号： H01L21/304 ,  H01L21/677

摘要： 实施方式涉及的基板处理装置具备：除去部(D1)，将存在于凹部(30)的液滴除去；排液孔(30a)，设在喷嘴头(32)的凹部(30)的底部，将作为除去对象的液滴向凹部(30)之外排出；以及控制部(8)，控制气体喷出喷嘴(33)的喷出状态，使得在对被处理面的基于处理液的漂洗处理结束、且到使用了气体的干燥处理开始为止的期间，存在有从气体喷出喷嘴(33)喷出不到达基板W的被处理面的程度的流量的气体的期间。