公开(公告)号：CN118136508A

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN202410173658.6

申请日：2024-02-07

申请人： 芯联集成电路制造股份有限公司

发明人： 宋健 ,  戚蓥梦 ,  王聪 ,  梁昕

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/78

摘要： 本发明提供一种半导体器件及其制造方法、电子装置，该方法包括：提供衬底，衬底包括有源区以及环绕有源区的场氧化层，场氧化层包括延伸至有源区中的鸟嘴区；对衬底进行离子注入以形成离子注入区，离子注入区至少包括位于有源区的第一离子注入区，第一离子注入区与场氧化层的鸟嘴区之间存在第一间隔；执行退火，以使离子注入区通过离子扩散形成扩散区，离子注入区和扩散区共同构成阱区，离子注入区的掺杂离子浓度大于扩散区的掺杂离子浓度，且扩散区包覆场氧化层的鸟嘴区；在有源区的衬底上形成栅极结构。本发明使包覆场氧化层的鸟嘴区的扩散区的掺杂离子浓度低于离子注入区的掺杂离子浓度，能够抵消掉由场氧化层的鸟嘴区延伸进有源区导致的阈值电压变大的影响，从而能够消除掉双峰效应，提高了器件性能。

公开(公告)号：CN117790423A

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202410199362.1

申请日：2024-02-23

申请人： 芯联集成电路制造股份有限公司

发明人： 王聪 ,  宋健 ,  戚蓥梦 ,  黄艳

IPC分类号： H01L21/8238 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06 ,  H01L27/092

摘要： 本发明提供了一种半导体器件及其制备方法、半导体集成电路及其制备方法。该半导体器件中，在元胞区内设置有第一晶体管器件，在整流区内形成有超势垒整流区，第一晶体管器件中的第一栅极介质层和第一栅电极形成在第一沟槽内，而超势垒整流器中的第二栅极介质层和第二栅电极则形成在衬底的顶表面上，使得超势垒整流器中位于衬底顶表面上的栅极结构可以更灵活的制备，有利于简化工艺。进一步的，可将超势垒整流器的栅极结构与其他器件（例如BCD器件中的第二晶体管器件）的平面型栅极结构的制备工艺相结合，以利用集成设置的其他器件的平面型栅极结构的制备工艺寄生形成超势垒整流器的栅极结构，大大简化了集成电路的制备工艺，有效降低了制备成本。

公开(公告)号：CN117790423B

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202410199362.1

申请日：2024-02-23

申请人： 芯联集成电路制造股份有限公司

发明人： 王聪 ,  宋健 ,  戚蓥梦 ,  黄艳

IPC分类号： H01L21/8238 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06 ,  H01L27/092

摘要： 本发明提供了一种半导体器件及其制备方法、半导体集成电路及其制备方法。该半导体器件中，在元胞区内设置有第一晶体管器件，在整流区内形成有超势垒整流区，第一晶体管器件中的第一栅极介质层和第一栅电极形成在第一沟槽内，而超势垒整流器中的第二栅极介质层和第二栅电极则形成在衬底的顶表面上，使得超势垒整流器中位于衬底顶表面上的栅极结构可以更灵活的制备，有利于简化工艺。进一步的，可将超势垒整流器的栅极结构与其他器件（例如BCD器件中的第二晶体管器件）的平面型栅极结构的制备工艺相结合，以利用集成设置的其他器件的平面型栅极结构的制备工艺寄生形成超势垒整流器的栅极结构，大大简化了集成电路的制备工艺，有效降低了制备成本。